Продукція > NDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDD60N360U1T4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 114A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N360U1T4GOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 114A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
351+63.80 грн
Мінімальне замовлення: 351 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I-PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
на замовлення 3075 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N550U1-1G - NDD60N550U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
289+69.48 грн
Мінімальне замовлення: 289 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N550U1-35G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+69.01 грн
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1T4GONN
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N550U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 6.8A
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-35GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 600V 6.8A 745 m_ Single
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 22175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1-35GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N745U1-35G - NDD60N745U1-35G, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+51.45 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1T4GONN
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N745U1T4G - NDD60N745U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N745U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 6.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 745mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 50 V
на замовлення 10565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
271+73.94 грн
Мінімальне замовлення: 271 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N900U1-1G - NDD60N900U1-1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
570+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 570 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1-1GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1-35GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A IPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: IPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1-35GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 600V 5.9A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
468+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 468 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 5.7A DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDD60N900U1T4G - NDD60N900U1T4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1922+51.78 грн
Мінімальне замовлення: 1922 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GONN
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDD60N900U1T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 5.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.77 грн
25+30.80 грн
50+29.24 грн
100+26.64 грн
250+25.17 грн
500+24.75 грн
1000+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60Z-1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDDL01N60Z-1G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2025+12.11 грн
Мінімальне замовлення: 2025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
на замовлення 9900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60Z-1GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 1.5A 8.50H
на замовлення 1411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60Z-1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60ZT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 600V 0.4A 15OHM
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.32 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60ZT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NDDL01N60ZT4G - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDL01N60ZT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 800MA DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZ-1HON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZ-1HON SemiconductorMOSFET NCH 10A 250V TP(IPAK
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HON SemiconductorMOSFET NCH 10A 250V TP-FA(DPAK)
на замовлення 1004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDDP010N25AZT4HonsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 10A DPAK/TP-FA
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: DPAK/TP-FA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+47.08 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3