Продукція > NVD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NVD3055L170T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01ONN
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM
на замовлення 6757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3105LT1G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiMOSFETs SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.36Ω
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 83W
Gate charge: 16.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GONN
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.33 грн
10+135.18 грн
100+93.43 грн
500+70.93 грн
1000+68.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+45.48 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4804NT4G - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.74 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4805NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806Nonsemionsemi NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 38679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4806NT4G - NVD4806NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01onsemiDescription: NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4806NT4G-VF01 - NVD4806NT4G-VF01, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GonsemiDescription: NVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
на замовлення 24748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4808NT4G - NVD4808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V, 58A, 9 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4809NT4G - NVD4809NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4810NT4G - NVD4810NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GonsemiDescription: NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
942+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 942 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4G-TB01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4813NHT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4813NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4815NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.92 грн
25+32.84 грн
100+29.45 грн
250+26.95 грн
500+24.68 грн
1000+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GonsemiMOSFETs NFET DPAK 30V 4.1MO
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4C05NT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 116 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GON SemiconductorMOSFET 60V T1 PCH DPAK
на замовлення 13888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+284.50 грн
10+186.95 грн
100+130.87 грн
500+107.18 грн
1000+96.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.33 грн
10+154.96 грн
100+108.33 грн
500+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiMOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+130.06 грн
500+98.88 грн
1000+84.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.97 грн
10+193.21 грн
25+187.36 грн
100+144.67 грн
250+129.35 грн
500+108.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GON Semiconductor
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 38A, 26mO, Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5413NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5484NLT4G - NVD5484NLT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1340 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 54A 17MOHM
на замовлення 9326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 54A 17MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK
на замовлення 24609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 60V 17A 64 mOhm Single N−Channel DPAK Logic Level
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4GonsemiMOSFET DPAK 3W SMT PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-TB01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-TB01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4G-VF01onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5806NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 40V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]