Продукція > PBH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBHV2160ZX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV2160Z/SOT223/SC-73 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 600V 0.1A SOT-223 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV2160ZX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | Nexperia | Trans GP BJT NPN 600V 0.1A 1400mW 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV2160ZX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV2160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160Z-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 600V 0.1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 38MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160Z-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT223 600V .1A PNP HI VOLT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 650mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 600V 0.1A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 38MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 14003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV3160Z/SOT223/SC-73 | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV3160ZX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 600 V, 100 mA, 650 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 38MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 600V 0.1A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 6mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 38MHz Supplier Device Package: SOT-223 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 650 mW Qualification: AEC-Q100 | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV3160ZX | Nexperia | Trans GP BJT PNP 600V 0.1A 1400mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8050SA-R1-00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS NPN HV SOT23 500V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8050SA_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 500V 0.15A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8050SA_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT SiliconNPNTripleDiffuseHighVoltageTransistor VCE500V IC150mA SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8050SA_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 500V 0.15A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8050SA_R1_00501 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 500V; 0.15A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 500V Power dissipation: 0.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Frequency: 50MHz Collector current: 0.15A | на замовлення 5998 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DA-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor | на замовлення 7300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DA-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DA-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DA-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Current gain: 100...300 Pulsed collector current: 3A | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DA_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | на замовлення 2376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DA_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT /811/TR/7"/HF/3K/SOT-23/TRA/SOT/GPT-13TN/GPT13-QI02/PJ/// | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DA_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.25 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT /811D/TR/7"/HF/1K/SOT-89/TRA/SOT/GPT-14TVN//PJ/SOT89-AS06/PBHV8110Dx-ASW5/SOT89-AS01 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: SOT-89, TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH-AU_R1_000A1 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 1.4W; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 1A Case: SOT89 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Power dissipation: 1.4W Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: SOT-89, TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DH_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-89 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.4 W | на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DH_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DW-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.6 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DW-AU_R2_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DW-AU_R2_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.6 W | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DW_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.6 W | на замовлення 520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8110DW_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor | на замовлення 1288 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DW_R2_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 100V 1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8110DW_R2_00701 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 1A; 2.6W; SOT223 Mounting: SMD Type of transistor: NPN Case: SOT223 Collector current: 1A Power dissipation: 2.6W Collector-emitter voltage: 100V Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PBHV8115T T/R | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 704952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NXP | NPN 1A 150V SOT-23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 30MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 737500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB | на замовлення 1409452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 250hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 150V Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 1A Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV8115T-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 1A; 300mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 10...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 30MHz Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115T-QR - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115T215 | NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL BIPOLA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLH-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLH-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 150V 1A NPN HI VOLT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLH-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 300 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLH215 | NXP Semiconductors | Description: NEXPERIA PBHV8115X - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV8115TLH/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 60mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | Nexperia | Trans GP BJT NPN 150V 1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 11609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115TLHR | NXP Semiconductors | PBHV8115TLHR | на замовлення 9300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115X | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150 Verlustleistung: 1.5 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 1 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-89 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 Код товару: 223137
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PBHV8115X,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBHV8115X/SOT89/MPT3 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 150V 1A 1500mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBHV8115X,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 150 V, 1 A, 1.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10 DC-Stromverstärkung hFE: 10 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-89 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 520 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT89 150V 1A NPN BISS TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X-QX | Nexperia | 150V, 1A NPN High Voltage Low VCEsat Transistor Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115X-QX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 150V 1A SOT-89 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: SOT-89 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 520 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115Z | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115Z | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PBHV8115Z T/R | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBHV8115Z T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BISS TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

