Продукція > RFP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RFP12P10 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP12P10H1 | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP1398 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP13N10 | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP1404 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP1408 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP14N05 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05 | onsemi | MOSFETs TO-220AB N-Ch Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP14N05L | Fairchild/ON Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C), логический уровень перекл-я.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05L | Harris | (MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP14N05L | HAR | 2001 TO-220 | на замовлення 5610 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N05P2 | Harris Corporation | Description: 14A, 50V, 0.1OHM, N-CHANNEL, MOS Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP14N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP150-50 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP1562-20 | POWER | 05+ | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15N05 | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP15N05L | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 20443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N05L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15N05L | FAIRCHILD | RFP15N05L | на замовлення 4393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N05L | на замовлення 4675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP15N05L | Harris Corporation | Description: MOSFET N-CH 50V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N05L | HARRIS | RFP15N05L | на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N05L | FAIRCHILD | RFP15N05L | на замовлення 28050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N05L Код товару: 135597
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| RFP15N05L119 | Harris Corporation | Description: 15A, 50V, 0.14OHM, N-CHANNEL, MO Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15N05L_NL | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 15A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15N06 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V | на замовлення 27099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N08L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 7.5A, 5V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V | на замовлення 49688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N12 | HARRIS | RFP15N12 | на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N12 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 10952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N12 | HARRIS | RFP15N12 | на замовлення 6744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15N15 | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15P05 | на замовлення 1899 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP15P05 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3 Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15P05 | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-251AA P-Ch Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP15P05 Код товару: 23822
Додати до обраних
Обраний товар
| Intersil | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, V: 50 V Струм стоку Id, A: 15 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,15 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 1150/150 Монтаж: THT | у наявності: 25 шт
|
| ||||||||
| RFP15P05 | Harris Corporation | Description: MOSFET P-CH 50V 15A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 88449 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP15P06 | на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP17N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 17A, 5V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 30 V | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP18N08 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 4075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP18N10 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2-10-10-A5 | RICHCO | Category: Ferrites for cables Description: Ferrite: two-piece; 27Ω; A: 16.5mm; B: 2mm; C: 10.25mm; D: 12.5mm Type of ferrite: two-piece Ferrite application: for fast digital data transmision; for flat cable A dimension: 16.5mm B dimension: 2mm C dimension: 10.25mm D dimension: 12.5mm Core material: ferromagnetic A5 E dimension: 0.6mm Impedance at 100MHz: 69Ω Impedance at 25MHz: 27Ω | на замовлення 239 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2-25-12-A5 | RICHCO | Category: Ferrites for cables Description: Ferrite: two-piece; 36Ω; A: 37.1mm; B: 3.3mm; C: 12.7mm; D: 32mm Type of ferrite: two-piece Ferrite application: for fast digital data transmision; for flat cable A dimension: 37.1mm B dimension: 3.3mm C dimension: 12.7mm D dimension: 32mm Core material: ferromagnetic A5 E dimension: 0.9mm Impedance at 100MHz: 106Ω Impedance at 25MHz: 36Ω | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP20-50TP | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP20-50TPR | на замовлення 80 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP201-401--90-800-204 | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP20N06 | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP20N10 | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP22N10 | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-Ch Power MOSFET 100V/22a/0.080 Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP22N10 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 22A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP22N10 | FAIRCHILD | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| RFP23N06LE | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP250-100 | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP250-100RM | на замовлення 227 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP250-50CT | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP250-50TC | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP250H50 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP25N05 | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP25N05L | на замовлення 942 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP25N05L Код товару: 47704
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| RFP25N05L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP25N06 | на замовлення 38592 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP25N06L | HARRIS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP25N06L | HARRIS | RFP25N06L | на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP25N06L | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 12.5A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N08 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 3360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N08 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N08L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N08L | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP2N08L-07 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N10 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N10 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N10L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N10L | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP2N10L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 2A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP2N12 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N12 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N12L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N15 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N15 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 2411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N20 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N20 | Harris Corporation | Description: N-CHANNEL, MOSFET Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 1552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2N20L | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2N20L | onsemi / Fairchild | MOSFET TO-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP2P08 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 3542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2P08 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2P10 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RFP2P10 | Harris Corporation | Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | на замовлення 11516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| RFP2P10 | Harris | (MOSFET,P-CH,100V,2A,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP300 | Brady Corporation | Description: (RFP) RFP300, PAD, 15"X19" MED, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP3006 | B&K Precision | RF Test Equipment 6 GHz RF Power Sensor, Real-Time | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP3006 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3006 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 6GHz, -60dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 6GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -60dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP3006 | B&K Precision | Description: RF SENSOR RFM3000 SERIES Part Status: Active Tool Type: RF Sensor For Use With/Related Products: RFM3000 Series Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP3008 | B&K Precision | RF Test Equipment 8 GHz RF Power Sensor, Real-Time | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| RFP3008 | B&K PRECISION | Description: B&K PRECISION - RFP3008 - HF-Leistungssensor, 50MHz bis 8GHz, -60dBm bis +20dBm, 100000 Messwerte/s, N-Stecker, RFP3000 Prüffrequenz: 50MHz bis 8GHz Messgeschwindigkeit: 100000 Messwerte/s Leistungsmessbereich: -60dBm bis +20dBm HF-Steckverbinder: N-Stecker Produktpalette: RFP3000 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

