Продукція > SPW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SPW24N60CFD | INFINEON | 10+ SOT23-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 21.7A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 15.4A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.2mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 21.7A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW2DN60C3 | на замовлення 8322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW2F01SA11 | Texas Instruments | WiFi Module; 802.11b/g/n; 2,4GHz; 3V~3,6V; 150Mbps; -40°C~85°C; 54 Mbps; -40°C~85°C; GPIO/UART/SPI/I2C; 26,92x15,24x2,35mm; 1,5MB Flash; 64kB SRAM; SPWF01SA11 STM RF SPWF01SA11 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW300A | SUNPLUS | 0641+ | на замовлення 485 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3 | Infineon | N-Channel MOSFET; 560V; 20V; 270mOhm; 32A; 284W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SPW32N50C3FKSA1; SPW32N50C3 TSPW32n50c3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW32N50C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 32A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3 Код товару: 56836
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, V: 560 V Струм стоку Idd, A: 32 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,11 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4200/170 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 Код товару: 131640
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW32N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 560V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 9396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3 Код товару: 48611
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 34,6 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,1 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4500/150 Монтаж: THT | у наявності: 22 шт
|
| ||||||||||||
| SPW35N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21.9A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21.9A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3 | Infineon Technologies | Description: SPW35N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60C3 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60C3.24N60C3 | на замовлення 2960 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 34.6A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 34.6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFD | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21.6A; 313W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21.6A Power dissipation: 313W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW35N60CFDFKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34.1 A, 0.118 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.118ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 34.1A; 313W; TO247-3; 180ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 600V Drain current: 34.1A Power dissipation: 313W Case: TO247-3 Gate-source voltage: 20V On-state resistance: 0.118Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 212nC Reverse recovery time: 180ns | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 34.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 118mOhm @ 21.6A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5060 pF @ 25 V | на замовлення 1139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon | на замовлення 180 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 34.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 140 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW35N60CFDFKSA1 SPW35N60CFD | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW40N60C3 | на замовлення 6030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW45N65C3 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N60 | на замовлення 3555 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N602 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N60C | INFINE | 08+ SOP | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C2 | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW47N60C3 | Infineon | N-MOSFET 47A 600V 415W 0.07Ω repl:STW45NM60 SPW47N60C3 TSPW47N60C3 кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 47A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 268 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Id = 47 A, Ptot, Вт = 41,5, Udss, В = 650, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6800 пФ @ 25 В, Qg, нКл = 320 @ 10 В, Rds = 70 мОм @ 30 A, 10, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3,9 В @ 2,7 мА,... Транзистори Корпус: TO-247 Од. вим: шт кількість в упаковці: 240 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3 Код товару: 43153
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, V: 650 V Струм стоку Idd, A: 47 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT | у наявності: 96 шт
|
| ||||||||||||
| SPW47N60C3 : SPW47N60C3FKSA1 SPW47N60C3 | Infineon | MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V | на замовлення 11779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW47N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.07 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 415W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3FKSA1 | Infineon | MOSFET N-кан, 650 В, 47 А, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60C3XK | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW47N60CFD | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 Код товару: 104224
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60CFDFKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N60S3 | на замовлення 4543 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N60S5 | на замовлення 23000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N65C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3 | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N65C3 | на замовлення 240 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW47N65C3 Код товару: 201189
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - SPW47N65C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 47 A, 0.06 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 415W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: CoolMOS C3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 30A Power dissipation: 415W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 415W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs HIGH POWER_LEGACY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW47N65C3FKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 650V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| SPW47T60C3 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SPW52N50C3 | Infineon | MOSFET 560В 52А 0,07Oм TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW52N50C3 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 560V 52A TO247-3 CoolMOS C3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SPW52N50C3 | INF | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW52N50C3 Код товару: 43705
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8542319000 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| SPW52N50C3FKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 560V 52A TO247-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA Power Dissipation (Max): 417W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

