Продукція > SQ3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ3495EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+52.00 грн
100+34.15 грн
500+24.87 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+44.00 грн
50+32.49 грн
100+26.97 грн
500+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3585EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.57 A, 2.5 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.57A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.265ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3585EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3585EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.57 A, 2.5 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3985EV-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 10474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3985EV-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P Ch -20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 110303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3985EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3985EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 3.9 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.24ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3985EV-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.9A; 3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.9A
Power dissipation: 3W
Case: TSOP6
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3VishayDUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.08 грн
100+31.49 грн
500+22.85 грн
1000+20.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3VishayTRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.87 грн
6000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 34441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C M
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 400mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.67W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3989EV-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs Dual P-Channel 30V TSOP-6
на замовлення 169417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02457D6JFA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600B-2JBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600B2
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600B2INE
на замовлення 634 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600B2JBA
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2HBA
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2JBA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2JBAPb
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2JBAPb10PF10PPM
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600C2JBAPb26MHZ10PF10PPM
на замовлення 15121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600L2LNAQFN??
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3D02600LZLNAEPCOSQFN??
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3O00800DICNC-PMCSAMSUNGN/A
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02457D6
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02457D6JFASAMSUNG08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02457D6JFA12PF30PPM
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02457D6JFA24.576MHZ12PF30PPM
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02600C3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3U02600C3HCA
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.