Продукція > STT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STT3PF20V$Y1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT3PF30L | ST | 2007 SOT23-6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT3PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT3PF30L | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT3PF30L | STM | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT432S | на замовлення 31 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT4357 | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT4600BCV | N/A | на замовлення 69 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STT49GK08 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT49GK12 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT49GK14 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT49GK16 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT49GK18 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4NF30L | на замовлення 363 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa | на замовлення 7041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V | на замовлення 17240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT4P3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET H6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm | на замовлення 3316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT4PF20V | STMicroelectronics | MOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4PF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4PF20V | ST | 04+ | на замовлення 1938 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT4PF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5000N14P110XPSA1 | Infineon Technologies | Description: THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M Voltage - Off State: 1.4 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 4780 A Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5000N14P110XPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - STT5000N14P110XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, antiparallel, SCR, 1.4kV, 38kA tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - RMS-Durchlassstrom: - euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.4kV SCR-Modul: SCR, antiparallel Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 250mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5000N14P110XPSA1 | Infineon Technologies | Thyristor Surge Protection Devices - TSPD THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5000N18P110XPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - STT5000N18P110XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, antiparallel, SCR, 1.8kV, 38kA tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - RMS-Durchlassstrom: - euEccn: NLR Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV SCR-Modul: SCR, antiparallel Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 250mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5000N18P110XPSA1 | Infineon Technologies | Thyristor Surge Protection Devices - TSPD THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5000N18P110XPSA1 | Infineon Technologies | Description: THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M Voltage - Off State: 1.8 kV Current - On State (It (RMS)) (Max): 4780 A Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT500GK08 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 133 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT500GK12 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT500GK14 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT500GK16 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT500GK16PT | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT500GK18 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 103 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5100N18P110XPSA1 | Infineon Technologies | Thyristor Modules THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5512AWE | ST | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STT5512SWE | ST | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V SOT23-6 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V | на замовлення 10626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm | на замовлення 1084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 20V 0.025 Ohm 5 A STripFET(TM) V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5N2VH5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 20V SOT23-6 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT5NF20V | STM | n-ch 20V 5A (SOT-23-6l) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5NF20V | на замовлення 2773 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT5NF20VSF | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT5PF20U | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT5PF20V | STMicroelectronics | MOSFET P-Ch, 20V-0.065ohms 5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5PF20V | STM | P-CH 20V 5A (SOT-23-6l) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT5PF20V | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT60GK08 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT60GK12 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT60GK14 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 371 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT60GK16 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT60GK18 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 369 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT6405 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT6601 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT6603 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6149 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 Код товару: 155989
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET VI DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm | на замовлення 2483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT6N3LLH6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI | на замовлення 9059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT70GK08 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 370 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK12 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK14 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK16 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 312 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK18 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK20 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 357 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK22 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 312 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT70GK24 | SIRECTIFIER | 05+ | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT7P2UH7 | STMicroelectronics | Description: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT7P2UH7 | STMicroelectronics | MOSFET P-channel 20 V, 0.0195 Ohm typ., 7 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55 | Infineon Technologies | SCR Modules THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55XPSA1 | Infineon Technologies | SCR Modules THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55XPSA1 | Infineon Technologies | Thyristor SCR Module 1.6kV 6.3kA 2-Pin Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55XPSA1 | Infineon Technologies | Description: SCR MODULE 1.6KV MODULE Voltage - Off State: 1.6 kV Part Status: Active Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Operating Temperature: 125°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55XPSA2 | Infineon Technologies | Thyristor Modules THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N16P55XPSA2 | Infineon Technologies | Description: THYR / DIODE MODULE DK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Voltage - Off State: 1.6 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N18P55XPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - STT800N18P55XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, in Reihe geschaltet - SCR, 1.8kV, 6.3kA tariffCode: 85413000 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR RMS-Durchlassstrom: - Zündspannung, max.: 2V Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV SCR-Modul: Reihenschaltung - SCR / Diode Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Zündstrom, max.: 200mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Thyristormontage: Platte Bauform - Thyristor: Modul Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT800N18P55XPSA1 | Infineon Technologies | Description: THYR / DIODE MODULE DK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 60Hz Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Voltage - Off State: 1.8 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N18P55XPSA1 | Infineon Technologies | SCR Modules THYR / DIODE MODULE DK | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT800N18P55XPSA2 | Infineon Technologies | Thyristor Modules THYR / DIODE MODULE DK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT800N18P55XPSA2 | Infineon Technologies | Description: THYR / DIODE MODULE DK Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: 125°C (TJ) Structure: 1-Phase Controller - All SCRs Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V Voltage - Off State: 1.8 kV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT818A | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT818A | ST | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STT818B | STM | PNP Hfe=100 30 В 3 A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STT818B | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-23-6L Power - Max: 1.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6L DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT818B | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Lo-Volt Hi-Gain | на замовлення 1933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT818B | ST | PNP 3A 30V 1.2W STT818B TSTT818b кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT818B | STMicroelectronics | Description: TRANS PNP 30V 3A SOT-23-6L Power - Max: 1.2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-6L DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STT8205S Код товару: 117613
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

