Продукція > STT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STT3962N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3981
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3998N
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT3P2UH7STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6
на замовлення 3663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20L
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch 20 Volt 2.2 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20V$YST09+
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF20V$Y1
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF30LST2007 SOT23-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF30LSTMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT3PF30LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT432S
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4357
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4600BCVN/A
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT49GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT49GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT49GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT49GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT49GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4NF30L
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L packa
на замовлення 23581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STT4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET H6
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.50 грн
6000+12.83 грн
9000+12.25 грн
15000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
на замовлення 17240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.31 грн
100+23.51 грн
500+16.89 грн
1000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20VST04+
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch 20 Volt 3 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT4PF20VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N14P110XPSA1Infineon TechnologiesThyristor Surge Protection Devices - TSPD THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N14P110XPSA1Infineon TechnologiesDescription: THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M
Voltage - Off State: 1.4 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4780 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: 1-Phase Controller - All SCRs
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N14P110XPSA1INFINEONDescription: INFINEON - STT5000N14P110XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, antiparallel, SCR, 1.4kV, 38kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
RMS-Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.4kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.4kV
SCR-Modul: SCR, antiparallel
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N18P110XPSA1INFINEONDescription: INFINEON - STT5000N18P110XPSA1 - Thyristor-Diodenmodul, antiparallel, SCR, 1.8kV, 38kA
tariffCode: 85413000
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
RMS-Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Zündspannung, max.: 2V
Periodische Spitzen-Sperrspannung: 1.8kV
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.8kV
SCR-Modul: SCR, antiparallel
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Zündstrom, max.: 250mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Thyristormontage: Platte
Bauform - Thyristor: Modul
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N18P110XPSA1Infineon TechnologiesThyristor Surge Protection Devices - TSPD THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5000N18P110XPSA1Infineon TechnologiesDescription: THYRISTOR/THYRISTORMODULES 110 M
Voltage - Off State: 1.8 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4780 A
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 44000A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 250 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: 1-Phase Controller - All SCRs
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 115 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK16PT
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT500GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5100N18P110XPSA1Infineon TechnologiesThyristor Modules THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5512AWEST
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5512SWEST
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 20V 0.025 Ohm 5 A STripFET(TM) V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.24 грн
6000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V SOT23-6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 367 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 2A, 4.5V
на замовлення 10626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.85 грн
100+23.17 грн
500+16.62 грн
1000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 5A 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5N2VH5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STT5N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.025 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT5NF20V
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5NF20VSTMn-ch 20V 5A (SOT-23-6l) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5NF20VSF
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5PF20U
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT5PF20VSTMP-CH 20V 5A (SOT-23-6l) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5PF20VSTMicroelectronicsMOSFET P-Ch, 20V-0.065ohms 5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT5PF20VSTMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 5A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 2.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 412 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT60GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT60GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT60GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT60GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT60GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT6405
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT6601
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT6603
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
на замовлення 7358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.63 грн
50+23.13 грн
100+19.12 грн
500+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 198 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6
Код товару: 155989
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.73 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.41 грн
9000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+9.90 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STT6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: STripFET VI DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT6N3LLH6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.75A; Idm: 24A; 1.6W; SOT23-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.75A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK08SIRECTIFIER05+
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK12SIRECTIFIER05+
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK14SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK16SIRECTIFIER05+
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK18SIRECTIFIER05+
на замовлення 366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK20SIRECTIFIER05+
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK22SIRECTIFIER05+
на замовлення 312 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT70GK24SIRECTIFIER05+
на замовлення 330 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STT7P2UH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 20V 7A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 3.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STT7P2UH7STMicroelectronicsMOSFET P-channel 20 V, 0.0195 Ohm typ., 7 A STripFET H7 Power MOSFET in a SOT23-6L package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N16P55Infineon TechnologiesSCR Modules THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N16P55XPSA1Infineon TechnologiesSCR Modules THYR / DIODE MODULE DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N16P55XPSA1Infineon TechnologiesDescription: SCR MODULE 1.6KV MODULE
Voltage - Off State: 1.6 kV
Part Status: Active
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Number of SCRs, Diodes: 2 SCRs
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 6300A @ 50Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 300 mA
Structure: 1-Phase Controller - All SCRs
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STT800N16P55XPSA1Infineon TechnologiesThyristor SCR Module 1.6kV 6.3kA 2-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.