Продукція > TK1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK10652 | на замовлення 672 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10652LTR | TOKO | 96 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10652MT1 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10652MTL | TOKO | SOP20 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10652MTR | TOKO | 0 | на замовлення 1217 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10658D | на замовлення 4550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10659 | на замовлення 1026 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10659MRCL10659 | на замовлення 1969 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10659MTL | TOKO | 2002 | на замовлення 789 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10681 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10681MTR | на замовлення 930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10682M-X | на замовлення 947 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10682MTL | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10682MTR | на замовлення 678 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10690MTL | TOKO | 2004 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10690MTL-G | TOKO | на замовлення 820 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10691MTL-G | TOKO | на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10760 | TOKO | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10762 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10845MTL | TOKO | 95 SOP | на замовлення 309 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10910L | TOKO | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10930VTL | TOKO | 1998 | на замовлення 731 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10930VTL Код товару: 185372
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10A50D | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs N-Ch MOS 10A 500V 45W 1050pF 0.72 | на замовлення 253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A50D(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A50W,S5X | Toshiba | MOSFETs TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A50W,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A50W,S5X | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 500V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A55D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFETs N-Ch 500V VDSS 700V 45W 1200pF 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220SIS Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10A60D (Q,M) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(LS1CN,A,Q | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(LS1SDI,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(LS1SO,Q,M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(LS1SO6,AQ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(LS1SP6,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(MURATA,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(Q) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(Q,M) | Toshiba | MOSFETs HVMOS SIS PLN,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(QM) | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4LIT,XM) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4PI,Q,M) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4SA6,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4SAN6,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4SHR6,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4TET,X,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(S4TET6,XM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(STA4,A,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D(STA4,Q,M) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-ch 600V 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D,S5MU6Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D,S5Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D,S5SA6Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D,S5SAN6Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D,S5SANKQ(J | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D5 | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D5 | на замовлення 336696 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| TK10A60D5(Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D5(Q,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60D5(S4PHI,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(Q,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(S4TEV,QM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(S4TEV,XM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(S4TEV,XS | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(S5TEV,AX | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(STA4,A,Q | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(STA4,Q,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(STA4,X | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(STA4,X,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR(STA4X | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR,S4X(S | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DR,S5X(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60DSTA4,X,M | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60E,S4X | Toshiba | MOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60E,S5X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60E,S5X | Toshiba | MOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba | MOSFETs N-Ch 600V 9.7A 30W DTMOSIV 700pF 20nC | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 300 V | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 327mΩ Drain current: 9.7A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 30W Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Case: SC67 Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 850 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK10A60W,S4VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.327 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 30W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.327ohm | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX(M | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30.8A; Idm: 123A; 45W; TO220FP Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 86nC On-state resistance: 88mΩ Drain current: 30.8A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 45W Pulsed drain current: 123A Drain-source voltage: 600V Kind of package: tube Case: TO220FP Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4VX(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W,S4X | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W5,S5VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W5,S5VX | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.9A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220SIS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 300 V | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A60W5,S5VX | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W5,S5VX | Toshiba | MOSFETs Power MOSFET N-Channel | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.7A; 30W; SC67 Mounting: THT Case: SC67 Polarisation: unipolar Drain current: 9.7A Drain-source voltage: 600V Gate-source voltage: ±30V Gate charge: 25nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 30W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 713 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||
| TK10A60W5,S5VX(M | Toshiba | Trans MOSFET N-CH 600V 9.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| TK10A60W5,S5VX(M | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK10A60W5,S5VX(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9.7 A, 0.35 ohm, TO-220SIS, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220SIS Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

