Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
WMS7171050SNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 50K 100TAPS 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7171100MNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7171100PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-DIP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7171100SNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DGTL 100K 100TAPS 8-SOIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7201050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITAL 50K 1CH SPI 8DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7202010PNuvoton Technology CorporationDescription: IC DGTL POT 10KOHM 256TAP 14DIP
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 2
Temperature Coefficient (Typ): 500ppm/°C
Resistance - Wiper (Ohms) (Typ): 80
Supplier Device Package: 14-PDIP
Taper: Linear
Voltage - Supply: 2.7V ~ 5.5V
Number of Taps: 256
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Configuration: Potentiometer
Interface: SPI
Memory Type: Non-Volatile
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 14-DIP (0.300", 7.62mm)
Features: Cascade Pin
Tolerance: ±20%
Resistance (Ohms): 10k
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7202050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITAL 50K 2CH SPI 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7202100PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC POT DIGITL 100K 2CH SPI 14DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7202100T
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WMS7204050PNuvoton Technology Corporation of AmericaDescription: IC DGTL POT 50KOHM 256TAP 20DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC004H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC004H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6TWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2P6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7783.36 грн
5+7185.76 грн
10+6468.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC006H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC006H12B2S6TWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WMSC006H12B2S6T - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 200 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, WeEnPACK-B2
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: WeEnPACK-B2
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7532.08 грн
5+6981.19 грн
10+6338.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 153A; Press-in PCB; 244W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 153A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 8mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 244W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC008H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC008H12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC008H12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC010H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC010H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC010H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 107A; Press-in PCB; 152W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 107A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 210A
Power dissipation: 152W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC011F12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC011F12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC016F12B2P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC016F12B2P/WeEnPACK-B2/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC016H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 85A; Press-in PCB; Idm: 170A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 85A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 16mΩ
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 146W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC020B12B1P-B6TWeEn Semiconductors WMSC020B12B1P-B/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC020B12B1P-C6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020B12B1P-C/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC020F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC020H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 70A; Press-in PCB; Idm: 140A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 70A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 118W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC020H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC020H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC030B12B1P-F6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030B12B1P-F/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC030F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC030H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 53A; Press-in PCB; Idm: 100A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 53A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 111W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC030H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC030H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040B12B1P-C6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040B12B1P-C/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040B12B1P-D6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040B12B1P-D/WeEnPACK-B1,WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040F12B1P-B6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040F12B1P-B/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040H12B1P6TWeEn SemiconductorsCategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 45A; Press-in PCB; Idm: 90A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Topology: MOSFET half-bridge; NTC thermistor
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 105W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -4...18V
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040H12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFET Modules WMSC040H12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSC040S12B1P6TWeEn SemiconductorsMOSFETs WMSC040S12B1P/WeEnPACK-B1/STANDARD MARKING*TRAY PACK,EPE OR BLISTER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WMSL-A-90ABB Installation ProductsWire Labels & Markers WMC VIN 6EA 0-15 4EA 16-90 2EA A-Z
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSRC1PanduitWire Ducting Wire Mgmt Relief Clip
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSRC1Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT RELIEF CLIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSRC2PanduitWire Ducting WIRE MGMT STRAIN RELIEF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WMSRC2Panduit CorpDescription: WIRE MANAGEMENT STRAIN RELIEF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3