Продукція > DMC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 830000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N & P Enh FET Low RDSon 22.2pF | на замовлення 11527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 833159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 16582 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 490303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B Код товару: 182453
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | на замовлення 460000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.22A SOT963 Power - Max: 350mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-963 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.38nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22.6pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220mA, 200mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.22A/0.2A 6-Pin SOT-963 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC31D5UDJ-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC31D5UDJ-7B - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 1.5 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 6260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3350LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3350LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3350LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3350LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3350LDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3350LDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3350LDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3350LDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3356 | onsemi | Switching Controllers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 650mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 36085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 480000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 26690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC | на замовлення 11569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 310mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 102383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1629 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A Power dissipation: 0.39W Case: SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4/0.9Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 1409 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 310mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 310mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 310mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 153919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 594000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3400SDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 1214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1214 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 156625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 14725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 290mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 287343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 6160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 2628000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363 Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 290mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 285000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3401LDW-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 390mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 35669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 390mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.291 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.291ohm Verlustleistung, p-Kanal: 390mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: X2-DFN1310 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.291ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 390mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UFL3-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-13 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-13 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode | на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 186000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3730UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 188254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3732UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 1.1A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 540mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 540mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVT-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-13 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 540mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 540mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC3732UVTQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC40 | DMC Tools | Daniels Manufacturing Corporation DMC FALCON 10,100,20,200,50 & 900 TOOL KIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC4001-002 | 09+ | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMC4001002 | DAEWOO | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMC4015SSD | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 9.5/-12.2A On-state resistance: 0.015/0.029Ω Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 1494 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC4015SSD-13 TDMC4015ssd кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss | на замовлення 3053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 21301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

