Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC3350LDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 38.4pF @ 15V, 19pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta), 600mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1nC @ 10V, 800pC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3350LDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT363 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3356onsemiSwitching Controllers
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 650mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 310mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 102383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
21+14.79 грн
100+9.26 грн
500+6.45 грн
1000+4.82 грн
2000+4.63 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.91 грн
20000+3.44 грн
30000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
на замовлення 11569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.05 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
Power dissipation: 0.39W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 929 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.26 грн
37+11.57 грн
42+10.15 грн
100+6.42 грн
500+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6025+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 6025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 153919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.27 грн
100+8.94 грн
500+6.22 грн
1000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V Comp Pair Enh 20Vgs 55pF 0.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3555+3.98 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3555 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3400SDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 310mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 310mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 594000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.98 грн
9000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.65A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA, 450mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 310mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.35 грн
6000+3.79 грн
9000+3.58 грн
15000+3.14 грн
21000+3.01 грн
30000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3400SDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.65A/0.45A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3497+4.05 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.24 грн
15000+4.21 грн
21000+4.16 грн
24000+3.93 грн
30000+3.60 грн
75000+3.37 грн
150000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 2628000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3093+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 3093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+4.24 грн
15000+4.21 грн
21000+4.16 грн
24000+3.93 грн
30000+3.60 грн
75000+3.37 грн
150000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 290mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT363 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 15V, 19pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 590mA, 10V, 900mOhm @ 420mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 10V, 800pC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA, 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3401LDW-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 25983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.10 грн
25+19.17 грн
50+15.68 грн
100+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 1.1A/0.7A 6-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30V; 1.1A; 810mW; X2-DFN1310-6
Gate charge: 0.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: X2-DFN1310-6
On-state resistance: 291mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.81W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3730UFL3-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 1.1 A, 1.1 A, 0.46 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: X2-DFN1310
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.46ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UFL3-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: X2-DFN1310-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65.9pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A, 700mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 390mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.61 грн
9000+7.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.10 грн
20000+5.41 грн
30000+5.17 грн
50000+4.60 грн
70000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-13Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 188254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.85 грн
100+12.57 грн
500+8.85 грн
1000+7.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 25V Complimentary Pair Enhancemnt Mode
на замовлення 4931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3730UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 25V 0.68A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 680mA (Ta), 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V, 63pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 4.5V, 1.1Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.64nC @ 4.5V, 1.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.17 грн
6000+6.28 грн
9000+5.95 грн
15000+5.25 грн
21000+5.05 грн
30000+4.85 грн
75000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 1.1A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 540mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVT-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 540mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 540mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 25V30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 540mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40.8pF @ 25V, 54pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V, 1Ohm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, 1.6nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.32 грн
6000+6.44 грн
9000+6.13 грн
15000+5.44 грн
21000+5.25 грн
30000+5.07 грн
75000+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3732UVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC40DMC ToolsDaniels Manufacturing Corporation DMC FALCON 10,100,20,200,50 & 900 TOOL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4001-00209+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4001002DAEWOO
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.88 грн
7500+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Drain current: 9.5/-12.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.99 грн
10+65.92 грн
100+44.45 грн
250+38.66 грн
500+35.14 грн
1000+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp Pair Enh FET 40Vdss 20Vgss
на замовлення 3053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 13479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.04 грн
25+66.00 грн
50+54.88 грн
100+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC4015SSD-13 TDMC4015ssd
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+31.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4015SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 32263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.23 грн
100+39.94 грн
500+29.29 грн
1000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 40V Comp Dual ENH Low On-Resistance
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4028SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.33 грн
5000+23.47 грн
7500+22.51 грн
12500+20.12 грн
17500+19.52 грн
25000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4028SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.028 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.028ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.5/-4.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; automotive industry
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.2A/5.2A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.4A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V, 674pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4028SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.7/-4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252-4
On-state resistance: 0.032/0.055Ω
на замовлення 81 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+69.54 грн
10+47.55 грн
50+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]