Продукція > MMU
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MMUN2112LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 49470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 22kΩ Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 22kΩ Case: SOT23; TO236AB Collector current: 0.1A Mounting: SMD | на замовлення 3345 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 82517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 8395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2112LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 16753 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | ON Semicondu | 2000 | на замовлення 1415 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 44640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G Код товару: 66812
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 627000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | On Semiconductor | Цифровой транзистор PNP R1=47кОм, R2=47кОм, SOT-23-3 (SC-59) (SMD) Транзистори | на замовлення 425 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 34190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2113LT1G TMMUN2113 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 80...140 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 1770 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 26440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2113LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 714500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3 | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 7370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Base resistor: 47kΩ Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Type of transistor: PNP Current gain: 80...140 Kind of package: reel; tape Base-emitter resistor: 47kΩ Case: SOT23; TO236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2113LT3G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V | на замовлення 5867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1 - TRANSISTOR, DIGITAL SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 | на замовлення 1712 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 38645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 404 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V | на замовлення 38645 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G Код товару: 152085
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 46012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V SOT23 | на замовлення 18439 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 80...140 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2114LT3G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2114LTU1G | на замовлення 104595 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2114RLT1 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1 | на замовлення 6220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1 | onsemi | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SOT23 BR XSTR PNP 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 6084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON-Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2115LT1G TMMUN2115 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 34435 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 44600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2115RLT1 | на замовлення 1647 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2116 | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1 | onsemi | Description: TRANS BRT PNP 50V SOT-23 Packaging: Bulk | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - MMUN2116LT1 - MMUN2116LT1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1 | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1(A6F) | на замовлення 753000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 57487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 43984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | onsemi | Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP | на замовлення 12466 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistors Included: R1 Only | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 43984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 19800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2116LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN211RLT1 | на замовлення 2270 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1 | ON Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | onsemi | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms | на замовлення 29673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| MMUN2130LT1G | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

