Продукція > PBS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSS4630PA,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS4630PA/SOT1061/HUSON3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4630PA,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 6A 2100mW 3-Pin HUSON T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4630PA115 | Nexperia USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA PBSS4630PA SMALL SI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4640 | PHILIPS | SOT-163 04+ | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS4640D | PHILIPS | 06+ SOT-163 | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5112PAP/SOT1118/HUSON6 | на замовлення 3771 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 14792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5112PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 120 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 2W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 15hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 120V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON Packaging: Bulk Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 510mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 480mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 190 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 22680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 7888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5112PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 120V 1A 2000mW Automotive AEC-Q101 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T | Yangjie Electronic Technology | PBSS5120T | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T | NXP | PNP 1A 20V 480mW 100MHz PBSS5120T TPBSS5120t кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 20V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 20V Current gain: 200...450 Frequency: 100MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 1195 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 1A TO-236AB Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V | на замовлення 15003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5120T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 47 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 20V 1A TO-236AB Qualification: AEC-Q100 Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 20V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 11720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5120T-Q/SOT23/TO -236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5120T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5120T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130PAP,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 30 V, 1 A tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 2W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1A Übergangsfrequenz, PNP: 125MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 120hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-1118 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 30V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 2000mW 6-Pin HUSON EP T/R | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 30V 1A 6HUSON Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive Part Status: Active Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Current - Collector (Ic) (Max): 1A Power - Max: 510mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130PAP,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130PAP-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130PAP-Q/SOT1118/HUSON6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 370mW Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: 6-HUSON (2x2) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130PAP-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT1118 30V 1A PNP/PNP BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QA | NXP Semiconductors | Description: TRANS PNP 30V 1A 3DFN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QA,147 | NXP USA Inc. | Description: PBSS5130QA - 30 V, 1 A PNP LOW V Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 Frequency - Transition: 170MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT 30 V, 1A PNP low VCE sat (BISS) transi | на замовлення 9900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 53705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 325 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130QAZ | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 1000mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T | Yangjie Electronic Technology | PBSS5130T | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 30V Current gain: 210...450 Frequency: 200MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 21 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 480 mW Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PBSS5130T/SOT23/TO-236AB | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 30V 1A TO-236AB Power - Max: 480 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 260 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 225mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q100 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 30V 1A 480mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5130T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5130T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5130T-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PBSS5130T-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: TO-236AB | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5140 | на замовлення 120000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PBSS5140D | PHILIPS | SOT-163 | на замовлення 111000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140D/51t | на замовлення 24100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PBSS5140S,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 1A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 830 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T | NXP | TRANS PNP 40V 1A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T Код товару: 25784
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 Гранична частота fT, MHz: 150 MHz Напруга Uке, V: 40 V Напруга Uкб, V: 40 V Струм Iк, A: 1 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 800 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||
| PBSS5140T T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT PNP 40V 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T T/R | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | NXP | TRANS PNP 40V 1A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 1A 450mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 450 mW Qualification: AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PBSS5140T,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 40V 1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| PBSS5140T,215 Код товару: 149435
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| PBSS5140T,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 40V 1A 450mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| PBSS5140T,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 1A; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Collector current: 1A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 160...800 Frequency: 150MHz Kind of package: 7 inch reel; tape Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Case: SOT23; TO236AB | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

