Продукція > DMC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC4015SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4015SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.6 A, 8.6 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.029ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 9.5/-12.2A On-state resistance: 0.015/0.029Ω Power dissipation: 1.7W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 1494 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4015SSD-13 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.2A Automotive 8-Pin SO T/R DMC4015SSD-13 TDMC4015ssd кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 32263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4028SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.018 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V Comp Dual ENH Low On-Resistance | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A, 4.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.5A/4.8A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4028SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4028SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.018 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4028SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4028SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.2A/5.2A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4028SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.4A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta), 4A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 604pF @ 20V, 674pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 6A, 10V, 50mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V, 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active | на замовлення 1393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.7/-4.9A Power dissipation: 1.6W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.032/0.055Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-4L Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SK4-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W | на замовлення 1528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 Код товару: 107557
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Inc./Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4029SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W | на замовлення 5187 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Type of transistor: N/P-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 7.3/-7.5A On-state resistance: 0.04/0.045Ω Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | на замовлення 603 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET COMP NPN | на замовлення 4181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2429 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 17.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4040SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V | на замовлення 37734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.3W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Case: SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.3/-6.3A On-state resistance: 0.024/0.04Ω Power dissipation: 1.3W Gate-source voltage: ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4047LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC | на замовлення 6407 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N/P-MOSFET Case: SO8 Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 45/45mΩ Power dissipation: 1.8W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape | на замовлення 79 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R | на замовлення 177500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 8821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 1.8W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC4050SSDQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC42C1008-012 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C1008-15 | на замовлення 660 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C2008-104 | на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C3008-001 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C4008-002 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C4008-003 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42C4404-002 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC42P4008 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMC501010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm | на замовлення 2570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC501010R | PANASONIC | SOT353 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC501010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SMINI5-F3-B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SMini5-F3-B | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011 | DITOM Microwave INC. | 5.0 - 10.7GHz SMA Circulator | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMC5011 | DiTom Microwave | Description: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR Power - Average Forward: 30 W Isolation: 16dB VSWR: 1.4 Insertion Loss: 0.9dB Type: Circulator Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz Connector Type: SMA-FEMALE Package / Case: Module, SMA Connectors Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011 | DiTom | RF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011 | DITOM Microwave INC. | 5.0 - 10.7GHz SMA Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-1 | DiTom Microwave | Description: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR Power - Average Forward: 30 W Isolation: 16dB VSWR: 1.4 Insertion Loss: 0.9dB Type: Circulator Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz Connector Type: SMA-FEMALE Package / Case: Module, SMA Connectors Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-1 | DiTom | RF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-2 | DiTom Microwave | Description: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR Packaging: Bag Package / Case: Module, SMA Connectors Connector Type: SMA-FEMALE Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz Type: Circulator Insertion Loss: 0.9dB VSWR: 1.4 Isolation: 16dB Power - Average Forward: 30 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-2 | DiTom | RF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-3 | DiTom Microwave | Description: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR Power - Average Forward: 30 W Isolation: 16dB VSWR: 1.4 Insertion Loss: 0.9dB Type: Circulator Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz Connector Type: SMA-FEMALE Package / Case: Module, SMA Connectors Packaging: Bag | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-3 | DiTom | RF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-4 | DiTom | RF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC5011-4 | DiTom Microwave | Description: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR Packaging: Bag Package / Case: Module, SMA Connectors Connector Type: SMA-FEMALE Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz Type: Circulator Insertion Loss: 0.9dB VSWR: 1.4 Isolation: 16dB Power - Average Forward: 30 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

