Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SK4-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8.3 A, 8.3 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 8.3A/6.1A 5-Pin(4+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SK4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 8.3A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.89 грн
10+43.93 грн
100+28.67 грн
500+20.76 грн
1000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.10 грн
25+53.14 грн
50+44.04 грн
100+39.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.024 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.045ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.024ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13
Код товару: 107557
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.5/-9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
на замовлення 1528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+67.93 грн
25+57.21 грн
50+47.43 грн
100+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes Inc./ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs Comp ENH FET 40VDs 20Vgs 1.3W
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V, 1154pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 4.5V, 10.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4029SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.1A/7A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET COMP NPN
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.3/-7.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.045Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.02 грн
25+53.08 грн
50+44.02 грн
100+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7.5A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 17.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.78 грн
100+39.63 грн
500+29.05 грн
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4040SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 6.8 A, 6.8 A, 0.013 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4040SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.14W
Gate charge: 37.6/33.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5/-7.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Application: automotive industry
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25/25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.81 грн
5000+14.89 грн
7500+14.24 грн
12500+12.66 грн
17500+12.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 31V 40V 1.3W 1180pF 21.3nC
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Drain current: 6.3/-6.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A, 5.1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.1nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
на замовлення 37734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.36 грн
100+27.02 грн
500+19.56 грн
1000+17.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8/-5.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+20.75 грн
500+20.60 грн
1000+20.44 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.54 грн
5000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 177500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 1171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
682+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 682 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.56nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790.8pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.33 грн
10+42.95 грн
100+28.10 грн
500+20.37 грн
1000+18.44 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC4050SSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.14W
Gate charge: 37.56/33.66nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.8/-5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40/-40V
Kind of transistor: complementary pair
Type of transistor: N/P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45/45mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4050SSDQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8-Pin SO T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C1008-012
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C1008-15
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C2008-104
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C3008-001
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C4008-002
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C4008-003
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42C4404-002
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC42P4008
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC501010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SMINI5-F3-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC501010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC501010RPANASONICSOT353
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011DITOM Microwave INC.5.0 - 10.7GHz SMA Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011DITOM Microwave INC.5.0 - 10.7GHz SMA Circulator
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+56102.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-1DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-1DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-2DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-2DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-3DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-3DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-4DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-4DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-5DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-5DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-6DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Power - Average Forward: 30 W
Isolation: 16dB
VSWR: 1.4
Insertion Loss: 0.9dB
Type: Circulator
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Connector Type: SMA-FEMALE
Package / Case: Module, SMA Connectors
Packaging: Bag
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-6DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-7DiTom MicrowaveDescription: 5.00 - 10.70 GHZ CIRCULATOR
Packaging: Bag
Package / Case: Module, SMA Connectors
Connector Type: SMA-FEMALE
Frequency: 5 GHz ~ 10.7 GHz
Type: Circulator
Insertion Loss: 0.9dB
VSWR: 1.4
Isolation: 16dB
Power - Average Forward: 30 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC5011-7DiTomRF Circulators 5.00 - 10.70 GHz Circulator
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC502010RPanasonicBipolar Transistors - BJT Composite Transistor
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC502010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANSISTOR NPN 50V SMINI5-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC502010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANSISTOR NPN 50V SMINI5-F3-B
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC504010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC504010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC504010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
на замовлення 1941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
14+23.17 грн
100+15.80 грн
500+11.12 грн
1000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC505010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC505010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC505010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC506010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SMINI6-F3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SMini6-F3-B
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35  [ Наступна Сторінка >> ]