Продукція > DMP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP6110SSSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET PCH 60V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.60 грн
5000+13.80 грн
7500+13.42 грн
12500+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SSSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SSSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 4.5 A, 0.086 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Dual P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.5A; 1.2W; TSOT26
Case: TSOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.13Ω
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: -6.5A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.41 грн
11+41.43 грн
50+28.60 грн
100+24.40 грн
500+17.70 грн
1000+15.77 грн
1500+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.14 грн
25+34.45 грн
50+28.42 грн
100+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6110SVT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 7.3 A, 0.105 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 60Vds 20Vgs
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.32 грн
100+31.03 грн
500+22.53 грн
1000+20.41 грн
2000+18.63 грн
5000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.16 грн
10+41.89 грн
100+29.04 грн
500+22.77 грн
1000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 7.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.00 грн
7500+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.08 грн
7500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.65 грн
7500+23.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-CH MOSFET
на замовлення 28558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
на замовлення 8209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+45.74 грн
25+38.34 грн
50+31.65 грн
100+28.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 7708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -10A; Idm: -25A; 1W; TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -10A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 86598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
Verlustleistung: 40W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.62 грн
13+24.38 грн
100+16.56 грн
500+12.18 грн
1000+11.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.90 грн
5000+9.68 грн
7500+9.26 грн
12500+8.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 491601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
15+21.06 грн
100+14.27 грн
500+10.45 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.30 грн
5000+8.24 грн
7500+7.87 грн
12500+7.00 грн
17500+6.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W
на замовлення 46430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.21 грн
100+29.54 грн
500+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6201ASensata-CrydomDescription: AC INPUT MODULE 120V
Features: Epoxy Coated
Color: Black
Voltage - Output: 5VDC
Style: SIP
Voltage - Input: 120VAC
Current - Output: 16mA
Type: AC Input Module
Turn On Time: 20ms
Turn Off Time: 20ms
Current - Input: 6 mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6201ACrydomSolid State Relay 6mA 140V AC-IN 0.025A DC-OUT 5-Pin SIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6202ACrydom Co.Description: INPUT MODULE AC 5MA 5VDC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
на замовлення 42323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.83 грн
100+31.99 грн
500+23.24 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.69 грн
5000+18.37 грн
7500+17.57 грн
12500+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.12 грн
5000+9.76 грн
7500+9.28 грн
12500+8.20 грн
17500+7.90 грн
25000+7.61 грн
62500+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.84 грн
20000+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6301ASensata-CrydomDescription: DC OUTPUT MODULE 3A
Features: Epoxy Coated
Color: Black
Voltage - Output: 3 ~ 60VDC
Style: SIP
Voltage - Input: 5VDC
Current - Output: 3A
Type: DC Output Module
Turn On Time: 0.50ms
Turn Off Time: 0.50ms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
9000+9.16 грн
24000+9.08 грн
45000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
25+26.09 грн
50+21.43 грн
100+18.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 879000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DiodesTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.37 грн
9000+9.16 грн
24000+9.08 грн
45000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.60 грн
9000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.12 грн
9000+10.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 206 @ 30, Qg, нКл = 4,1 @ 10 В, Rds = 350 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 50 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
3000+11.79 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.