Продукція > DMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMP6110SVTQ-7DiodesMOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6110SVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 969 pF @ 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V TSOT26 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6111SVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V TSOT26 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1283 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.85 грн
50+48.97 грн
100+31.97 грн
500+22.96 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.61 грн
5000+15.59 грн
7500+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.11 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.95 грн
500+21.54 грн
1000+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+28.61 грн
500+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-CH MOSFET
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+45.73 грн
100+26.09 грн
500+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
на замовлення 9466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.25 грн
100+27.52 грн
500+19.89 грн
1000+17.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
496+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3QDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.58 грн
5000+18.27 грн
7500+17.49 грн
12500+15.58 грн
17500+15.09 грн
25000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1972500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.35 грн
500+21.99 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 984.7 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 44888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.46 грн
100+31.79 грн
500+23.11 грн
1000+20.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 14A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6180SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.28 грн
18+45.34 грн
100+28.35 грн
500+21.99 грн
1000+17.88 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6180SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 92669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.76 грн
10+51.60 грн
100+29.48 грн
500+22.85 грн
1000+20.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.80 грн
5000+9.59 грн
7500+9.17 грн
12500+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.98 грн
11+30.33 грн
100+17.74 грн
500+13.67 грн
1000+11.67 грн
2500+9.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 824674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
13+24.16 грн
100+16.41 грн
500+12.07 грн
1000+10.97 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SE-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 490000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+9.21 грн
5000+8.16 грн
7500+7.80 грн
12500+6.93 грн
17500+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 491601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
15+20.87 грн
100+14.13 грн
500+10.35 грн
1000+9.39 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
12+28.26 грн
100+13.67 грн
1000+9.32 грн
2500+8.49 грн
10000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V P-Ch Enh FET 20Vgs -14A 1.6W
на замовлення 46430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.78 грн
10+40.73 грн
100+24.23 грн
500+19.61 грн
1000+17.19 грн
2500+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.70 грн
500+23.48 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 3.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 708 pF @ 30 V
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.80 грн
100+29.27 грн
500+21.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6185SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6185SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.12 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.38 грн
17+48.65 грн
100+32.70 грн
500+23.48 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6201ASensata-CrydomDescription: AC INPUT MODULE 120V
Current - Input: 6 mA
Turn Off Time: 20ms
Turn On Time: 20ms
Type: AC Input Module
Current - Output: 16mA
Voltage - Input: 120VAC
Style: SIP
Voltage - Output: 5VDC
Color: Black
Features: Epoxy Coated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6201ACrydomSolid State Relay 6mA 140V AC-IN 0.025A DC-OUT 5-Pin SIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6202ACrydom Co.Description: INPUT MODULE AC 5MA 5VDC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.48 грн
16+51.87 грн
100+34.55 грн
500+25.65 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.50 грн
5000+18.20 грн
7500+17.41 грн
12500+15.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 42323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
10+48.39 грн
100+31.69 грн
500+23.03 грн
1000+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SE-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 6.1 A, 0.128 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.128ohm
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.55 грн
500+25.65 грн
1000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SE-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 41V 60V P-Ch 6.1A 250Vgs
на замовлення 7304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.90 грн
10+44.06 грн
100+26.51 грн
500+22.16 грн
1000+18.78 грн
2500+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SEQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.98 грн
11+30.96 грн
100+18.36 грн
1000+10.63 грн
2500+8.28 грн
10000+7.46 грн
25000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SEQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 551 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+11.02 грн
5000+9.67 грн
7500+9.20 грн
12500+8.13 грн
17500+7.83 грн
25000+7.54 грн
62500+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+88.59 грн
15+55.25 грн
100+43.09 грн
500+35.37 грн
1000+30.24 грн
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.68 грн
20000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6250SFDF-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.155 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.09 грн
500+35.37 грн
1000+30.24 грн
5000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6250SFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6301ASensata-CrydomDescription: DC OUTPUT MODULE 3A
Features: Epoxy Coated
Color: Black
Voltage - Output: 3 ~ 60VDC
Style: SIP
Voltage - Input: 5VDC
Current - Output: 3A
Type: DC Output Module
Turn On Time: 0.50ms
Turn Off Time: 0.50ms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 720mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.257ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.28 грн
500+14.06 грн
1500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DiodesTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.40 грн
9000+9.19 грн
24000+9.10 грн
45000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.04 грн
12+26.55 грн
100+17.03 грн
500+12.12 грн
1000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 879000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350S-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.35 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.57 грн
50+37.37 грн
100+24.40 грн
500+17.50 грн
1500+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.40 грн
9000+9.19 грн
24000+9.10 грн
45000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.62 грн
9000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.2A; Idm: -6A; 0.72W; SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -6A
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 0.72W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.95 грн
15+28.75 грн
50+19.94 грн
100+17.03 грн
500+12.13 грн
1000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 720mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.00 грн
6000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes INC.P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 1,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 206 @ 30, Qg, нКл = 4,1 @ 10 В, Rds = 350 мОм @ 900 мA, 10 В, Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,72, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 50 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+39.77 грн
100+23.13 грн
500+16.50 грн
1000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.53 грн
9000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350S-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 96845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
11+29.29 грн
100+17.74 грн
500+13.88 грн
1000+11.25 грн
3000+9.80 грн
9000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.257 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.257ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.91 грн
25+33.18 грн
100+22.55 грн
500+16.00 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP6350SQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.257 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 720mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.257ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.55 грн
500+16.00 грн
1000+12.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6350SQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET P-CH 60V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP6402ACrydom Co.Description: OUTPUT MODULE AC SIP 5VDC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H11D0HSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 501V 650V SO-8 T&R 4K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+67.01 грн
100+44.22 грн
500+32.52 грн
1000+29.61 грн
2000+28.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.04 грн
500+28.12 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H20D0HSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP65H20D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 200 mA, 15.4 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.87 грн
13+63.30 грн
100+42.04 грн
500+28.12 грн
1000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H9D0HSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.19 грн
50+112.76 грн
250+76.83 грн
1000+51.83 грн
2000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H9D0HSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.84 грн
10+80.17 грн
100+54.07 грн
500+40.26 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H9D0HSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMP65H9D0HSS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 300 mA, 9 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.76 грн
250+76.83 грн
1000+51.83 грн
2000+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP65H9D0HSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP68D0LFB-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V X2-DFN100
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 100mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-UFDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 5V
Supplier Device Package: X1-DFN1006-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW
на замовлення 6569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
26+11.59 грн
100+7.25 грн
500+5.02 грн
1000+4.44 грн
2000+3.95 грн
5000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38  [ Наступна Сторінка >> ]