Продукція > IS6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS61WV51216BLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 1.8V 8M-bit 512K x 16 20ns 48-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20BLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20TLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDALL-20TLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI | SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM | на замовлення 1774 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA | на замовлення 665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI | Статична пам'ять SRAM, Об'єм RAM = 8 Мбіт, Опис Статична пам'ять SRAM, Орг. пам. = 512 k x 16 ,... Інтегральні мікросхеми Корпус: BGA-48 Од. вим: шт кількість в упаковці: 135 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel | на замовлення 327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | ISSI | SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | ISSI | Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV51216EDBLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 8 Mbit, 512K x 16 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 8Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: 3V Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8BLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR | ISSI | SRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI | ISSI | SRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM | на замовлення 494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EDBLL-8TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Bulk Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20BLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 48-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 48-miniBGA (6x8) Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20BLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20TLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Bulk Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 20ns Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 512K x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEALL-20TLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10B2LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10B2LI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 16 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 8Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 48-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10BLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10T2LI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 192 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10T2LI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 135 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI | ISSI | SRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 8Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 44-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM 8M 8,10ns 2.4-3.6V 512Kx16 LP Asyn SRAM | на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV51216EEBLL-10TLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI | ISSI | SRAM 16M (512Kx32) 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI | ISSI | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA90 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI мікросхема Код товару: 59532
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI-TR | ISSI | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 16Mb SRAM Memory organisation: 512kx32bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: TFBGA90 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 16Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Technology: SRAM - Asynchronous Memory Format: SRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Memory Interface: Parallel Access Time: 10 ns Memory Organization: 512K x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV51232BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BI | ISSI | SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BI-TR | ISSI | SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8) Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 36-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI | ISSI | SRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 959 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10BLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Part Status: Active Supplier Device Package: 36-SOJ Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 266 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI | SRAM 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async SRAM | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI | ISSI | Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 4MbSRAM; 512kx8bit; 2.4÷3.6V; 10ns; SOJ36 Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: SRAM Memory: 4Mb SRAM Memory organisation: 512kx8bit Operating voltage: 2.4...3.6V Access time: 10ns Case: SOJ36 Kind of interface: parallel Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI Код товару: 165560
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Пам'ять | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10KLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10T | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 694 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V tariffCode: 85423290 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 4Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: 3A991.b.2.b Versorgungsspannung, nom.: - Taktfrequenz, max.: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.4V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 44Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Betriebstemperatur, max.: 85°C SRAM: Asynchroner SRAM Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 512K x 8 Access Time: 10 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 10ns Supplier Device Package: 44-TSOP II Memory Format: SRAM Technology: SRAM - Asynchronous Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 4Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Packaging: Tray | на замовлення 2942 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 11648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM 4M(512Kx8), 10 nS, TSOP-44, -40..+85°C Мікросхеми пам'яті | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS61WV5128BLL-10TLI | ISSI | SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II | на замовлення 235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

