Продукція > IS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM 8M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx16 Asych SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48MINIBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TRISSISRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLIISSISRAM 8M, 8ns, 2.4-3.6V 512Kx16 Async SRAM
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 8M-bit 512K x 16 8ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,8ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EDBLL-8TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 48-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 48-miniBGA (6x8)
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Bulk
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 2.2V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 20ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 512K x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEALL-20TLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16, 20ns,1.65V-2.2V, 44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10B2LIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10B2LIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 16
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 48-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 8Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 48-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/2 pins, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 48-Pin Mini-BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10BLI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10T2LIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10T2LIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TSOP I
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TRISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,48 Pin TSOP I, ERR1/2 pins, RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLIISSISRAM 8Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 16,10ns,2.4V-3.6V,44 Pin TSOP II, RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM 8M 8,10ns 2.4-3.6V 512Kx16 LP Asyn SRAM
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8Mb,High-Speed/Low Power,Async w
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51216EEBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Dual 2.5V/3.3V 16M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+556.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLIISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLIISSISRAM 16M (512Kx32) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLI мікросхема
Код товару: 59532
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLI-TRISSISRAM 16Mb,High-Speed,Async,512K x 32,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v, 90 Ball mBGA (8x13 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLI-TRISSICategory: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 16MbSRAM; 512kx32bit; 2.4÷3.6V; 10ns; TFBGA90
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 16Mb SRAM
Memory organisation: 512kx32bit
Operating voltage: 2.4...3.6V
Access time: 10ns
Case: TFBGA90
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV51232BLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 16MBIT PARALLEL 90TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 90-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 10 ns
Memory Organization: 512K x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BIISSISRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BI-TRISSISRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLIISSISRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 959 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 36-TFBGA (6x8)
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-TFBGA
Packaging: Tray
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.15 грн
10+262.66 грн
25+254.85 грн
40+235.42 грн
80+229.87 грн
230+221.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36MINIBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Ball mBGA (8x10 mm), RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLIISSISRAM 4Mb 8ns/3.3v 10ns Async SRAM
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+374.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLI
Код товару: 165560
Додати до обраних Обраний товар
Мікросхеми > Пам'ять
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 1.65V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+530.38 грн
100+504.45 грн
500+477.34 грн
1000+435.29 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10KLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,8ns/3.3v,or 10ns/2.4v-3.6v,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10T
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.82 грн
10+225.15 грн
25+218.53 грн
50+200.33 грн
135+193.55 грн
270+188.85 грн
540+181.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+360.09 грн
10+332.47 грн
25+325.96 грн
40+312.41 грн
135+263.84 грн
270+241.65 грн
540+239.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+316.15 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+316.15 грн
50+305.88 грн
135+292.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM 4Mb (512k x 8) 10ns Async SRAM 3.3v
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+360.09 грн
43+332.47 грн
44+312.41 грн
135+263.84 грн
270+241.65 грн
540+239.23 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM 4M(512Kx8), 10 nS, TSOP-44, -40..+85°C Мікросхеми пам'яті
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIINTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI)Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS61WV5128BLL-10TLI - SRAM, Asynchroner SRAM, 4 Mbit, 512K x 8 Bit, TSOP-II, 44 Pin(s), 2.4 V
tariffCode: 85423290
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II
Speicherdichte: 4Mbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: 3A991.b.2.b
Versorgungsspannung, nom.: -
Taktfrequenz, max.: -
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.4V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 44Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 3.6V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SRAM: Asynchroner SRAM
Speicherkonfiguration: 512K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+625.77 грн
Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
на замовлення 11648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+386.68 грн
41+345.20 грн
42+331.05 грн
135+275.46 грн
270+250.54 грн
540+248.04 грн
945+241.65 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLI-TRISSISRAM 4M (512Kx8) 10ns Async SRAM
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLS-25TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Packaging: Tray
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Technology: SRAM - Asynchronous
Memory Format: SRAM
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 25 ns
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 405 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLS-25TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 25ns 32-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLS-25TLIISSISRAM 4M (512Kx8) 25ns Async SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLS-25TLI-TRISSISRAM 4Mb, 512Kx8 25ns Async SRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128BLS-25TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 25 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+197.62 грн
6+144.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36TFBGA
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLIISSISRAM 4Mb, 2.4v-3.6v, 10ns 512K x 8 Async SRAM
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MB 10NS 36 BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin Mini-BGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLIISSISRAM 4Mb 10ns 2.4-3.6V 512K x 8 Async SRAM
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 36-SOJ
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 36SOJ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TRISSISRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Pin SOJ (400mil), RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 36-Pin SOJ T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10TLIISSISRAM 4Mb 2.4-3.6V 10ns 512x8 Async SRAM
на замовлення 3602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10TLIISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10TLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 512K x 8
Access Time: 10 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 10ns
Supplier Device Package: 44-TSOP II
Memory Format: SRAM
Technology: SRAM - Asynchronous
Voltage - Supply: 2.4V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 4Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Packaging: Tray
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.20 грн
10+181.90 грн
25+173.51 грн
40+158.92 грн
135+149.22 грн
270+143.96 грн
540+139.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TRISSISRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 10ns 44-Pin TSOP-II T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+229.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]