Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP4N150STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 4 A, 7 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 160W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
на замовлення 1248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150
Код товару: 104403
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 2018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+449.90 грн
10+289.87 грн
50+228.35 грн
100+195.71 грн
500+163.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+219.46 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsMOSFETs PowerMESH MOSFET
на замовлення 56 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+448.07 грн
10+240.22 грн
100+190.57 грн
500+178.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMN-Ch 1500V 4A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 1.5KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 14489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.19 грн
10+288.74 грн
50+284.67 грн
100+259.09 грн
500+208.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N150STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+304.63 грн
3+255.58 грн
5+239.86 грн
10+222.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N20STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N20STTO-220
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N20STM(MFET,N-CH,36W,200V,3.3A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N25
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N40F1
на замовлення 994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N40PI
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+195.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 100 V
на замовлення 2152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.42 грн
50+68.98 грн
100+61.76 грн
500+46.05 грн
1000+42.22 грн
2000+39.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMMOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+194.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 525V 2.5A 2.1 Ohm SuperMESH3
на замовлення 715 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+112.02 грн
10+69.29 грн
100+49.99 грн
500+39.58 грн
1000+35.91 грн
2000+33.06 грн
5000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N60
на замовлення 675 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N62K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 620V 3.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.01 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N62K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
на замовлення 758 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+173.59 грн
10+83.36 грн
100+64.94 грн
500+54.68 грн
1000+51.75 грн
2000+51.23 грн
4000+46.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+109.23 грн
177+80.64 грн
185+77.38 грн
500+66.34 грн
1000+55.69 грн
2000+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3A; Idm: 12A; 60W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3A
Power dissipation: 60W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
305+46.83 грн
Мінімальне замовлення: 305 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 3 A, 2.1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 60W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.1ohm
на замовлення 3217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90
на замовлення 299 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 900V; 1.9A; Idm: 12A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.9A
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 5.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ K5
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 60W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 3A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 173 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA40
на замовлення 1620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA40FISTTO220FP
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA60
на замовлення 140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA60FI
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA60FP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA80STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA80
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA80FIST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA90
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NA90FI
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100ST08+ SOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100
Код товару: 143264
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 1000 Volt 4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100STMicroelectronicsN-канальный ПТ ( 1000V - 4W - 3.8A)... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100.STP4NB100FP
на замовлення 38840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB100FPST08+ SOP
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB30
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB30FP
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB50STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB50
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB50STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB50FPSTTOP-220FP
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB50FP(ISOLATED)ST
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB60
на замовлення 865 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB60ZFP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80(транзистор)
Код товару: 86267
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80FPSTMАналог BUZ80A Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB80FPSTTO-220FP
на замовлення 572 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NB90STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC50STTO-220
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC50FP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60A
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60FPSTMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60FP
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC60ZFP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC70Z
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC80FP
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC80Z
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC80ZSTMicroelectronicsMOSFET TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NC80ZFP
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZSTMN-кан. MOSFET 500V, 3.0A, 2.4Ом, 45Вт, TO-220 (Zener-Protected SuperMESH) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 500 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50Z
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZDST MICROELECTRONICSMOSFET N-CH 500V 3A TO-220 формованный средний вывод
на замовлення 44 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2+191.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZDSTMicroelectronicsMOSFETs Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZF
на замовлення 1791 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP4NK50ZFPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 500V-2.4ohms Zener SuperMESH 3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.