Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|
| Jantxv2N6384 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO204AA Qualification: MIL-PRF-19500/523 Grade: Military Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6384 | Microchip / Microsemi | Darlington Transistors Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6385 | Microchip / Microsemi | Darlington Transistors 80V 10A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6385 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6437 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 25A Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6438 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 120V 25A TO3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6546 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 300V 15A TO3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6546 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6547 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO204AA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Power - Max: 175 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Qualification: MIL-PRF-19500/525 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6547 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6547T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO254 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-254 Operating Temperature: 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6648 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6649 | Microchip / Microsemi | MOSFET 60V PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6650 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP DARL 80V 10A TO204AA Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: PNP - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6650 | Microchip / Microsemi | MOSFET 80V PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6660 | VISHAY | 00+ | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6661 | на замовлення 2540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6671 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6672 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6673 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6674 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6674 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6674 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6675 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6675 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6675 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6676 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/538 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6676 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6676 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6676T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6677 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6678 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/538 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6678 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6678T1 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO254 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Supplier Device Package: TO-254 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6689 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6690 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6691 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6691 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 15A TO61 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6693 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 400V 15A TO61 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-61 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 3A, 15A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| Jantxv2N6693 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6756 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6756 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6758 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6758 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 200V 9A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 51 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6760 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6760 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 5.5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.22Ohm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/542 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6762 | на замовлення 36 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6762 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 49 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6764 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 38A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6764 | на замовлення 143 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6764T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6766 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6766 | на замовлення 93 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6766T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6768 | 02+ TO-3 | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6768 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6768T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-254AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6770 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6770 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE Qualification: MIL-PRF-19500/543 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AE (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6770 | на замовлення 223 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6770 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6770T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-254AA Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6770T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6782 | HARRIS | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6782 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO205AF Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6782U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 610mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6784 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6784U | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6786 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6788 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO205AF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6790 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO205AF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6790 | MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6790U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6796 | MICROSEMI | TO-39/N-CHANNEL MOSFET 2N6796 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6796 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6796P | на замовлення 125 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6796U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6798 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6798P | на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6798U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 72 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800U | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800U | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6800UPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6802 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 69 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6802U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 37 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6804 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6804 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA Qualification: MIL-PRF-19500/562 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6804 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6804 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6804 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6806 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| JANTXV2N6845 | Harris | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |
| JANTXV2N6845 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6845U | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |
| JANTXV2N6847 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |