Продукція > IS4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43LR32160B-6BLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160B-6BLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160B-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-5BLI | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL | ISSI | DRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL-TR | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BL-TR | ISSI | DRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI-TR | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 4Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 4Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 16M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 512Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI-TR | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160C-6BLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 18V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160D-5BLI | ISSI | 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32160D-5BLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LR32160D-5BLI - DRAM, Mobile DDR SDRAM, 512 Mbit, 16M x 32 Bit, 200 MHz, FBGA, 90 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: Mobile DDR SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 90Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 16M x 32 Bit | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| IS43LR32200B-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 642M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32200B-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 642M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32200C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 2M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 64Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32200C-6BLI | ISSI | DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32200C-6BLI-TR | ISSI | DRAM 64M, 1.8V, M-DDR 2Mx32, 166Mhz, RoHS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32200C-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 64Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 2M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-LFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-5BLI | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-5BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90LFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-LFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 1GbDRAM; 8Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; LFBGA90; 0÷70°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Operating temperature: 0...70°C Case: LFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of package: in-tray; tube Kind of memory: LPDDR; SDRAM Kind of interface: parallel Mounting: SMD Access time: 6ns Clock frequency: 166MHz Memory: 1Gb DRAM Memory organisation: 8Mx32bitx4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL-TR | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 1Gbit 32Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BL-TR | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BLI | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, 166Mhz 32Mx32, Mobile DDR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 1GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320B-6BLI-TR | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 208 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 32 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-5BLI | ISSI | DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 32Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-5BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 208 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 14.4ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 32 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Bulk Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 32 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-6BLI | ISSI | DRAM 1G, 18V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32320C-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 32 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 128M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400F-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 128M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR SDRAM 128MBIT 90FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400F-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 128M 166MHZ 90FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BL | ISSI | DRAM 128M, 18V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 4M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 128Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 4M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BL-TR | ISSI | DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BLI | ISSI | DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 4M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 128Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 90-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 128Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 4M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32400G-6BLI-TR | ISSI | DRAM 128M, 1.8V, Mobile DDR, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BL | ISSI | DRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BL-TR | ISSI | DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-WBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 64M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BLI | ISSI | DRAM 2G 1.8V DDR 64Mx32 200Mhz 90 ball BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BLI-TR | ISSI | DRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-5BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR MOBILE 2GB 200MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2G PARALLEL 90WBGA | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||
| IS43LR32640A-6BL | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 2Gb DRAM Memory organisation: 16Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: WBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BL | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin WBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BL | ISSI | DRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BL-TR | ISSI | DRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR MOBILE 2GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 2GbDRAM; 16Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; WBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 2Gb DRAM Memory organisation: 16Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: WBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BLI | ISSI | DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 90WBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-LFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-WBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 64M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR MOBILE 2GB 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640A-6BLI-TR | ISSI | DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640B-5BLI | ISSI | DRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx32, 200Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640B-5BLI | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 2Gbit 64Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32640B-6BLI | ISSI | DRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 64Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BL-TR | ISSI | DRAM 256M,1.8V,MobileDDR 166Mhz,90 ball BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BLI-TR | ISSI | DRAM 256M,1.8V,Mobile DDR 166Mhz,90 ball BGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800F-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR 256M 166MHZ 90BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-5BLI | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL | ISSI | DRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL-TR | ISSI | DRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI | ISSI | DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM | на замовлення 65 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI-TR | ISSI | DRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI-TR | ISSI | DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI-TR | ISSI | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 2Mx32bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA90 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: LPDDR; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 2Mx32bitx4 Clock frequency: 166MHz Case: TFBGA90 Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Supply voltage: 1.7...1.95V DC Access time: 6ns Kind of interface: parallel Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| IS43LR32800G-6BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 8M x 32 Access Time: 5.5 ns Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 166 MHz Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 256Mbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 90-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |

