Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRFE6VP61K25HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H | на замовлення 641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230H | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP | Description: NXP - MRFE6VP61K25HR6 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.333 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-1230H-4S tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.333kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-1230H-4S Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HR6 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin Case 375D-05 T/R | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 1.25KW ISM NI1230HS | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230-4S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 24dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230-4S Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 4-Pin Case 375E-04 T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25HSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: NI-1230S Technology: LDMOS Gain: 24dB Power - Output: 1250W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25N | NXP Semiconductors | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 1250 W CW, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25NR6 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 1.8-600 MHz 1250 W CW 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-1230-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 1250W Gain: 23dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-1230-4L Part Status: Active Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP61K25NR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM1230-4 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Part Status: Active Supplier Device Package: OM-1230-4L Technology: LDMOS Gain: 23dB Power - Output: 1250W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: OM-1230-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP61K25NR6 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 133V Medical 5-Pin Case OM-1230 L T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300-230 | NXP USA Inc. | Description: MRFE6VP6300H REF BRD 230MHZ 300W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFE6VP6300H Frequency: 230MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFE6VP6300H Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300-230 | NXP Semiconductors | Trans RF FET N-CH 130V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300-230 | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFE6VP6300-230 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300-88 | NXP Semiconductors | Sub-GHz Development Tools MRFE6VP6300-88 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300-88 | NXP USA Inc. | Description: MRFE6VP6300H REF BRD 108MHZ 350W Packaging: Bulk For Use With/Related Products: MRFE6VP6300H Frequency: 87.5MHz ~ 108MHz Type: Transistor Contents: Board(s) Utilized IC / Part: MRFE6VP6300H Supplied Contents: Board(s) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300GSR5 | NXP Semiconductors | Broadcast RF Power Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300GSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 1.8-600 MHz 300 W 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300GSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Voltage - Rated: 50 V Supplier Device Package: NI-780GS-4L Technology: LDMOS Gain: 25dB Power - Output: 300W Frequency: 600MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-780GS-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300H | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE6VP6300H | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP | Description: NXP - MRFE6VP6300HR5 - HF-FET-Transistor, 130 VDC, 1.05 kW, 1.8 MHz, 600 MHz, NI-780 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 130VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Betriebsfrequenz, max.: 600MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz Verlustleistung: 1.05kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780 T/R | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780H-4 | на замовлення 282 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-780-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300HSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780S-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 300W Gain: 26.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780S-4L Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI780 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Supplier Device Package: NI-780S-4L Technology: LDMOS Gain: 26.5dB Power - Output: 300W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: NI-780S-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6300HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin NI-780S T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6300HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 300W50VISM NI780S-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780G EP T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600GNR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780G-4 Current - Test: 100 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Part Status: Active Supplier Device Package: OM-780G-4L Technology: LDMOS Gain: 24.7dB Power - Output: 600W Configuration: Dual Frequency: 230MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: OM-780G-4L Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600N | NXP Semiconductors | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 5-Pin OM-780 EP T/R | на замовлення 139 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6600NR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V OM780-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: OM-780-4L Mounting Type: Surface Mount Frequency: 230MHz Configuration: Dual Power - Output: 600W Gain: 24.7dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: OM-780-4L Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA | на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP6600NR3,528 | NXP USA Inc. | Description: WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HR5 | NXP Semiconductors | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 20µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 470MHz ~ 860MHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 600W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP8600HR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-1230 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP8600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W NI1230H 50V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HR5 | NXP | RF Mosfet LDMOS (Dual) 50V 1.4A 860MHz 19.3dB 125W NI-1230 Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Supplier Device Package: NI-1230 Technology: LDMOS Gain: 19.3dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6 600W NI1230S 50V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-1230S Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 860MHz Configuration: Dual Power - Output: 125W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230S Voltage - Rated: 130 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VP8600HSR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 130V 5-Pin Case 375E-04 T/R | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VP8600HSR6 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Technology: LDMOS Gain: 19.3dB Power - Output: 125W Configuration: Dual Frequency: 860MHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-1230S Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Test: 1.4 A Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 130 V Supplier Device Package: NI-1230S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GN-960 | NXP Semiconductors | RF Development Tools MRFE6VS25GN 960-1215 MHz Reference Circuit | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GN-960 | NXP USA Inc. | Description: MRFE6VS25GN REF BRD 1215MHZ 30W Supplied Contents: Board(s) Type: Transistor Frequency: 960MHz ~ 1.215GHz For Use With/Related Products: MRFE6VS25N Packaging: Bulk | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V TO270-2G | на замовлення 178 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors VHV6E 25W50V NI360L | на замовлення 50 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin NI-360 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI360 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-360 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-360 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25LR5 | NXP | Description: NXP - MRFE6VS25LR5 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-360 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-360 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25N | NXP Semiconductors | Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1.8-2000 MHz, 25 W, 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP | Description: NXP - MRFE6VS25NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 512MHz Power - Output: 25W Gain: 25.4dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 133 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 10 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 Код товару: 125687
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP | Description: NXP - MRFE6VS25NR1 - HF-FET-Transistor, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, TO-270 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 133VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: 2000MHz Betriebsfrequenz, min.: 1.8MHz euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-270 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 50V TO270-2 Current - Test: 10 mA Voltage - Test: 50 V Voltage - Rated: 133 V Supplier Device Package: TO-270-2 Technology: LDMOS Gain: 25.4dB Power - Output: 25W Frequency: 512MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270AA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE6VS25NR1 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 T/R | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE7S21210HS | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRFE8VP8600HR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE8VP8600HR5 | NXP | Description: NXP - MRFE8VP8600HR5 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE8VP8600HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230 Packaging: Bulk Package / Case: NI-1230 Current Rating (Amps): 20µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 470MHz ~ 860MHz Configuration: Dual Power - Output: 140W Gain: 21dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-1230 Voltage - Rated: 115 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 1.4 A | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRFE8VP8600HSR5 | NXP USA Inc. | Description: BROADBAND RF POWER LDMOS TRANSIS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFE8VP8600HSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRFEP6BT-E3 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |