Продукція > 2SB
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SB880 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 4A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB880 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 4A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB880 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB880 - 2SB880, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB880 | Sanyo Electric | 2SB880 | на замовлення 4699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB881 | на замовлення 9965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB882 | NEC | 07+ LF TO126 | на замовлення 55675 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB882 Код товару: 15197
Додати до обраних
Обраний товар
| Sanyo | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 Гранична частота fT, МГц: 20 МГц Напруга Uке, В: 60 В Напруга Uкб, В: 70 В Струм Iк, А: 10 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 5000 Примітка: Дарлінгтон | у наявності: 27 шт
|
| ||||||||||
| 2SB883 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 60V 15A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB | на замовлення 8373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB883 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB883 - 2SB883, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB883 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 60V 15A TO-3PB Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-3PB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 70 W | на замовлення 8373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB884 | на замовлення 14523 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB885 | на замовлення 11204 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB886 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB886 - 2SB886, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB886 | Sanyo | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB886 | ON Semiconductor | Trans Darlington PNP 100V 8A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB886 | onsemi | Description: TRANS PNP DARL 100V 8A TO-220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 8mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1500 @ 4A, 3V Frequency - Transition: 20MHz Supplier Device Package: TO-220AB Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.75 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB888-AA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP Packaging: Bulk Package / Case: SC-71 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 50mA, 2V Frequency - Transition: 170MHz Supplier Device Package: 3-NMP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 600 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB888-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB888-AA - 2SB888-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2290 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB890 | на замовлення 69875 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB891 | на замовлення 12854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB891F Код товару: 1367
Додати до обраних
Обраний товар
| Rohm | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-126F Гранична частота fT, МГц: 100 МГц Напруга Uке, В: 32 В Напруга Uкб, В: 32 В Струм Iк, А: 2 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 390 | у наявності: 748 шт
|
| ||||||||||
| 2SB892 Код товару: 25435
Додати до обраних
Обраний товар
| SAN | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SC-51 Напруга Uке, В: 50 В Напруга Uкб, В: 60 В Струм Iк, А: 2 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 560 | у наявності: 240 шт
на замовлення: 92 шт
|
| ||||||||||
| 2SB892S | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 9202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB892S - 2SB892S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB892S | ON Semiconductor | 2SB892S | на замовлення 6861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892S | ON Semiconductor | 2SB892S | на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892S-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP Box | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892S-AE | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892S-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB892S-AE - 2SB892S-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB892T | ON Semiconductor | 2SB892T | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892T | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 9455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892T | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB892T - 2SB892T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB892T-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB892T-AE - 2SB892T-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB892T-AE | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB892T-AE | ON Semiconductor | 2SB892T-AE | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB892T-AE | onsemi | Description: TRANS Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB893 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB893 Код товару: 111896
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SB895 | на замовлення 10257 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB896 | на замовлення 10253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB897 | NEC | 09+ | на замовлення 38 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB898 | на замовлення 15896 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB899 | на замовлення 17854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB90 | на замовлення 3550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB900 | на замовлення 18365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB901 | на замовлення 17865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB902 | PANASONIC | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SB902-S | NEC | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB903 | на замовлення 5521 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB903R | Sanyo Electric | Trans GP BJT PNP 30V 12A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB903R | onsemi | Description: Power Bipolar Transistor, 12A, 3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB903R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 12A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 2432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB904 | на замовлення 5421 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB905 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB906 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB906 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y | TOSHIBA | SOT-252 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(T6LDNSO) | TOSHIBA | SOT252/2.5 | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 9MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD PC=20W F=9MHZ | на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 9MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ (Замена КТ837В) | Toshiba | Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 3A 9MHz 1W Surface Mount PW-MOLD Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB906-Y(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 60V 3A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB907 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB907 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB907(TE16L1,NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB908 Код товару: 145081
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SB908 | TOSHIBA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2SB908(TE16L1,NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB91 | на замовлення 3540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB912 | на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB913 | на замовлення 2012 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB914 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB915 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB916 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB917 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB918 | на замовлення 48965 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB919 | на замовлення 17895 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB920 | на замовлення 6542 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB921 | на замовлення 5286 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB921R | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 7A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB921R | onsemi | Description: Power Bipolar Transistor, 7A, 80 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB922 | на замовлення 2451 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB923 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB924 | HIT | 98+ TO-3 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB925 | на замовлення 10245 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB926 | на замовлення 69854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SB926S | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB926S - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3562 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB926S | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN/PNP 25V 2A 3-Pin NP | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB926S | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 4350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB926S-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB926S-AA - 2SB926 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3562 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB926S-AA | ON Semiconductor | 2SB926S-AA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB926S-AA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB926T | Sanyo | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 510 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB926T-AA | onsemi | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 750 mW | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB926T-AA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SB926T-AA - 2SB926 - SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4579 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2SB926T-AA | ON Semiconductor | 2SB926T-AA | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB927S-AE | onsemi | Description: TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 75mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 1 W | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB927S-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 25V 2.5A 1000mW 3-Pin Case MP | на замовлення 13000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2SB927T-AE | ON Semiconductor | 2SB927T-AE | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

