Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLR7833TR | IR | 05+ | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl | на замовлення 695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | Infineon | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRLPBF IRLR7833TRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Транзистори | на замовлення 240 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 38nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7833TRPBF - MOSFET, N-KANAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 140A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 140A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRPBF Код товару: 35240
1
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D-Pak (TO-252) Напруга сток-витік Uds, V: 30 V Струм стоку Idd, A: 140 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,0045 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 4010/33 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
очікується: 46 шт
|
| ||||||||||||
| IRLR7833TRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRR | IR | 03+ | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7833TRRPBF | IR | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR7833TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4010 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7842PBF | IOR | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR7843 | IR | TO-252 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843CPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843CPBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843CTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) | на замовлення 4538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843PBF Код товару: 119030
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR7843PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 161A; 140W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR UMW TIRLR7843 UMW кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 125 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TR | International Rectifier | DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TR | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 6,5mOhm; 150A; 108W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR JSMICRO TIRLR7843 JSM кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 62,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR HXY MOSFET TIRLR7843 HXY кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TR-ML | MOSLEADER | Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4mOhm; 155A; 89,3W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRLR7843; IRLR7843TRL; IRLR7843TR; IRLR7843TRR; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240; IRLR7843TR-ML MOSLEADER TIRLR7843 MOS кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 34724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 30V 161A 3.3mOhm 34nC Log Lvl | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 34nC | на замовлення 4759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | International Rectifier | DPAK Транзистори | на замовлення 28 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 161A Power dissipation: 140W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 234 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | на замовлення 16766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR7843TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 161 A, 3300 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 161A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm | на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRPBF Код товару: 113284
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR7843TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR7843TRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 161A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103 | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103 | IR | 09+ | на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRL | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRL | Vishay / Siliconix | MOSFET Discrete Semiconductor Products | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRL | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRR | Vishay | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRR | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 30V 89A DPAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: D-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103TRR | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103V | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103V | IR | TO-252 | на замовлення 17500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLR8103VPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 91 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 91 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 115 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 115 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0069 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VPBF-IR | International Rectifier | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTR | IR | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR8103VTRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRL | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRLHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRLPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRLPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon / IR | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 91A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| IRLR8103VTRR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRR | IR | 0148+ | на замовлення 587 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRR PBF | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRLR8103VTRRHR | Infineon / IR | Infineon | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRLR8103VTRRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 91A DPAK Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |

