Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTD113EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 64955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 69955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 325 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 64955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36043 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 461 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Digital Transistors PDTD113ET/SOT23/TO-236AB | на замовлення 3136 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD113E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ET-QR | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113ET-Q/SOT23/TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ET-QR | Nexperia | PDTD113ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113EU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU115 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA PDTD113EU - SMALL SIGNA Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU115 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EU135 | NXP USA Inc. | Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD1xxxU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113EUX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113EUX - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 1 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 33hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 1kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-70 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTD1xxxU Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 175°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113EUX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQA147 | NXP | Description: NXP - PDTD113ZQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500MA Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 940 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .5A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A 3DFN Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: DFN1010D-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 210 MHz Power - Max: 325 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 28089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 940mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 500MA Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 28089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZS,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT | NXP | NPN 50V 500mA 250mW +res. 1k+10k PDTD113ZT smd TPDTD113zt кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1510 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT | Nexperia | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTD113ZT T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | на замовлення 119 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP | (SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZT,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 500 mA, 1 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | (SOT-23, TO236AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 500 мА, hFE = 70 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 1, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -65...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. в кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 327 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS NPN W/RES 50V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QR | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT-QVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V TO236AB Resistors Included: R1 and R2 Grade: Automotive DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZT.215 Код товару: 61440
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD113ZTVL - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 106849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 106849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia | Digital Transistors SOT23 50V .5A NPN RET | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZTVL | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 10416 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZU-QF | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113ZU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZU-QF | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113ZU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZU-QX | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD113ZU-Q/SOT323/SC-70 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTD113ZU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZU115 | NXP USA Inc. | Description: 500 MA, 50 V NPN RESISTOR-EQUIPP Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5340 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZU135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.5A Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZUF | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZUF | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZUF | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW Frequency - Transition: 225 MHz Resistor - Base (R1): 1 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZUX | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 0.5A 425mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 225 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD113ZUX | Nexperia | Digital Transistors SOT323 50V .5A NPN RET | на замовлення 4762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD113ZUX | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323 Resistors Included: R1 and R2 Qualification: AEC-Q100 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 1 kOhms Frequency - Transition: 225 MHz Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-323 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD114EQA147 | NXP | Description: NXP - PDTD114EQA147 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114EQA147 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 940 mW Frequency - Transition: 210 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 39978 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114EQAZ | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT NPN 50V 500mA 940mW Automotive 3-Pin DFN-D EP | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114EQAZ | Nexperia | Digital Transistors 50 V, 500 mA NPN resistor-equipped transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD114EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTD114EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTD114ET | PHILIPS | 04+ SOT23 | на замовлення 21100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTD114ET-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTD114ET-Q/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. |

