Продукція > DTD

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 [ Наступна Сторінка >> ]

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DTD513ZETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

на замовлення 9426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.27 грн
15+	20.53 грн
100+	13.02 грн
500+	9.14 грн
1000+	8.15 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD513ZMGT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD513ZMGT2L

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN Digital Transtr 500mA12V w/bias rstr

на замовлення 6759 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD513ZMGT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: VMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD513ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD513ZMT2L

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased RECOMMENDED ALT 755-DTD513ZMGT2L

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YE3TL

Description: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	4.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YE3TL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

на замовлення 5580 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD523YE3TL

Description: ROHM - DTD523YE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 12 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD523Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2770 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.97 грн
13+	24.00 грн
100+	15.25 грн
500+	10.77 грн
1000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

939+	15.08 грн
974+	14.53 грн
1007+	14.06 грн
2500+	13.16 грн

Мінімальне замовлення: 939 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

на замовлення 1963 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD523YETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

на замовлення 790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 319 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN Digital Transistor

на замовлення 1831 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD523YMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD523YMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

на замовлення 2334 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

на замовлення 5840 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

на замовлення 79 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 79 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
17+	18.72 грн
100+	11.86 грн
500+	8.33 грн
1000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EE3TL

Description: ROHM - DTD543EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 115hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 5025 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.14 грн
16+	18.95 грн
100+	12.02 грн
500+	8.44 грн
1000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

на замовлення 25 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543EETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8000+	6.88 грн

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

на замовлення 7415 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543EMT2L

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

на замовлення 325 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 325 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	35.27 грн
15+	20.98 грн
100+	13.31 грн
500+	9.38 грн
1000+	8.37 грн
2000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543EMT2L

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

на замовлення 14130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2646+	5.35 грн

Мінімальне замовлення: 2646 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

Description: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

на замовлення 10 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

Description: ROHM - DTD543XE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 12 V, 500 mA, 4.7 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 12V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTD543X Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -

на замовлення 2800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 2980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
17+	18.72 грн
100+	11.86 грн
500+	8.33 грн
1000+	7.42 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XE3TL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543XETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.14 грн
16+	18.95 грн
100+	12.02 грн
500+	8.44 грн
1000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R

на замовлення 2175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1684+	8.40 грн
1741+	8.13 грн

Мінімальне замовлення: 1684 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

на замовлення 1650 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543XETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 150mW 3-Pin EMT T/R

на замовлення 5185 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

596+	25.84 грн
1000+	19.33 грн
2000+	12.26 грн
3000+	10.73 грн

Мінімальне замовлення: 596 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543XMT2L

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DTD543XMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZE3TL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)

на замовлення 6388 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZE3TL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin EMT T/R

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZE3TL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	31.35 грн
17+	18.72 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

на замовлення 1740 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

948+	14.93 грн
983+	14.39 грн
1017+	13.92 грн

Мінімальне замовлення: 948 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.14 грн
16+	18.95 грн
100+	12.02 грн
500+	8.44 грн
1000+	7.53 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZETL

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

на замовлення 2966 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZETL

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin EMT T/R

на замовлення 3857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

548+	25.84 грн
1000+	19.24 грн
2000+	16.31 грн
3000+	14.37 грн

Мінімальне замовлення: 548 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A EMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZMT2L

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

на замовлення 2893 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

571+	24.80 грн
1000+	20.93 грн
2000+	16.88 грн

Мінімальне замовлення: 571 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZMT2L

Rohm Semiconductor

Trans Digital BJT NPN 12V 500mA 3-Pin VMT T/R

на замовлення 7964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1576+	8.98 грн

Мінімальне замовлення: 1576 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 12V 0.5A VMT3
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD543ZMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

на замовлення 6993 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA 3PIN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

на замовлення 7527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRNSISTR DIGI NPN 200MA

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

на замовлення 7527 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD713ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD723YETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD723YETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD723YMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD723YMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 200MA TR

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD723YMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD723YMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

на замовлення 3426 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD743EETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTD743EETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743EETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743EMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743EMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743EMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A VMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: VMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 115 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DTD743XETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors DIGI 200MA/30V 3EMT

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743XETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 260 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743XETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 30V 0.2A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms

на замовлення 2860 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.92 грн
14+	22.57 грн
100+	11.38 грн
500+	9.47 грн
1000+	7.37 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743XMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743XMT2L

ROHM Semiconductor

Digital Transistors DIGI 200MA/30V 3VMT

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743ZETL

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743ZETL

ROHM Semiconductor

Digital Transistors TRANSISTOR

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743ZMT2L

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTD743ZMT2L

ROHM Semiconductor

Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANSISTOR

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 8000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/128GB

Kingston Technology

Description: 128GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Size / Dimension: 64.00mm L x 21.20mm W x 10.40mm H
Memory Size: 128GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C

на замовлення 104 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1631.12 грн
10+	1455.07 грн
25+	1409.00 грн
50+	1289.88 грн
100+	1257.79 грн

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/128GB

USB Flash Drives 128GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2

на замовлення 114 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/128GB

KINGSTON TECHNOLOGY

Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 128GB; DataTraveler Duo; green; 0÷60°C
Data storage device: pendrive
Memory capacity: 128GB
Operating temperature: 0...60°C
Manufacturer series: DataTraveler Duo
Colour: green
Version: USB 3.2 Gen 1
Connection: USB A; USB C

на замовлення 3 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	1398.09 грн
3+	1226.11 грн

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/256GB

USB Flash Drives 256GB USB-A + USB-C 3.2 Gen 1 DataTraveler DuoG2

на замовлення 85 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/256GB

KINGSTON TECHNOLOGY

Category: Pendrives
Description: Pendrive; USB 3.2 Gen 1; 256GB; DataTraveler Duo; green; 0÷60°C
Version: USB 3.2 Gen 1
Colour: green
Data storage device: pendrive
Connection: USB A; USB C
Operating temperature: 0...60°C
Memory capacity: 256GB
Manufacturer series: DataTraveler Duo

на замовлення 2 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

1+	2983.14 грн

В кошику од. на суму грн.

DTDEG2/256GB

Kingston Technology

Description: 256GB USB-A + USB-C 3.2 GEN 1 DA
Packaging: Bulk
Memory Size: 256GB
Memory Type: FLASH - NAND
Type: USB 3.2
Operating Temperature: 0°C ~ 60°C
Size / Dimension: 64.00mm L x 21.20mm W x 10.40mm H

на замовлення 17 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	3334.35 грн
10+	2967.21 грн

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GP

SOT89

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GP
Код товару: 106265

Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GP/EO1P

на замовлення 941 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPDHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 995 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	65.84 грн
10+	39.40 грн
100+	25.62 грн
500+	18.48 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPDHZGT100

Rohm Semiconductor

Description: NPN, TO-243 (SOT-89), R2 ALONE T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPDHZGT100

ROHM Semiconductor

Digital Transistors DTDG14GPDHZG is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver. This is a high-reliability product of automotive grade qualified to AEC-Q101.

на замовлення 749 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPDT100

ROHM Semiconductor

Digital Transistors NPN, SOT-89, R2 Alone Type Digital Transistor (with built-in resistor and zener diode) : DTDG14GPD is a digital transistor (with built-in resistor and zener diode), suitable for driver.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 1
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: SOT-89
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPFRAT100

Description: ROHM - DTDG14GPFRAT100 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 1 A, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Dauer-Kollektorstrom Ic: 1
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: -
Dauer-Kollektorstrom: 1
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500
Polarität des Digitaltransistors: Einfach NPN
Bauform - Transistor: SOT-89
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Widerstandsverhältnis R1/R2: -
Betriebstemperatur, max.: 150
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: Lead (17-Jan-2023)

на замовлення 205 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DTDG14GPT100

Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 60V 1A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 2V
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Frequency - Transition: 80 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R2 Only

на замовлення 5206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	64.27 грн
10+	38.34 грн
100+	24.88 грн
500+	17.90 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 4 5 [ Наступна Сторінка >> ]