Продукція > FQD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FQD20N06TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD20N06TMonsemi / FairchildMOSFET 60V N-Ch QFET Logic Level
на замовлення 2204 шт:
термін постачання 83-92 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD20N06TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 16.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.15 грн
11+69.39 грн
25+64.83 грн
100+47.13 грн
250+43.21 грн
500+34.35 грн
1000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD20N06TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 16.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08TFFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08TMFairchild
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08TMFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 19.6A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD24N08TMON Semiconductor / FairchildMOSFET 80V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100onsemi / FairchildMOSFET QF 1000V 9.0OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100LFAIRCHILD04+
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TFONS/FAIPBF, TO-252 (reel) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TFFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 А, Ptot, Вт = 2,5, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 25, Qg, нКл = 15,5 @ 10 В, Rds = 9 Ом @ 800 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: DPAK-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TF Fairchild
Код товару: 220801
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMON-SemiconductorN-MOSFET 1.6A 1000V 50W 9Ω FQD2N100TM TFQD2n100tm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMonsemiMOSFETs 1000V N-Channel QFET
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMONS/FAIPBF, TO-252 (reel) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TMonsemi / FairchildMOSFETs 1000V N-Channel QFET
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TM-F101onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N100TM_F101onsemi / FairchildMOSFET N-CH/1000V/1.6A/9OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N30FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N30TMON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 300V 1.7A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N40FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N40TFFairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N40TFON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 1.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N50FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N50BFAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N50TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
550+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 550 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N50TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60Consemi / FairchildMOSFETs QFC 600V 4.7OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CFAIRCHILDTO-252
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTF_F080onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.08 грн
50+44.77 грн
100+37.36 грн
500+29.19 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMonsemiMOSFETs N-CH/600V/2A/A.QFET
на замовлення 11754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMOn SemiconductorN-CH 600V 1.14A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 132500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 1,9 А, Ptot, Вт = 44, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 235pF @ 25V, Qg, нКл = 12, Rds = 4.7 Ом, Tексп, °C = -55...150, Ugs(th) = ±30 В,... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTMON-SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 4,7Ohm; 1,9A; 44W; -55°C ~ 150°C; FQD2N60CTM TFQD2n60ctm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WSON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.81 грн
5000+35.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WSonsemi / FairchildMOSFET 600V 1.9A NCH MOSFET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60CTM-WSONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.14A; Idm: 7.6A; 44W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 1.14A
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 7.6A
Power dissipation: 44W
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TFON SemiconductorFQD2N60TF
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TFONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N60TF - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 655 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 7387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
371+54.84 грн
Мінімальне замовлення: 371 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TFON SemiconductorFQD2N60TF
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
464+76.29 грн
515+68.67 грн
1000+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 464 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N60TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80onsemi / FairchildMOSFET QF 800V 6.3OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80LFAIRCHILD04+
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TFonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TFFairchild
на замовлення 94000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TF_NLonsemi / FairchildMOSFET N-CH/800V/1.8A/6.3OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMONS/FAIMOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK (TO-252) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMFairchildTransistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 6,3Ohm; 1,8A; 50W; -55°C ~ 150°C; FQD2N80TM TFQD2n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TM
Код товару: 168154
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TM_WSonsemi / FairchildMOSFET 800V N-Channel QFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N80TM_WSonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90onsemi / FairchildMOSFET QF 900V 7.2OHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90FAIRCHILD07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90-NLFAIRCHILDTO-252
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TFFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+59.05 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TFFAIRCHILDFQD2N90TF
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+60.91 грн
1000+57.53 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.11 грн
10+112.90 грн
25+101.86 грн
100+81.59 грн
250+74.79 грн
500+52.82 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 6436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+95.10 грн
50+71.98 грн
100+60.54 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.44 грн
133+107.04 грн
141+100.78 грн
176+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.08A; Idm: 6.8A; 50W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.08A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 7.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.44 грн
10+107.04 грн
50+100.78 грн
100+77.50 грн
500+52.35 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.90 грн
139+101.86 грн
168+84.62 грн
250+80.78 грн
500+55.02 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 850mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.13 грн
5000+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+92.89 грн
500+83.60 грн
1000+77.09 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMONSEMIDescription: ONSEMI - FQD2N90TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 7.2 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.2ohm
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FQD2N90TMonsemiMOSFETs 900V N-Channel QFET
на замовлення 12395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.