Продукція > IHW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 152W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 152W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 59ns Turn-off time: 273ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 30ns/258ns Switching Energy: 630µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 193 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 230 W | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 230W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 230 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 54A; 105W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 54A Power dissipation: 105W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 159nC Kind of package: tube Turn-on time: 36ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) | на замовлення 115 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 83A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 17ns/211ns Switching Energy: 1.1mJ (on), 420µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 159 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 83 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 210 W | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW40N65R6XKSA1 - IGBT, 83 A, 1.29 V, 210 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.29V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 210W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 83A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Monolithic Integrated Diode | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Monolithic Integrated Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T120 | INFINEON | MODULE | на замовлення 100100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T120 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40T120FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 1200V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 195 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 48ns/480ns Switching Energy: 6.5mJ Test Condition: 600V, 40A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 105 A Power - Max: 270 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T60 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT TrnchStp w/Soft Fast Recovery | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T60 | Infineon Technologies | Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40T60 | INF | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | на замовлення 11523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 11395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 143 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: -/186ns Switching Energy: 920µJ Test Condition: 400V, 40A, 5.6Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 303 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW40T60FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 303000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R5 | Infineon technologies | на замовлення 690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IHW50N65R5 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW50N65R5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.35 V, 282 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 282W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 80A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 240 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop 5 | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 80A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 95 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 26ns/220ns Switching Energy: 740µJ (on), 180µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 8Ohm, 15V Gate Charge: 230 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 282 W | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT) Turn-on time: 50ns Turn-off time: 218ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 282W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 650V 100A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 108 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 Td (on/off) @ 25°C: 21ns/261ns Switching Energy: 1.5mJ (on), 660µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 199 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 251 W | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IHW50N65R6XKSA1 - IGBT, 100 A, 1.3 V, 251 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 251W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 100A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IHW50N65R6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs 650 V, 50 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package | на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

