Продукція > IPP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP028N08N3GHKSA1Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.82 грн
34+426.33 грн
52+266.06 грн
100+229.02 грн
250+217.62 грн
500+169.84 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+652.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP028N08N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 2400 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
158+225.12 грн
500+213.33 грн
1000+201.54 грн
Мінімальне замовлення: 158 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+432.68 грн
10+428.40 грн
25+421.00 грн
50+262.73 грн
100+226.15 грн
250+214.90 грн
500+167.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP028N08N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NInfineon technologies
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAK5A1Infineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 30 V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.98 грн
50+103.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1
Код товару: 178126
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 100A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs OptiMOS Power-Transistor,60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 75µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP029N06NXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0029 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 100A, 15V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 276µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 75 V
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.89 грн
50+487.88 грн
100+416.01 грн
500+360.21 грн
1000+360.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N15NM6AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
159+89.39 грн
173+81.82 грн
500+59.16 грн
1000+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
353+40.16 грн
364+38.92 грн
500+37.46 грн
1000+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 353 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 119A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET 60V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
248+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1
Код товару: 202348
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 30 V
на замовлення 388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.28 грн
10+92.76 грн
50+70.13 грн
100+58.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 119A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3.05mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+106.57 грн
6+80.51 грн
10+73.21 грн
50+59.54 грн
100+52.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.10 грн
6000+58.57 грн
9000+54.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10NINFINEON
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3 GInfineon
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs MV POWER MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+518.60 грн
57+249.05 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.72 грн
100+197.54 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+313.40 грн
10+200.44 грн
50+187.86 грн
100+181.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+201.94 грн
50+199.97 грн
100+197.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1InfineonТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+451.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 250
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+451.36 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+407.58 грн
10+262.06 грн
50+206.21 грн
100+176.64 грн
500+147.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP030N10N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 250W
Gate charge: 112nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.69 грн
10+240.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 179A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.17 грн
10+158.73 грн
50+122.32 грн
100+103.79 грн
500+84.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.28 грн
18+42.47 грн
19+40.43 грн
100+38.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+247.73 грн
10+115.21 грн
100+112.32 грн
500+87.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1
Код товару: 192070
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1InfineonTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+63.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
1000+122.58 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 188
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 188
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+116.06 грн
125+113.15 грн
500+91.29 грн
Мінімальне замовлення: 122 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
50+69.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+96.26 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH <= 40V
на замовлення 3855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V
на замовлення 552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.86 грн
50+69.43 грн
100+58.35 грн
500+46.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH PG-TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH <= 40V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP033N04NF2SAKMA1
Код товару: 202349
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03L G
Код товару: 202350
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+50.96 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGHKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.