Продукція > IPP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET 60V | на замовлення 1061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP030N06NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 119 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 119A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 119A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO220-3 Polarisation: unipolar Gate charge: 68nC On-state resistance: 3.05mΩ Drain current: 119A Drain-source voltage: 60V Power dissipation: 150W Kind of channel: enhancement | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N | INFINEON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP030N10N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3 G | Infineon | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs MV POWER MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 | на замовлення 101 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 275µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 50 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP030N10N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP030N10N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0027 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 120 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 250 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: OptiMOS 5 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 100V 120A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 184µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 50 V | на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET >80 - 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10N5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP030N10N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP030N10N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP030N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 179A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 140µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 50 V | на замовлення 807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP030N10NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs StrongIRFET 2 Power -Transistor, 100 V | на замовлення 675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 OptiMOS 3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP032N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 118µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 30 V | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 60V 120A TO220-3 | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP032N06N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 0.0026 ohm, TO-220, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 120 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 188 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 Verlustleistung: 188 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G TIPP032n06n3g кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 240 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 Код товару: 192070
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 78A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 40µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 15 V | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N03LF2SAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH <= 40V | на замовлення 3855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N03LF2SAKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP033N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 78 A, 3300 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH PG-TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 53µA Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 113A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 Код товару: 202349
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP033N04NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 113 A, 2600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 113A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 107W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET 2 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP033N04NF2SAKMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03L G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03L G Код товару: 202350
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP034N03LG | Infineon Technologies | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP034N03LGXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 15 V | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH <= 40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 80V 120A TO220-3 | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP034N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 167W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 167W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5 | Infineon | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 108µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6240 pF @ 40 V | на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IFX FET > 60-80V | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034N08N5XKSA1 | Infineon Technologies | IPP034N08N5XKSA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 OptiMOS 3 | на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034NE7N3 G Код товару: 182613
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220-3 Напруга сток-витік Uds, V: 75 V Струм стоку Idd, A: 100 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 3,4 mOhm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 6110/88 Монтаж: THT | у наявності: 42 шт
|
| ||||||||||||||
| IPP034NE7N3 G | Infineon | на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP034NE7N3G | Infineon technologies | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IPP034NE7N3G | Infineon Technologies | Description: IPP034NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034NE7N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 75V 100A TO220-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IPP034NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V Verlustleistung: 214W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IPP034NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 2905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

