Продукція > NJV
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NJVNJD1718T4G | Rochester Electronics, LLC | Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 838 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD1718T4G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR DPAK 50V | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V | на замовлення 4958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 2A; 12.5W; DPAK; automotive industry Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Application: automotive industry Type of transistor: NPN Current gain: 120...360 Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 65MHz Collector current: 2A | на замовлення 2294 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 65MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.68 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1054 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVNJD2873T4G-VF01 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 65MHz Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (17-Jan-2022) | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V | на замовлення 10716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 50V 2A 1680mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD2873T4G-VF01 | onsemi | Description: TRANS NPN 50V 2A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04G | ON Semiconductor | Darlington Transistors Pwr DARLINGTON TRANSIST | на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | On Semiconductor | NPN DARL 350V 4A DPAK-4 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 350V 4A 45000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVNJD35N04T4G | onsemi | Darlington Transistors NPN DARLINGTON Pwr TRAN | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVTIP106G | onsemi | Switching Controllers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVTIP31CG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP31CG - BIP TO-220 NPN 3A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVTIP31CG | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 10920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVTIP31G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP31G - BIP TO-220 NPN 3A 100V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVTIP32BG | onsemi | Description: BIP T0220 PNP 3A 80V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 8983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVTIP32BG | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP32BG - BIP T0220 PNP 3A 80V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| NJVTIP50G | onsemi | Description: BIP TO-220 NPN 1A 400V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 14716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| NJVTIP50G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJVTIP50G - BIP TO-220 NPN 1A 400V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 14716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |

