Продукція > NTD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD23N03R | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1875 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03R-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03R-001 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD23N03R-001 - MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD23N03R-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK | на замовлення 3372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD23N03R-1 | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03R-1G | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03R-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03R-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A IPAK | на замовлення 13611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD23N03RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RG | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | на замовлення 15804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | на замовлення 29908 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4 | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4G | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD23N03RT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 3.8A/17.1A DPAK | на замовлення 1084941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD2405 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 5A PNL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2410 | Crydom Co. | Description: RELAY SSR AC OUT 240VAC 10A PNL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2410F | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 10A 24-280V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2425 | Crydom | Solid State Relays - Industrial Mount 25A TRIAC OUTPUT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2425 | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V Voltage - Load: 24 V ~ 280 V Approval Agency: CE, CSA, UL Load Current: 25 A Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Circuit: SPST-NO (1 Form A) Voltage - Input: 3 ~ 32VDC Mounting Type: Chassis Mount Output Type: AC, Zero Cross Package / Case: Hockey Puck Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2425-10 | Sensata-Crydom | Description: SSR RELAY SPST-NO 25A 24-280V Voltage - Load: 24 V ~ 280 V Approval Agency: CE, CSA, UL Load Current: 25 A Termination Style: Screw Terminal Operating Temperature: -40°C ~ 80°C Circuit: SPST-NO (1 Form A) Voltage - Input: 3 ~ 32VDC Mounting Type: Chassis Mount Output Type: AC Package / Case: Hockey Puck Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD2425-10 Код товару: 125552
Додати до обраних
Обраний товар
| Реле | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTD24N06 | ON | 07+ SOT-252 | на замовлення 40000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06 | onsemi | MOSFETs 24V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 75 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06-1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD24N06-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L | onsemi | MOSFETs 24V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L | ON | 07+ SOT-252 | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1125 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L-001 | onsemi | MOSFET 24V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L-001 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD24N06L-001 - MOSFET N-CH 60V 24A IPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06L-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06L-1G | на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD24N06LG | onsemi | MOSFET 24V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LG | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LG | On Semiconductor | D-PAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4 | onsemi | MOSFET 24V 60A N-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4 | на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1621 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 24A; 62.5W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 24A Power dissipation: 62.5W Case: DPAK Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2194 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | UMW | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 24A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | onsemi | MOSFETs 24A 60V POWER MOSFET | на замовлення 4008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G | ON-Semiconductor | N-MOSFET 24A 60V 1.36W NTD24N06L TNTD24N06L кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD24N06LT4G(транзистор) Код товару: 81607
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTD24N06T4 | ON | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06T4G | ON | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.36W (Ta), 62.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06T4G | ON Semiconductor | MOSFET 24A 60V N-Channel | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N06T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 27A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD24N60 | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD24N6LG | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD250B106M43A0T00 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | onsemi | MOSFETs SUPERFET3 FAST 250MOHM DPAK | на замовлення 2005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 106W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.201ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V | на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD250N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 13 A, 0.201 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 106W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SUPERFET III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.201ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 13A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD250N65S3H | onsemi | Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 106W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03 | ON | 07+ TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03L | ON | SOT-252 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03L | onsemi | MOSFETs -30V -25A P-Channel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03L1 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03L1 | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03L1G | ON | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTD25P03L1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 25A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LG | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LG | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LG | UMW | Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LG | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LG 20P03. | HXY MOSFET | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 25V; 58mOhm; 20A; 29W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: NTD25P03LT4G; NTD25P03LG HXY MOSFET TNTD25P03 HXY кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LG-VB | VBsemi | 30V 26A 33m@10V,10A 25W 2.5V@250uA 190pF@15V P Channel 1.35nF@15V 19nC@4.5V -55~+150@(Tj) TO-252 MOSFETs NTD25P03LG-VB NTD25P03LG TNTD25P03LG VBS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LRLG | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4 | ON | TO-252/D-PAK | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON-Semiconductor | P-MOSFET 25A 30V 75W 51mΩ NTD25P03LG smd TNTD25P03 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 30V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 25A, 5V Power Dissipation (Max): 75W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | On Semiconductor | D-PAK,P-Channel,30V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -25A; 75W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 75W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Kind of channel: enhancement Drain current: -25A Gate charge: 20nC On-state resistance: 90mΩ Gate-source voltage: ±15V | на замовлення 375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTD25P03LT4G | onsemi | MOSFETs -30V -25A P-Channel | на замовлення 15759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

