Продукція > SIZ
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SIZF918DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF918DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 60 A, 0.0012 ohm, PowerPAIR, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 60 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV, SkyFET Wandlerpolarität: n-Kanal + Schottky Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2.2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | на замовлення 5957 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | на замовлення 11890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs Dual 30V Vds PowerPAIR 6x5F | на замовлення 11012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 28A 8POWERPAIR Part Status: Active Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual), Schottky Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerWDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIZF920DT-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 28A/49A 8-Pin PowerPAIR EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 6064 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFETs PPAIR6X5 2NCH 30V 33A | на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF928DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2N-CH 30V 33A 8POWERPAIR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.45mOhm @ 10A, 10V, 0.75mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PowerPair® (6x5) Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SIZF928DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SIZF928DT-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SIZF928DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 248 A, 248 A, 530 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 248A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 248A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 248A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 530µohm Verlustleistung, p-Kanal: 74W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 530µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 74W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |