Продукція > STW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STW12NK90 | на замовлення 85 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z Код товару: 31985
1
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 900 В Струм стоку Idd, А: 11 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,88 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3500/113 Монтаж: THT | у наявності: 22 шт
|
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | ST | Tranzystor N-MOSFET; 900V; 30V; 880mOhm; 11A; 230W; -55°C ~ 150°C; STW12NK90Z TSTW12NK90Z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STW12NK90Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 11 A, 0.88 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.88ohm | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 880mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | на замовлення 409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 230W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 11A Power dissipation: 230W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 880mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 333 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STM | N-кан., 900V, 0.72 Ом, 11A, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH | на замовлення 356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK90Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 900V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 4104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW12NK95 | на замовлення 70000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW12NK95Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK95Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK95Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW12NK95ZPB-FRE | на замовлення 1680 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW12NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 410mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW1300 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Connection cable; ESD,coiled; blue; 1MΩ; 1.8m Type of antistatic accessories: connection cable Version: coiled; ESD Colour: blue Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm Cable length: 1.8m Resistance: 1MΩ Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 71 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13009 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 400V 12A TO-247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 3A, 12A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 125 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13009 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT H/V FST SWCH PW TRNS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13009 Код товару: 73917
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-247 Напруга колектор-емітер Uceo, В: 400 В Струм колектора Ic, А: 12 А Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| STW13009 | Shindengen | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW1310 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Connection cable; ESD,coiled; blue; 1MΩ; 1.8m Type of antistatic accessories: connection cable Version: coiled; ESD Colour: blue Kind of cord termination: female press stud 10mm x2 Cable length: 1.8m Resistance: 1MΩ Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW1320 Код товару: 192355
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент > Антистатичні рукавички та килимки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW1320 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Connection cable; ESD,coiled; black; 1MΩ; 1.8m Type of antistatic accessories: connection cable Version: coiled; ESD Colour: black Kind of cord termination: banana 4mm plug; crocodile clip; female press stud 10mm Cable length: 1.8m Resistance: 1MΩ Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW1330 Код товару: 192356
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент > Антистатичні рукавички та килимки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW1330 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Connection cable; ESD,coiled; black; 1MΩ; 1.8m Type of antistatic accessories: connection cable Version: coiled; ESD Colour: black Kind of cord termination: female press stud 10mm x2 Cable length: 1.8m Resistance: 1MΩ Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 263 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET PTD HIGH VOLTAGE | на замовлення 1043 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N60M2 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N80K5 Код товару: 151535
1
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 800 В Струм стоку Idd, А: 12 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,45 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 870/29 Монтаж: THT | у наявності: 17 шт
на замовлення: 2 шт
|
| ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SuperMESH5™; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMESH5™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 7.6A Power dissipation: 190W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 0.37 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package | на замовлення 479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STW13N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.37 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.37ohm | на замовлення 425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N80K5 | на замовлення 548 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW13N80K5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N95K3 Код товару: 57538
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW13N95K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N95K3 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 950V SuperMESH3 Zener-Protected 10A | на замовлення 1102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13N95K3 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13N95K3 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 950V 10A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 950 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NB60 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NB60 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW13NB60 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 Volt 15 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 8.2A Power dissipation: 350W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 168 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 1000V; 1000V; 30V; 700mOhm; 13A; 350W; -55°C ~ 150°C; STW13NK100Z TSTW13NK100Z кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 16 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK100Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 13 A, 0.7 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: NO Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 350W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STW productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm | на замовлення 2060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK100Z Код товару: 38847
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 3148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK100Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 150µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 266 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V | на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK50Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO247-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 140W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH | на замовлення 580 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK60Z Код товару: 82405
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 1330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 107 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | ST | N-MOSFET 13A 600V 150W STW13NK60Z TSTW13NK60z кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW13NK60Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STW13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK80Z | st | 10 | на замовлення 60 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK80Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 800 Volt 12 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK80Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NK80Z Код товару: 1914
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 800 В Струм стоку Idd, А: 12 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,65 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3480/115 Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | у наявності: 20 шт
|
| ||||||||||||||||
| STW13NK80Z | STM | N-кан. MOSFET, 800V, 0.65 Ом, 12A, TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NM50N | STMicroelectronics | MOSFETs Ultra Fast Recovery Diode | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NM50N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NM60N | STMicroelectronics | MOSFETs POWER MOSFET N-CH 500V 12 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW13NM60N | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW1430 Код товару: 192354
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент > Антистатичні рукавички та килимки | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW1450 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Ground cord; ESD,coiled; black; 1MΩ; 2.4m Type of antistatic accessories: ground cord Version: coiled; ESD Resistance: 1MΩ Kind of cord termination: female press stud 10mm Cable length: 2.4m Colour: black Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW1460 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Ground cord; ESD,coiled; black; 1MΩ; 2.4m Type of antistatic accessories: ground cord Version: coiled; ESD Resistance: 1MΩ Kind of cord termination: banana 4mm plug Cable length: 2.4m Colour: black Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW1485 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Universal grounding box; ESD Type of antistatic accessories: universal grounding box Version: ESD Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands Connection: banana 4mm socket; press stud male 10mm x6 | на замовлення 4 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW1490 | STATICTEC | Category: ESD Accessories Description: Connection cable; ESD; black; 1MΩ; 2.5m Type of antistatic accessories: connection cable Version: ESD Resistance: 1MΩ Kind of cord termination: banana 4mm plug; banana 4mm socket x2; crocodile clip; female press stud 10mm Cable length: 2.5m Colour: black Antistatic elements application: earthing ESD matts to ground; earthing ESD wristbands | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14N50 | на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW14NC50 | ST | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| STW14NC50ZPB | на замовлення 1168 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| STW14NK50Z Код товару: 3300
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-247 Напруга сток-витік Uds, В: 500 В Струм стоку Idd, А: 14 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,38 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2000/69 Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | у наявності: 32 шт
|
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STM | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH | на замовлення 673 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | на замовлення 335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STW14NK50Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 14 A, 0.34 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 150W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| STW14NK50Z | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 14A Power dissipation: 150W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 44 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|

