Продукція > TPN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TPN7R006PL,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R006PL,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 76 A, 5400 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 75W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 3679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
12+68.86 грн
100+48.48 грн
500+33.13 грн
1000+28.10 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R006PLL1Q(MToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R504PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R504PL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 40V 38A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 610mW (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+49.43 грн
100+32.47 грн
500+23.61 грн
1000+21.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R504PL,LQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.67 грн
10+37.87 грн
100+22.51 грн
500+17.67 грн
1000+16.08 грн
3000+14.01 грн
6000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R504PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.60 грн
500+26.10 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R504PL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R504PL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 68 A, 5600 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIX-H Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.26 грн
16+53.32 грн
100+35.60 грн
500+26.10 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1QToshibaMOSFETs U-MOSVIII-H 30V 53A 24nC MOSFET
на замовлення 27086 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+71.69 грн
100+41.42 грн
500+32.52 грн
1000+27.34 грн
2500+27.27 грн
5000+25.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1QToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.51 грн
10+66.64 грн
100+44.48 грн
500+32.77 грн
1000+29.88 грн
2000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.18 грн
500+32.91 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN7R506NH,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN7R506NH,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 53 A, 6000 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 42W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+107.12 грн
12+67.90 грн
100+45.18 грн
500+32.91 грн
1000+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN80S12BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Type of clamping tool: clamp
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2852.00 грн
3+2556.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN80S12BE-2KBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Type of clamping tool: clamp
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2316.86 грн
3+2077.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TPN80S14BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Type of clamping tool: clamp
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN80S17BEBESSEYCategory: Vices and Clamps
Description: Clamp; parallel; cast iron
Type of clamping tool: clamp
Kind of clamping: parallel
Material: cast iron
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.09 грн
10+107.92 грн
100+72.32 грн
500+49.36 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R408QM,L1Q(MTOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN8R408QM,L1Q(M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 77 A, 6500 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 100W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSX-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.32 грн
500+49.36 грн
1000+39.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NLToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshibaMOSFETs N-Ch DTMOS VII-H 22W 630pF 37A 30V
на замовлення 8492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.29 грн
10+34.38 грн
100+22.71 грн
500+22.37 грн
1000+22.09 грн
3000+18.98 грн
6000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
435+32.63 грн
513+27.66 грн
518+27.39 грн
567+24.15 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 435 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ
Код товару: 165086
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshibaTrans MOSFET N-CH Si 30V 37A 8-Pin TSON Advance T/R
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.00 грн
24+32.78 грн
25+32.63 грн
100+26.67 грн
250+24.45 грн
500+21.46 грн
1000+19.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
на замовлення 8122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.02 грн
10+38.59 грн
100+27.71 грн
500+23.56 грн
1000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.60 грн
50+126.45 грн
100+92.62 грн
500+70.90 грн
1500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NL,LQ(STOSHIBADescription: TOSHIBA - TPN8R903NL,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 37 A, 8900 µohm, TSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22W
Bauform - Transistor: TSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8900µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.60 грн
50+126.45 грн
100+92.62 грн
500+70.90 грн
1500+60.61 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TPN8R903NLLQ(SToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TPNUP2105LT1G---Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4