Продукція > ZXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXTC2062E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 144000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto | на замовлення 6472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.1W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 7666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes | Bipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor SOT-26-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 174000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2062E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 146724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 54763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR | на замовлення 5013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 700mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 700mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 3241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC2063E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 42540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC4591AMCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Part Status: Active | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCTA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN / PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC4591AMCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC4591AMCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 40V High Perf Trans Ic = 3A 500mV 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6717MC | на замовлення 2900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXTC6717MCQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V W-DFN3020 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.13W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6717MCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6717MCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW Automotive T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6717MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 15V NPN 12V PNP Bvceo 15V IC 4.5A | на замовлення 2369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V WDFN3020-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 1095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6717MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6717MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 15V/12V WDFN3020-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCQTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCQTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCQTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: W-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Comp Dual 20V 20V 4.5A IC 47mOhm | на замовлення 3813 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz Supplier Device Package: W-DFN3020-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6718MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: W-DFN3020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 1.7W MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6719MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN 40V PNP Low SAT Trans | на замовлення 14625 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 1.7W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A | на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | на замовлення 2803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 1.7W Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN3020B Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.7W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A | на замовлення 2844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | DIODES INCORPORATED | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80/70V; 4/3A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: complementary pair Collector-emitter voltage: 80/70V Collector current: 4/3A Power dissipation: 2.45W Case: WDFN3020-8 Pulsed collector current: 5A Current gain: 10...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100...160MHz Manufacturer standard package: 3000pcs. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTC6720MCTA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.7W Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz Supplier Device Package: DFN3020B-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTCM322 | ZETEX | 06+; | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTCM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTCM322TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 25nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 165MHz Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2) Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTCM322TA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXTD09N50DE | на замовлення 3450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ZXTD09N50DE6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 1.1W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A | на замовлення 755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN | на замовлення 2914 шт: термін постачання 357-366 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TA | Diodes Inc./Zetex | TRANS NPN DUAL LOSAT 50V SOT23-6 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD09N50DE6TC | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD1M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2090E6 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 336000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | DIODES INCORPORATED | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 1A; 1.7W; SOT26 Mounting: SMD Manufacturer standard package: 1000pcs. Collector-emitter voltage: 50V Power dissipation: 1.7W Polarisation: bipolar Pulsed collector current: 2A Type of transistor: NPN x2 Current gain: 20...450 Kind of package: reel; tape Case: SOT26 Frequency: 215MHz Collector current: 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W Current - Collector (Ic) (Max): 1A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-26 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ZXTD2090E6TA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2M832TA | ZETEX | SOT163 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD2M832TA | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ZXTD3M832TA | на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

