НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXTC2062E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
581+24.37 грн
582+24.33 грн
1000+24.28 грн
3000+23.37 грн
6000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.92 грн
6000+18.62 грн
9000+17.84 грн
15000+15.92 грн
21000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.61 грн
6000+23.50 грн
9000+22.70 грн
15000+20.97 грн
21000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transisto
на замовлення 6472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC2062E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 140hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 290MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 140hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 7666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
369+24.44 грн
500+24.37 грн
1000+24.32 грн
3000+23.39 грн
6000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 369 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodesBipolar Transistors - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor SOT-26-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 4A/3.5A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.61 грн
6000+23.50 грн
9000+22.70 грн
15000+20.97 грн
21000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2062E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 20V 4A/3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz, 290MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 146724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+44.46 грн
100+30.81 грн
500+24.16 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.15 грн
6000+21.36 грн
24000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 54763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.73 грн
10+48.68 грн
100+32.02 грн
500+23.31 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
389+36.42 грн
500+28.68 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
256+35.37 грн
500+28.68 грн
1000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 256 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 3.5A/3A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 195mV @ 350mA, 3.5A / 175mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V / 200 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 190MHz, 270MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.29 грн
6000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.15 грн
6000+21.36 грн
24000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40V 1A Medium Power TRANSISTOR
на замовлення 5013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC2063E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 3.5 A, 3.5 A, 700 mW
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 190MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 3.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 270MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 3.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC2063E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 3.5A/3A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.27 грн
6000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 42540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.21 грн
25+65.15 грн
50+54.13 грн
100+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Mid-Perf Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5A, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.46 грн
9000+28.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCTADIODES INCORPORATEDCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar
Mounting: SMD
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN / PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 2.5A/2A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.76 грн
10+59.78 грн
25+50.30 грн
50+41.66 грн
100+37.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Current - Collector (Ic) (Max): 2A, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.21 грн
9000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC4591AMCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40V High Perf Trans Ic = 3A 500mV 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MC
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 15V/12V W-DFN3020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.13W
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor U-DFN3020-8 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW Automotive T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual 15V NPN 12V PNP Bvceo 15V IC 4.5A
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 15V/12V WDFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.97 грн
100+35.60 грн
500+26.00 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 15V 5A/4.45A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6717MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 15V/12V WDFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, 12V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 50mA, 4.5A / 310mV @ 150mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz, 110MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCQTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCQTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Pwr Low Sat Transistor
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCQTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.77 грн
6000+25.77 грн
9000+25.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+53.97 грн
100+35.60 грн
500+26.00 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: W-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 20V 5A/3.8A 3000mW 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Comp Dual 20V 20V 4.5A IC 47mOhm
на замовлення 3813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 20V W-DFN3020-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 140MHz, 180MHz
Supplier Device Package: W-DFN3020-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6718MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6718MCTA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 140MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 20V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: W-DFN3020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 20V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.69 грн
6000+26.34 грн
9000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.69 грн
6000+26.34 грн
9000+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 50V/40V DFN3020B-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 4A, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz, 190MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 50V 4.5A/3.5A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6719MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 4.5 A, 4.5 A, 1.7 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 165MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.7W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6719MCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN 40V PNP Low SAT Trans
на замовлення 14625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.7W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.25 грн
100+36.43 грн
500+26.60 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTC6720MCTA - Bipolares Transistor-Array, NPN, PNP, 80 V, 80 V, 4 A, 4 A, 1.7 W
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 40hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 160MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 1.7W
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 4A
Übergangsfrequenz, PNP: 180MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 40hFE
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN3020B
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.7W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN, PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 80V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 4A
на замовлення 2844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual 80V NPN 70V PNP VCEO 80V Rsat 68mOh
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 80V 4A/3A 2450mW 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADIODES INCORPORATEDCategory: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 80/70V; 4/3A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: complementary pair
Collector-emitter voltage: 80/70V
Collector current: 4/3A
Power dissipation: 2.45W
Case: WDFN3020-8
Pulsed collector current: 5A
Current gain: 10...900
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...160MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTC6720MCTADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 80V/70V 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.7W
Current - Collector (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80V, 70V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 160MHz, 180MHz
Supplier Device Package: DFN3020B-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTCM322ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTCM322TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTCM322TADiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 50V 4A 3MLP/DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerSMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 25nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 165MHz
Supplier Device Package: 3-MLP/DFN (2x2)
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTCM322TA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE
на замовлення 3450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXTD09N50DE6TA - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 50 V, 1 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 215MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1A
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TADiodes Inc./ZetexTRANS NPN DUAL LOSAT 50V SOT23-6 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD09N50DE6TCDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD1M832TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD1M832TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 12V 4A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 336000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADIODES INCORPORATEDCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 1A; 1.7W; SOT26
Mounting: SMD
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: bipolar
Pulsed collector current: 2A
Type of transistor: NPN x2
Current gain: 20...450
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 215MHz
Collector current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADiodes ZetexTrans GP BJT NPN 50V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN DUAL 50V 1A SOT-26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.1W
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-26
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.23 грн
25+57.48 грн
50+47.69 грн
100+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2090E6TADiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN Low Sat Switching Tran 160mV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2M832TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2M832TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2M832TAZETEXSOT163
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD2M832TADiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 20V 3.5A 8MLP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD3M832TA
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.