Продукція > si4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.53 грн
10+66.34 грн
100+46.27 грн
500+39.61 грн
1000+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
221+63.85 грн
222+63.52 грн
270+52.09 грн
308+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 221 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4100DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6.8 A, 0.051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.36 грн
12+63.85 грн
25+63.52 грн
100+50.23 грн
250+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 4.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4100DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+73.89 грн
193+73.05 грн
255+53.32 грн
257+48.89 грн
500+36.54 грн
1000+29.08 грн
Мінімальне замовлення: 191 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.19 грн
17+45.53 грн
25+43.98 грн
100+35.43 грн
250+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 25.7A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
309+45.53 грн
320+43.98 грн
Мінімальне замовлення: 309 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8190 pF @ 15 V
на замовлення 5483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.51 грн
10+56.85 грн
100+36.95 грн
500+27.78 грн
1000+25.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 74173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4101DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4101DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 25.7 A, 0.005 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 4.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4102DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI4103DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 16 A, 6700 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 16A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.97 грн
10+45.81 грн
100+33.01 грн
500+24.41 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 14A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4103DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 109400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 4.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4104DYT1E3VISHAY
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-E3
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI410A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110-KT09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-E3
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3
на замовлення 124200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DYT1E3VISHAY
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110KTSILICON
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BM
на замовлення 434 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BTSILICONIX0544
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-BT
Код товару: 47301
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+538.17 грн
10+476.54 грн
25+409.67 грн
80+381.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsMLP 28/I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+538.17 грн
30+476.54 грн
35+409.67 грн
80+381.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Frequency - Max: 1GHz
Output: Clock
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Packaging: Tray
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.84 грн
10+393.74 грн
25+372.63 грн
80+326.63 грн
230+307.56 грн
490+294.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Output: Clock
Frequency - Max: 1GHz
Type: Frequency Synthesizer
Input: Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: Yes/No
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+289.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with IF OUT
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 28QFN
Type: Frequency Synthesizer
Frequency - Max: 1GHz
Output: Clock
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 28-WFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Part Status: Active
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 28-QFN (5x5)
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Input: Crystal
на замовлення 4618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.45 грн
10+380.99 грн
25+360.50 грн
100+311.97 грн
250+296.18 грн
500+285.03 грн
1000+270.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GMRSilicon LabsMLP 28/?I°/IF SYNTHESIZER IF ONLY, LEAD FREE SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC FREQ SYNTH 24TSSOP
Input: Crystal
Type: Frequency Synthesizer
Frequency - Max: 1GHz
Output: Clock
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 24-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tube
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of Circuits: 1
Divider/Multiplier: Yes/No
PLL: Yes
Supplier Device Package: 24-TSSOP
Differential - Input:Output: No/No
Ratio - Input:Output: 1:1
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
на замовлення 6610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.94 грн
10+315.02 грн
62+282.58 грн
124+254.81 грн
310+241.99 грн
558+234.28 грн
1054+223.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LaboratoriesRF Synthesizer with IF OUs
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsSI4112
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTSilicon LabsPhase Locked Loops - PLL RF Synthesizer with IF output
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/IF Synthesizer IF Only SI4112
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products IF Synthesizer IF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1000MHz-OUT 24-Pin TSSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-D-GTRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER IF ONLY 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112-EVBSilicon LabsTSSOP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD-TSSOP SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112BTSILICON
на замовлення 235 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112G-BM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsDescription: BOARD EVALUATION FOR SI4112
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsMLP/I°/IF ONLY EVALUATION BOARD SI4112
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4112M-EVBSilicon LabsRF Development Tools IF Only Evaluation Board MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BMR
на замовлення 7280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-BTSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMSilicon LabsQFN 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS SI4113
кількість в упаковці: 490 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsMLP 28/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 28-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsRF Wireless Misc Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GMRSilicon LabsDescription: IC SYNTHESIZER RF-ONLY 28MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks SolutionsClock Generator 2MHz to 26MHz-IN 1720MHz-OUT 24-Pin TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions, Inc.Phase Locked Loops - PLL RF synthesizer with RF1/RF2 output
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTSilicon LabsSLLSI4113-D-GT SI4113
кількість в упаковці: 62 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsClock Generators & Support Products Dual-Band RF Synthesizer (RF1/RF2) RF Only, lead free
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSkyworks Solutions Inc.Description: IC SYNTHESIZER RF1/RF2 24TSSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4113-D-GTRSilicon LabsTSSOP 24/I°/DUAL-BAND RF SYNTHESIZER (RF1/RF2) RF ONLY SI4113
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 12 18 24 30 36 42 48 54 60 66 67  [ Наступна Сторінка >> ]