Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRF642HARRISIRF642
на замовлення 4564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.08 грн
1000+100.58 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF642HARRISIRF642
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF642HARRISIRF642
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF642Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
на замовлення 5852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF642RHARRISIRF642R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.13 грн
500+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF642RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+86.15 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF643HARRISIRF643
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
500+107.66 грн
1000+99.28 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF643HARRISIRF643
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF643Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 25 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
235+84.81 грн
Мінімальне замовлення: 235 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644HARRISIRF644
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.27 грн
500+191.69 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRF6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644Harris CorporationDescription: 14A, 250V, 0.28 OHM, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 24445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+156.72 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644HARRISIRF644
на замовлення 23619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.27 грн
500+191.69 грн
1000+181.10 грн
10000+164.43 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 250 Volt 14 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B
Код товару: 192729
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF644B-FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 636 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B-FP001Fairchild SemiconductorDescription: IRF644B - DISCRETE MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+156.72 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644B_FP001ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+202.27 грн
500+191.69 грн
Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NPBFTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSTRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSTRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644NSTRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+47.30 грн
303+46.71 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 629 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.45 грн
10+90.58 грн
50+76.19 грн
100+71.11 грн
250+63.49 грн
500+59.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
169+83.77 грн
190+74.38 грн
500+70.09 грн
Мінімальне замовлення: 169 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+363.14 грн
50+181.44 грн
100+165.15 грн
500+128.20 грн
1000+119.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+224.80 грн
10+133.41 грн
100+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF
Код товару: 123223
Додати до обраних Обраний товар
SILIТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 8,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,28 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/68
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+23.50 грн
10+20.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.55 грн
100+46.95 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+160.69 грн
105+135.66 грн
112+126.44 грн
250+109.23 грн
500+94.08 грн
Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+133.41 грн
145+97.95 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF
Код товару: 22636
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+39.00 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.62 грн
10+83.77 грн
100+74.38 грн
500+67.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF
Код товару: 181182
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 14 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,24 Ом
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
  • 2 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+42.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRF644PBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 250V, 14A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 250V 14A N-CH MOSFET
на замовлення 1007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.12 грн
50+163.14 грн
100+148.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRF644SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SSiliconixN-MOSFET 14A 250V 125W 0.28Ω IRF644S TIRF644s
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+126.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
50+173.63 грн
100+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.30 грн
10+107.39 грн
100+98.51 грн
500+92.28 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+106.86 грн
144+98.02 грн
500+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 133 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.41 грн
10+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+294.46 грн
10+163.38 грн
50+137.13 грн
100+128.67 грн
250+120.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 1316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+291.08 грн
58+243.67 грн
100+229.18 грн
250+205.75 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRF644STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 14 A, 0.28 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
10+222.46 грн
100+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.90 грн
10+222.46 грн
100+157.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 250V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 250V 14 Amp
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 8.5A; Idm: 56A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 8.5A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF644STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF645Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646H
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF646_R4943onsemi / FairchildMOSFET TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF647HARRISIRF647
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
246+143.47 грн
500+128.18 грн
1000+118.78 грн
Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF647Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 275 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+102.18 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650ASamsung
на замовлення 15200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650B
Код товару: 83092
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 200 В
Струм стоку Idd, А: 28 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,085 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2600/95
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
10+30.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF650B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654B07+
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFairchild SemiconductorDescription: IRF654B - 21A, 250V, 0.14OHM, N-
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+96.85 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BON SemiconductorIRF654B
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001ON SemiconductorIRF654BFP001
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+127.01 грн
500+114.31 грн
1000+105.42 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRF654BFP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 391 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654BFP001Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+92.25 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF654B_FP001onsemi / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6601IR2004
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MQ
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric MQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6602
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRF6603International RectifierMFET N-CH 30V 28A DirectFETtm (new!!! ключ для ноутбуков) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 66 88 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]