Продукція > 2Sk

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK3018ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106ROHMSOT323-KN
на замовлення 184378 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 SOT323-KNROHM
на замовлення 1178 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T106 SOT323-KN PROHM
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018 T146RRHOMSOT23 07+ LF
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-MLMOSLEADERDescription: N-ch MOS 30V 0.1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.61 грн
1000+2.46 грн
3000+2.29 грн
6000+2.11 грн
15000+2.04 грн
30000+1.96 грн
75000+1.81 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-T106/KN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 27595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.08 грн
20+15.10 грн
100+9.45 грн
500+6.58 грн
1000+5.84 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.1A; 0.2W; SOT323; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.42 грн
6000+4.71 грн
9000+4.45 грн
15000+3.90 грн
21000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial Components Corp.Trans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 2SK3018-TP T2SK3018-TP
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.10 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TP
Код товару: 168219
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3018-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMCC Corp.MOSFET N-CH 30V 100MA SOT323 Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
10+78.00 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018AROHM
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V .1A SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHMDescription: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 38614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin UMT T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106RohmN-CH, MOSFET, 30V, 0.1A, SOT-323 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106ROHMDescription: ROHM - 2SK3018T106 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
на замовлення 38614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018T106SOT323-KNROHM
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WGOODWORKDescription: 30V 250mA 1.5@10V SOT-323
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3018WShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT-
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+7.05 грн
94+3.25 грн
133+2.28 грн
155+1.83 грн
500+1.31 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019GOODWORKDescription: 30V 200mA 3.5@10V SOT-523
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 30V 100MA 8@4V,10MA 150MW 1.5V 1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
64+4.79 грн
100+3.90 грн
500+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019ROHM SemiconductorMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 TLROHMSOT23
на замовлення 7965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019 TL SOT416-KNROHM
на замовлення 2138 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100mA; 0.15W; SOT523; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+20.04 грн
32+13.43 грн
100+7.83 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.17 грн
100+6.94 грн
500+4.79 грн
1000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET N-CH 30V 100MA SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.89 грн
6000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - 2SK3019-TP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 290mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 225 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019/KNROHM09+
на замовлення 23018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
22+14.19 грн
100+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.1A 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-Ch 30Vds 20Vgs 100mA 150mW 9pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019A-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET SOT-523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.115A 3-Pin SOT-523 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019HE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019KN
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHMDescription: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 30V .1A SOT416
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohmMOSFET N-CH 30V 100MA EMT3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
на замовлення 1911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
23+13.66 грн
50+9.83 грн
100+8.05 грн
500+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLROHMDescription: ROHM - 2SK3019TL - Leistungs-MOSFET, Low-Gate-Drive, n-Kanal, 30 V, 100 mA, 13 ohm, EMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: EMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 13ohm
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3019TLSOT416-KNROHM
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302
Код товару: 92389
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302TOSHIBA
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302(TG)TOSHIBA00+ SOT-23
на замовлення 39999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-GRTOSHIBASOT23
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-GR(TE85L,F)ToshibaMOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-YTOSHIBA09+
на замовлення 30018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-Y(TE85L)ToshibaMOSFET S-MINI FET(HF),DISCON(07-10)/OBSOLETE(09-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-Y(TE85L,F)ToshibaMOSFET S-MINI FET,DISCON(07-10)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-Y(TE85LF)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-Y/TYTOSHIBASOT-23 02+
на замовлення 847 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302-YGRTOSHIBA
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET N-CH 30V 0.5A 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
на замовлення 2141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+6.01 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
2000+3.22 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3020-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3021
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302200LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 60V 5A U-G2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 10W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2Sk3024
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302500LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 60V 30A U-DL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-DL
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3025U0LPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3025U0LCTPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3025U0LTRPanasonicMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 60V 30A UG-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3028
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK302YTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303SANYO
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK303-3-TB-E - 2SK303 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-EON Semiconductor2SK303-3-TB-E
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-EonsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 17321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+22.10 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-3-TB-EON Semiconductor2SK303-3-TB-E
на замовлення 14321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1521+23.25 грн
10000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 1521 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303-V2
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303000LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 100V 8A U-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303100LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 100V 15A U-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: U-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3034TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3035PANPSONIC09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3038
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK303V4-TBSAYNOSOT23
на замовлення 3620 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304SANYO
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3042
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3043Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 450V 5A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3043PANASONIC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]