Продукція > 1N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1N6478HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6478HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6478HE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6478HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6478HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 50 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt | на замовлення 4454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay | 1.0A 100V MELF=DO-213AB (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 8228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 100 Volt | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/96 | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6479HE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 100 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE GP 400V 400MA DO213AA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AA Current - Average Rectified (Io): 400mA Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1 | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 0.4A 2-Pin DO-213AA Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 239 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1 | Microchip Technology | Rectifiers 400V 400mA Signal or Computer Diode Round-End | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1/TR | Microchip Technology | Rectifiers 400 V Signal or Computer Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 228 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 400V 400MA DO213AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 228 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N647UR-1/TR | Microsemi | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648 | Microchip Technology | Diode 0.4A 2-Pin DO-35 Bag | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N648 | Microchip / Microsemi | Rectifiers Zener Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648 | Microchip Technology | Diode 0.4A 2-Pin DO-35 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 313 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648-1 | Microchip Technology | Diode 0.4A 2-Pin DO-35 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 313 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648-1 | Microsemi Commercial Components Group | Description: DIODE GEN PURP 500V 400MA DO35 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 313 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648-1 | MICROSEMI | DO35/STANDARD RECTIFIER (TRR MORE THAN 500NS) 1N648 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648-1 | Microchip Technology | Diode 0.4A 2-Pin DO-35 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 313 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648-1 | Microsemi | Rectifiers Switching | на замовлення 369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N648/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GP REV 500V 400MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 400mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 500 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 400 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 500 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 295 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AB Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 23029 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | на замовлення 7825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 200 Volt | на замовлення 4752 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6480-E3/96 | Vishay | DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480-E3/97 | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480HE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480HE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6480HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Case: DO213AB; GL41 Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.2mA Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1500pcs. | на замовлення 5941 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | на замовлення 45171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 77 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt | на замовлення 16875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 400 Volt | на замовлення 7888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/96 | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6481-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/97 | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6481HE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | на замовлення 11167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 600 Volt | на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/96 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 71 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/97 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482-E397 | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/96 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/96 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/97 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/97 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6482HE3/97 | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1.0 Amp 800 Volt | на замовлення 15818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Vishay | 1.0A 800V MELF=DO-213AB (SMD) Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; DO213AB,GL41; Ufmax: 1.1V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated Capacitance: 8pF Case: DO213AB; GL41 Max. forward voltage: 1.1V Max. forward impulse current: 30A Leakage current: 0.2mA Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1500pcs. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6483-E3/96 | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-213AB T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. |

