Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2124-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | на замовлення 2054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | на замовлення 1840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 20509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 30V | на замовлення 5478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 30V 2A PCP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2124-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2090 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2124-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125 | onsemi | BIP PNP 3A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-S-TD-E - 2SA2125 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 3A 50V tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Bulk | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-S-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: PCP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 3.5 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER | на замовлення 1101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 380MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 20995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A PCP DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 390MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | onsemi | Bipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2125-TD-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2125-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126 | onsemi | BIP PNP 3A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bag Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-E - 2SA2126-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bag Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: NO euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 27300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | на замовлення 33600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 27300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TPFA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-S-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 200...560 Frequency: 390MHz Polarisation: bipolar Case: DPAK Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 17079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 49700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 7175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 3460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING | на замовлення 1973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 390MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 16800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 15W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 390MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 448033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 446939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 3A Power dissipation: 0.8W Case: TO252 Current gain: 200...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 390MHz | на замовлення 920 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 12590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 3A TP-FA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 390MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 79800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2126-TL-H. | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2126-TL-H. - BIPOLAR TRANSISTOR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-MP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2127 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127 - 2SA2127, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Frequency - Transition: 420MHz Supplier Device Package: 3-MP Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127-AE | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 420MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127-AE | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R | на замовлення 22014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2127-AE | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3-MP Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Obsolete DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Bulk Supplier Device Package: 3-MP Frequency - Transition: 420MHz | на замовлення 22014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2127-AE | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127-AE - 2SA2127 - PNP BIPOLAR TRANSISTOR tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127-AEX | ON Semiconductor | Description: TRANS BIPO TO-93 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2127X | onsemi | Description: 2SA2127 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2127X | ON Semiconductor | 2SA2127X | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2127X | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2127X - 2SA2127X, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA212H | на замовлення 3625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA213 | NEC | CAN | на замовлення 397 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA214 | NEC | CAN | на замовлення 468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA21400P | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D-A1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-220D-A1 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA21400Q | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 180V 1.5A TO220D-A1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1 W | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2142(TE16L1NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT High-Voltage Switch Vceo -600V Ta 25c | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA215 | NEC | CAN | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2151 | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 200V 15A TO-3P Power - Max: 160 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 20MHz Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA21512SC6011 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA2151A | Sanken | Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Complementary to 2SC6011A 2SA2151A TO-3P T2SA2151a кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| 2SA2151A Код товару: 152091
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 2SA2151A | Sanken Electric USA Inc. | Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-3P Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Bulk Power - Max: 160 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Current - Collector (Ic) (Max): 15 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2151A2SC6011A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

