Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA2124-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 2A PCP
на замовлення 2054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.07 грн
10+36.71 грн
100+27.38 грн
500+20.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EON Semiconductor
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2151+16.41 грн
10000+14.63 грн
Мінімальне замовлення: 2151 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1741+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 30V
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 30V 2A PCP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2124-TD-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2090 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2124-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 30V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1741+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 1741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125onsemi BIP PNP 3A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-S-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2125-S-TD-E - 2SA2125 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR, 3A 50V
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-S-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-S-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: PCP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 3.5 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.44 грн
10+33.58 грн
100+21.71 грн
500+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1046+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 1046 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.61 грн
2000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EonsemiBipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON Semiconductor
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2125-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 3.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-89
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 380MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 20995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1866+18.91 грн
10000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 1866 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 390MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.77 грн
10+45.64 грн
100+29.91 грн
500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 1.3W; SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.3W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 390MHz
Polarisation: bipolar
Case: SOT89
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A PCP
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 3.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: PCP
Frequency - Transition: 390MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HonsemiBipolar Transistors - BJT DC-DC CONVERTER
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2125-TD-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2125-TD-H - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126onsemi BIP PNP 3A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2126-E - 2SA2126-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Bag
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+47.50 грн
100+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2126-S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 27300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TPFA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 33600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
897+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 27300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
10000+32.59 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TPFA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-S-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
891+39.64 грн
1000+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 200...560
Frequency: 390MHz
Polarisation: bipolar
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+36.58 грн
1047+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 17079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.05 грн
10+51.52 грн
100+33.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 49700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+36.58 грн
1047+33.73 грн
10000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+36.58 грн
1047+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2126-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 390MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 16800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+24.52 грн
1400+21.50 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+36.58 грн
1047+33.73 грн
10000+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
965+36.58 грн
1047+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2126-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 3 A, 15 W, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 390MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 448033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 446939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+27.51 грн
10000+24.52 грн
100000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.39 грн
10+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 3A; 0.8W; TO252
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 3A
Power dissipation: 0.8W
Case: TO252
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 390MHz
на замовлення 920 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+49.89 грн
19+22.50 грн
25+19.85 грн
100+17.87 грн
700+16.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+27.51 грн
10000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HonsemiDescription: TRANS PNP 50V 3A TP-FA
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TP-FA
Frequency - Transition: 390MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 520mV @ 100mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 3A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 79800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+27.51 грн
10000+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 1283 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2126-TL-H.ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2126-TL-H. - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2127 - 2SA2127, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127onsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 420MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127onsemiBipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127-AEonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A 3-MP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 420MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127-AEON SemiconductorTrans GP BJT PNP 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 22014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127-AEonsemiDescription: TRANS PNP 50V 2A 3-MP
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Part Status: Obsolete
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: 3-MP
Frequency - Transition: 420MHz
на замовлення 22014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2127-AE - 2SA2127 - PNP BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127-AEXON SemiconductorDescription: TRANS BIPO TO-93
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127XonsemiDescription: 2SA2127 - BIPOLAR PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127XON Semiconductor2SA2127X
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2127XONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA2127X - 2SA2127X, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA212H
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA213NECCAN
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA214NECCAN
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA21400PPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 180V 1.5A TO-220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 180 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA21400QPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PNP 180V 1.5A TO220D-A1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+72.25 грн
306+46.19 грн
500+40.45 грн
Мінімальне замовлення: 196 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.58 грн
10+35.96 грн
25+32.34 грн
100+26.61 грн
250+24.82 грн
500+23.74 грн
1000+22.48 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+78.58 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 600V 0.5A PW-MOLD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1,NQ)ToshibaTrans GP BJT PNP 600V 0.5A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+69.53 грн
318+44.41 грн
500+38.95 грн
Мінімальне замовлення: 203 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2142(TE16L1NQ)ToshibaBipolar Transistors - BJT High-Voltage Switch Vceo -600V Ta 25c
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA215NECCAN
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2151Sanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 200V 15A TO-3P
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA21512SC6011
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2151ASankenTrans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Complementary to 2SC6011A 2SA2151A TO-3P T2SA2151a
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+172.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2151A
Код товару: 152091
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2151ASanken Electric USA Inc.Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3P
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-3P
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 3A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 160 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA2151A2SC6011A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 30 36 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]