Продукція > BUK

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 54  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BUK9M15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+23.99 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNXP2xN-MOSFET 60V 47A 5V,10V 75W AUTOMOTIVE BUK9M15-60EX TBUK9m15-60ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNexperiaMOSFETs N-channel 100 V, 156 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 12453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1093+32.37 грн
10000+28.85 грн
Мінімальне замовлення: 1093 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+55.48 грн
100+36.60 грн
500+26.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M15-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.06 грн
10+38.95 грн
50+28.59 грн
100+23.69 грн
500+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNexperiaMOSFETs SOT1210 100V 9.3A
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M156-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+17.13 грн
4500+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M16-100LXNexperiaMOSFETs BUK9M16-100L/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M16-100LXNexperiaN-channel Logic Level MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M16-100LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90.9W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30E,115Nexperia USA Inc.Description: BUK9M17-30E - N-CHANNEL 30V, LOG
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 30V 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M17-30EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.30 грн
10+49.66 грн
50+36.68 грн
100+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperiaMOSFETs N-channel 40 V, 20.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 3072 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNXPN-MOSFET 60V 38A 5V 62W AUTOMOTIVE BUK9M19-60EX TBUK9m19-60ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+89.13 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M19-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+104.90 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.18 грн
500+24.85 грн
1000+19.79 грн
3000+15.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+37.06 грн
100+23.97 грн
500+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
338+41.94 грн
464+30.49 грн
469+30.18 грн
570+23.96 грн
1000+17.67 грн
3000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33
Vgs (Max): +16V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
446+24.19 грн
500+20.11 грн
1500+17.56 грн
Мінімальне замовлення: 446 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 25A
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-40HXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-60ELXNexperiaMOSFETs N-channel 80 V, 23 mohm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+79.33 грн
100+55.17 грн
500+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 79.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79.4W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M20-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 80V 37A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+72.76 грн
50+54.22 грн
100+45.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M23-80EXNXPN-MOSFET 80V 37A 5V 79W AUTOMOTIVE BUK9M23-80EX TBUK9m23-80ex
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+120.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1633+21.67 грн
Мінімальне замовлення: 1633 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+15.17 грн
3000+13.31 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+17.31 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 40V 30A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 121A; 44W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Power dissipation: 44W
Case: LFPAK33; SOT1210
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 121A
Gate charge: 7.7nC
Application: automotive industry
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.74 грн
16+27.59 грн
25+25.33 грн
100+21.22 грн
250+19.12 грн
500+17.70 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+34.80 грн
100+22.51 грн
500+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-40EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4500+17.42 грн
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+47.93 грн
100+31.37 грн
500+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 32A
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-60EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.27 грн
50+52.47 грн
100+43.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LXNexperia USA Inc.Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 67W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LXNexperiaMOSFETs N-channel 80 V, 24 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M24-80LXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 67W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperiaMOSFETs SOT1210 N CHAN 80V
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M28-80EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 33 A, 0.02 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: SOT-1210
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M28-80EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M31-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0165ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M31-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 2513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.38 грн
100+53.94 грн
500+39.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M31-60ELXNEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9M31-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.0165 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.82V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70.2W
Bauform - Transistor: LFPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M31-60ELXNexperia USA Inc.Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1867 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+38.49 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M31-60ELXNexperiaMOSFETs SOT1210 N-CH 60V 35A
на замовлення 1523 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M34-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M34-100EXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 29A LFPAK33
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2844 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.7 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+27.56 грн
4500+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9M34-100EXNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 29A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+34.02 грн
3000+32.83 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 35 40 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 54  [ Наступна Сторінка >> ]