Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9M14-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 44A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1211 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M14-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 44A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 30A | на замовлення 2657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1026 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | NXP | 2xN-MOSFET 60V 47A 5V,10V 75W AUTOMOTIVE BUK9M15-60EX TBUK9m15-60ex кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 100 V, 156 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 12453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M15-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 47 A, 0.011 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 47A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M15-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 47A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 100V 9.3A | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M156-100EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.3 A, 0.12 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 36W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1081 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M156-100EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 695 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M16-100LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M16-100LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 0.0153 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 45A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 90.9W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0153ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M16-100LX | Nexperia | MOSFETs BUK9M16-100L/SOT1210/mLFPAK | на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M16-100LX | Nexperia | N-channel Logic Level MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30E,115 | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M17-30E - N-CHANNEL 30V, LOG Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 30V 37A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M17-30EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia | MOSFETs N-channel 40 V, 20.0 mΩ logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 3072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | NXP | N-MOSFET 60V 38A 5V 62W AUTOMOTIVE BUK9M19-60EX TBUK9m19-60ex кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M19-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 38A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1814 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 31 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK33 Vgs (Max): +16V, -10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | MOSFETs Single N-channel 60 V, 13 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 using Enhanced SOAtechnology | на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M20-40HX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 25 A, 0.0158 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.85V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-40HX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 25A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M20-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-60ELX | Nexperia | MOSFETs N-channel 80 V, 23 mohm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 1879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 79.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V euEccn: NLR Verlustleistung: 79.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0104ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M20-60ELX | Nexperia USA Inc. | Description: SINGLE N-CHANNEL 60 V, 13 MOHM L Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2941 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M20-60ELX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M20-60ELX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 0.0104 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.67V euEccn: NLR Verlustleistung: 79.4W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0104ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | NXP | N-MOSFET 80V 37A 5V 79W AUTOMOTIVE BUK9M23-80EX TBUK9m23-80ex кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 37A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK33 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2808 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) FET Type: N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M23-80EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 80V 37A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 30A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 30A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 798 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-40EX | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 30A; Idm: 121A; 44W Mounting: SMD Case: LFPAK33; SOT1210 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 121A Drain-source voltage: 40V Drain current: 30A Gate charge: 7.7nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 44W Application: automotive industry | на замовлення 1465 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia | MOSFETs SOT1210 N-CH 60V 32A | на замовлення 3023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 43 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M24-60EX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 32 A, 0.017 ohm, SOT-1210, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 55W Bauform - Transistor: SOT-1210 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 8-Pin LFPAK EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-60EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 60V 32A LFPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: LFPAK33 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1469 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-80LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA Power Dissipation (Max): 67W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-80LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-80LX | Nexperia USA Inc. | Description: BUK9M24-80L/SOT1210/MLFPAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 60µA Power Dissipation (Max): 67W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9M24-80LX | Nexperia | MOSFETs N-channel 80 V, 24 mOhm logic level MOSFET in LFPAK33 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M24-80LX | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9M24-80LX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 35 A, 0.0236 ohm, LFPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V euEccn: NLR Verlustleistung: 67W Bauform - Transistor: LFPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0236ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 80V 33A 8-Pin LFPAK EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BUK9M28-80EX | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 80V 33A LFPAK33 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2275 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK33 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

