Продукція > BSR
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSR57 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA Resistance - RDS(On): 40 Ohms Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 9067 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20 Durchbruchspannung Vbr: 40 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, max.: 100 Gate-Source-Sperrspannung Vgs(off), max.: 6 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 | onsemi / Fairchild | JFETs N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 114530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 2 V @ 0.5 nA Resistance - RDS(On): 40 Ohms Power - Max: 250 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 5888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR57 - JFET-Transistor, 40 V, 20 mA, 100 mA, 6 V, SOT-23, JFET Betriebstemperatur, max.: 150 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.25W; SOT23; Igt: 50mA Mounting: SMD Type of transistor: N-JFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -40V Drain current: 20mA Power dissipation: 0.25W Gate current: 50mA On-state resistance: 40Ω Kind of package: reel; tape Case: SOT23 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR57 T/R | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57,215 | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57,215 | NXP USA Inc. | Description: JFET N-CH 40V SOT23 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 5 V @ 0.5 nA Resistance - RDS(On): 40 Ohms Power - Max: 250 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR57_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR58 | ONS/FAI | SOT23/JFET N-CHANNEL Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Power - Max: 250 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 Код товару: 41067
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 40 V Струм стоку Idd, A: 0,5 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 60 Ohm Монтаж: SMD | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR58 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V | на замовлення 6905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 | onsemi / Fairchild | JFETs N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | на замовлення 14471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSR58 - JFET-Transistor, JFET, 40 V, 80 mA, 4 V, SOT-23, 3 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: 40V Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: 4V | на замовлення 6905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR58 | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR58 T/R | NXP Semiconductors | JFET TAPE7 FET-RFSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58,215 | NXP USA Inc. | Description: JFET N-CH 40V SOT23 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 0.5 nA Resistance - RDS(On): 60 Ohms Power - Max: 250 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58LT1 | onsemi | JFET 40V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58LT1 | onsemi | Description: JFET CHOPPER TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28pF @ 0V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58LT1G | onsemi | JFET 40V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58LT1G | onsemi | Description: JFET N-CH 40V SOT23-3 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8 mA @ 15 V Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 800 mV @ 1 µA Resistance - RDS(On): 60 Ohms Power - Max: 350 mW Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 40 V FET Type: N-Channel Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58LT1G | ON | SOT-23 08+ | на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR58_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-Ch Transistor Lo Freq/Lo Noise | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR59 | на замовлення 625 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR5CN103J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR5CN222J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole 2.2K OHM 5% 300PPM 5W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR5CN223J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR5CN511J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR606N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3 | на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR606NH6327 | Infineon technologies | на замовлення 22 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BSR606NH6327XTSA1 - BSR606 250V-600V SMALL SIGNALOR SMALL tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 60V 2.3A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.3A, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 15µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 657 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 2.3A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR606NH6327XTSA1 LIs. | Infineon | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SC-59 T/R BSR606NH6327XTSA1 TBSR606n кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR62 Код товару: 960
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 Гранична частота fT, MHz: 200 MHz Напруга Uке, V: 80 V Напруга Uкб, V: 80 V Струм Iк, A: 1 A Коефіцієнт підсилення h21, max: 2000 Примітка: Дарлінгтон | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BSR62 | PHILIPS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR62,412 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR69 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSR7CH103J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR7CN513J | KOA Speer | Wirewound Resistors - Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802N | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802N L6327 | Infineon | N-MOSFET 20V 3.7A 23mΩ 500mW BSR802NL6327HTSA1 BSR802NL INFINEON TBSR802nl кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR802N L6327 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 | на замовлення 13423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802NL6327 | Infineon technologies | на замовлення 1010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs N-Ch 20V 3.7A SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 17484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A 3-Pin SC-59 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 Код товару: 142666
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR802NL6327HTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 3.7 A, 0.023 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 2.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 12189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 3,7 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1447 @ 10, Qg, нКл = 4,7, Rds = 23 мОм, Ugs(th) = 750 мВ, Р, Вт = 0,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR802NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3.7A, 2.5V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 30µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 2.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 2.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1447 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92P | INFINEON | SC59 10+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92P | Infineon Technologies | MOSFETs P-Channel MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92P H6327 | Infineon Technologies | SMALL SIGNAL MOSFETS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92P L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -250V 140mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327 | Infineon technologies | на замовлення 95 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 3326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 Код товару: 155406
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 11706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.11A; 0.5W; SC59 Case: SC59 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Technology: SIPMOS™ Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.11A Power dissipation: 0.5W On-state resistance: 20Ω Gate-source voltage: ±20V | на замовлення 673 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon | MOSFET P-CH 250V 140MA SC-59 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs SMALL SIGNAL+P-CH | на замовлення 8244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSR92PH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 140 mA, 11 ohm, SC-59, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Bauform - Transistor: SC-59 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 11ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 14840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 250V 0.14A Automotive AEC-Q101 3-Pin SC-59 T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -250V 140mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSR92PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 250V 140MA SC59 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 500mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 130µA Supplier Device Package: PG-SC59-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.8V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 109 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSRBC500 | MOT | 90+ | на замовлення 326 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSRBC500ZKHCM | DIP | на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BSRBC50ZKH | MOT | DIP | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BSRE160ETC220MF05D | United Chemi-Con | Aluminium Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 22UF 16V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

