Продукція > EGP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGP20J | onsemi / Fairchild | Rectifiers 2A Rectifier UF Recovery | на замовлення 6236 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20J | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 2A DO15 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 21278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP20J AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 2A; Ifsm: 75A; DO15,DO204AC; Ammo Pack Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 2A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward impulse current: 75A Case: DO15; DO204AC Kind of package: Ammo Pack Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Reverse recovery time: 50ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | onsemi | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO15 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 7552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP20K | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - EGP20K - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | ON Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | ON Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | onsemi | Rectifiers 2.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | onsemi | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO15 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP20K | ONSEMI | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 2A; Ifsm: 75A; DO15; reel,tape; 75ns Mounting: THT Max. forward impulse current: 75A Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 2A Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Case: DO15 Type of diode: rectifying Reverse recovery time: 75ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP20K - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 4996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | ON Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20K | ON Semiconductor | Diode Switching 800V 2A 2-Pin DO-15 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20KTA | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP20KTA - RECTIFIER DIODE, 2A, 800V, DO-204AC tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 34775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2290 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP20KTA | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 800V 2A DO15 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AC, DO-15, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: DO-15 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 34775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3A Rectifier UF Recovery | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP30A - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AE, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30A-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AE, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30AHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30B | onsemi / Fairchild | Encoders ElectricalSwitch Rotary NotOver5Amp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30B-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30B-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30BHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30BHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A GP20 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30BL | GS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| EGP30C | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A DO201AD Packaging: Bulk Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30C | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 2464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30C | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 150V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30C | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP30C - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30C-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30C-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30CHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30CHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30D | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP30D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 3 A, Einfach, 950 mV, 50 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 950mV Sperrverzögerungszeit: 50ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 95pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 17350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30D-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 200 Volt 3.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 3A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30D-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30DHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30DHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 3A GP20 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 300V 3A 50ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30F | On Semiconductor | DIODE 300V 3A DO-201AD Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP30F - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 17303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3A Rectifier UF Recovery | на замовлення 1054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 300V 3A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30F-TP | Micro Commercial Co | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30FHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30FHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 300V 3A GP20 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 1835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G | ON Semiconductor | Diode Switching 400V 3A 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30G-E3-54 | VISHAY | 05+06+ | на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G-E3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G-E3/73 | Vishay Semiconductors | Rectifiers 400 Volt 3.0A 50ns Glass Passivated | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G-E3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: DIODE STANDARD 400V 3A DO201AE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AE, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AE Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30GHE3/54 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: GP20 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30GHE3/73 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 3A GP20 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30G_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30J | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3.0a Rectifier UF Recovery | на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30J Код товару: 144384
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| EGP30J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 1069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30J | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30J AMP | FAGOR | Category: THT universal diodes Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 3A; Ifsm: 125A; DO201AD,DO27; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; ultrafast switching Max. forward impulse current: 125A Case: DO27; DO201AD Kind of package: Ammo Pack Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 30A Reverse recovery time: 50ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R | на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30K | ONSEMI | Description: ONSEMI - EGP30K - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 800 V, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 125A euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30K | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| EGP30K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30K | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP30K | onsemi / Fairchild | Rectifiers 3A Rectifier UF Recovery | на замовлення 4652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31A-E3/C | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,50V,50NS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31A-E3/D | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,50V,50NS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31B-E3/C | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 117pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31B-E3/C | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,100V,50NS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31B-E3/C | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 3A,100V,50NS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| EGP31B-E3/D | Vishay Semiconductors | Rectifiers 3A,100V,50NS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

