Продукція > FF1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.5kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-PRIME3+-5 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1500A AGPRIME3+-5 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 1.5kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-PRIME3+-5 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R12IE5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1500R17IP5BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Dauerkollektorstrom: 1.5kA Produktpalette: PrimePACK 3+B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.5kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1500A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1500A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 88 nF @ 25 V | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1500 A dual IGBT module | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1500A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1500A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 88 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5BPSA1 | Infineon Technologies | Trench/Field stop IGBT5, Emitter Controlled 5 diode and NTC | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF1500R17IP5PBPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 1.5 kA, 1.75 V, 175 °C, Module tariffCode: 85415000 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 5 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 1.5kA usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV Produktpalette: PrimePACK 3+B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 1.5kA Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1700V 1500A AGPRIME3+-5 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1.5kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-PRIME3+-5 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 1500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1500 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trench Field Stop IGBT Module Transistor | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trench Field Stop IGBT Module Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trench Field Stop IGBT Module Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5PBPSA1 | Infineon Technologies | Trench Field Stop IGBT Module Transistor | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1500A MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1.5kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 88 nF @ 25 V | на замовлення 159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1700V 1500A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 1.5kA NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1500 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 88 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 1500 A dual IGBT module | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF1500R17IP5RBPSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R120KE3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 152 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 343 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3B8BDLA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 225A AG-62MM Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Part Status: Active Supplier Device Package: AG-62MM NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3B8BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3B8BOSA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3B8BPSA1 | Infineon Technologies | Description: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-311 Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3B8BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 150 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3G | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12KE3G | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GB2 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KE3GB2HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: C Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GB2HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KE3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 225A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 780W euEccn: NLR Verlustleistung: 780W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3GHOSA1 FF150R12KE3 | Infineon | IGBT MODULE, DUAL NPN, 1200V, 225A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KE3G_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KE3_B8 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 150A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KF2 | EUPEC | MODULE | на замовлення 87 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KS4 Код товару: 30320
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12KS4 | EUPEC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12KS4 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200V 150A DUAL | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KS4, | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF150R12KS4-B2 Код товару: 398
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12KS4B2HOSA1 | Infineon Technologies | Description: FF150R12 - IGBT MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KS4B2HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules Y | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 1250W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KS4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 3.2 V, 1.25 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 2 Fast Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.2 Dauer-Kollektorstrom: 225 usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 3.2 Verlustleistung Pd: 1.25 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KS4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1250 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KS4_B2 | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KT3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KT3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 462 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12KT3GHOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 225 A, 1.7 V, 780 W, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 225 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 780 Verlustleistung: 780 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Zweifach Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 225 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 780W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 780 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12KT3GHOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 780W 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3G | EUPEC | MODULE | на замовлення 259 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 200A 695W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: AG-ECONOD-3 NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT N-CH 1.2KV 200A Силові IGBT-модулі | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12ME3G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 200A | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 695W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 200A 695W Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.5 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 695 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Part Status: Not For New Designs IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Bulk | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12ME3GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12MS4G | EUPEC | MODULE | на замовлення 139 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12MS4G | Infineon Technologies | IGBT Modules N-CH 1.2KV 225A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | Trench and Field Stop IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12MS4GBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 225A 1250W MOD Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 225 A Part Status: Active Supplier Device Package: Module NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Configuration: 2 Independent Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tray | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 150A | на замовлення 283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12RT4 Код товару: 116327
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF150R12RT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 150 A, 1.75 V, 790 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 150A usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 790W euEccn: NLR Verlustleistung: 790W Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 150A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 150A 790W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 790 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 34MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FF150R12RT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 790W 7-Pin 34MM-1 Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 135A 31-Pin Tray | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| FF150R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules EASY STANDARD | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

