Продукція > HT8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HT8JAH3AF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JBH1DAB-POP | Eaton Electrical | Selector Switches 2POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/1NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JBH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JCH8E | Eaton Electrical | Description: SHORTHANDLESELECTORSWITCH,BLK,4P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JCH8EF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,4POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JDH3AAA5 | Eaton Electrical | Control Switches 2POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN RT W/2NO-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JFH8E | Eaton Electrical | Description: LONGHANDLESELECTORSWITCH,BLACK,4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JFH8EF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,4POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JKH3AA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JKH3AAA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JKH3AF1Q1 | Eaton Electrical | Selector Switches 2POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN LEFT W/2NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JKH3AF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JLH3AAA5 | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN RT W/2NO-2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JLH3AF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JNH3AA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JNH3AAA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JNH3AAA5 | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK KNOB SPR RTN BOTH OP ONL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JNH3AF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JPH3AA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JPH3AAA5 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,2POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JPH3AAA5 | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK LEVER SPR RTN BOTH OP ON | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JSH1D | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK LVR SPR RTN LEFT OP ONLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JSH1DAA5 | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/2NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JSH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JSH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Control Switches 3POS SEL SW BLK LVR Sprng RTN LEFT W/2NO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JUH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JVH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JXH1DAB-POP | Eaton Electrical | Control Switches 3POS MOM SEL SW NO/NC W/LEGEND PLS IN CS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8JXH1DF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,3POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KA5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V 12A, Dual Nch+Pch, HSMT8, Power MOSFET : HT8KA5 is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KA6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 30V 15A, Dual Nch+Pch, HSMT8, Power MOSFET : HT8KA6 is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications. | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 40V 12A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KB5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KB5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.047 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.047ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 40V 12A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 12A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KB5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 5A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KB6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB6TB1 | Rohm Semiconductor | HT8KB6TB1 | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KB6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMT8 N CHAN 40V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 101-110 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KB6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KB6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 15 A, 0.0172 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0172ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 14W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 3.5A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 10A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KC5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.09 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 10A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.09ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | на замовлення 2928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KC5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 10A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 10A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin HSMT EP | на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KC6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.029 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.029ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: 60V 15A, DUAL NCH+NCH, HSMT8, PO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | на замовлення 2901 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KC6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 60V 15A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KC6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KE5HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE5HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 6.5 A, 0.21 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.21ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2.5A 8-Pin HSMT EP T/R | на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 7A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE5 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 5988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE5TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.193 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.193ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE5TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta), 13W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), 7A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 2.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KE6HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 6000 µohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12.5A Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 6000µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 14W usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KE6TB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 13 A, 0.057 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 13A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.057ohm productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8HSMT Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 4.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 13A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 2W (Ta), 14W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin HSMT EP | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KE6TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 100V 13A, Dual Nch+Nch, HSMT8, Power MOSFET: HT8KE6 is a low on-resistance MOSFET ideal for switching applications. | на замовлення 6169 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KF6HTB1 | ROHM | Description: ROHM - HT8KF6HTB1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 150 V, 7 A, 0.214 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 150V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.214ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8KFR | Eaton Electrical | Switch Fixings 24V AC/DC BLUE LED | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDAF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC AMBER LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDAF3 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 4POS SEL SW BLK KNOB SPRG RET POS 1 TO 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDAF3 | Eaton Electrical | Description: 0.5 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET ( Packaging: Bag Color: Amber, Orange Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V AC/DC Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDAF7 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 4POS SEL SW BLK KNOB SPRG RTN POS 1 TO 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDAF7 | Eaton Electrical | Description: LED,1 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET Packaging: Bag Color: Amber, Orange Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V AC/DC Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDBF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC BLUE LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDBF3 | Eaton Electrical | Description: 0.5 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET ( Packaging: Bag Color: Blue Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDGF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC GREEN LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDGF3 | Eaton Electrical | Description: 0.5 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET ( Packaging: Bag Color: Green Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDGF7 | Eaton Electrical | Description: LED,1 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET Packaging: Bag Color: Green Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDRF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC RED LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDRF7 | Eaton Electrical | Description: LED,1 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET Packaging: Bag Color: Red Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8LEDWF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC WHITE LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDWF3 | Eaton Electrical | Description: 0.5 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET ( Packaging: Bag Color: White Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDWF7 | Eaton Electrical | Description: LED,1 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET Packaging: Bag Color: White Size / Dimension: 1.500" L x 0.500" W x 0.500" H (38.10mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HT8LEDYF1 | Eaton Electrical | Based LED Lamps 6-12V AC/DC YELLOW LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDYF3 | Eaton Electrical | Description: 0.5 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET ( Packaging: Bag Color: Yellow Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 24V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDYF7 | Eaton Electrical | Description: LED,1 W,T3-1/4,MINIATURE BAYONET Packaging: Bag Color: Yellow Size / Dimension: 1.000" L x 0.500" W x 0.500" H (25.40mm x 12.70mm x 12.70mm) Configuration: Single Voltage - Forward (Vf) (Typ): 120V Applications: General Purpose Lighting Base Type: Bayonet Can Replace Lamps: General Purpose Lamps | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LEDYF7 | Eaton Electrical | LED Replacement Lamps - Based LEDs 120V AC/DC YELLOW LED | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LNH8E | Eaton Electrical | Description: SHORTHANDLESELECTORSWITCH,BLK,4P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LP44 | Eaton Electrical | Switch Fixings JUMBO LEGEND PLATE BLK OR RD BKGRD BLANK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LP82 | Eaton Electrical | Switch Fixings STANDARD LEGEND, MARKED "UP / DOWN" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LP93 | Eaton Electrical | Switch Fixings JUMBO LEGEND, MARKED "TRANSFER" | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LPH8EF1Q1 | Eaton Electrical | Description: SELECTORSWITCH,NON-ILLUM,4POS,30 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HT8LR | Eaton Electrical | Switch Fixings STANDARD LEGEND, MARKED "INCH" | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |