Продукція > MGS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MGS902-0402MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 5V 75MW 0402
Power Dissipation (Max): 75 mW
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 0402
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Capacitance @ Vr, F: 0.1pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Diode Type: Schottky - Anti-Parallel
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Packaging: Bulk
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGS903MACOMRF Mixer Schottky Diode,GaAS-Beamlead,GB310
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+2019.94 грн
100+1987.91 грн
250+1689.26 грн
500+1631.97 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS903MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 5V 75MW GB310
Power Dissipation (Max): 75 mW
Current - Max: 50 mA
Supplier Device Package: GB310
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V (Min)
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 5mA, 1MHz
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 0V, 1MHz
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Diode Type: Schottky - 1 Pair Series Connection
Package / Case: GB310
Packaging: Tray
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+1696.01 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS905MACOMM/A-COM Technology Solutions Schottky Diode,GaAs,Beamlead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS905MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 5V 75MW B86
Packaging: Bulk
Package / Case: B86
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.06pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 7Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 5V
Supplier Device Package: B86
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS906MACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS,BEAMLEAD,B91
Packaging: Bulk
Package / Case: B91
Diode Type: Schottky - Tee
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.04pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: B91
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+2227.72 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS907B-E45RMACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS-PKG, E45R
Packaging: Bulk
Package / Case: E45
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.08pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: E45
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+5179.52 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS907B-E45RMACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs-Pkg, E45R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS908MACOM Technology SolutionsDescription: RF DIODE SCHOTTKY 10V 75MW B86
Packaging: Bulk
Package / Case: B86
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.04pF @ 0V, 1MHz
Resistance @ If, F: 14Ohm @ 5mA, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 10V
Supplier Device Package: B86
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS908MACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs,Beamlead
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS909MACOMSchottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode,GaAs,Beamlead
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3555.03 грн
10+3269.25 грн
25+2724.09 грн
100+2552.88 грн
250+2467.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGS910-E45RMACOM Technology SolutionsDescription: SCHOTTKY DIODE,GAAS-PKG, E45R
Packaging: Bulk
Package / Case: E45
Diode Type: Schottky - 1 Bridge
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TA)
Capacitance @ Vr, F: 0.1pF @ 0V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15V
Supplier Device Package: E45
Current - Max: 50 mA
Power Dissipation (Max): 75 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGS912MACOMSchottky Diodes & Rectifiers GaAs Schottky Diode, 4 Junction Beam
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2716.61 грн
10+2654.78 грн
25+2000.61 грн
100+1972.30 грн
250+1936.41 грн
500+1885.32 грн
1000+1854.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB1005A750T-LF
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB12APEM Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
Can Replace Lamps: Multiple Midget Groove Base Lamps
Base Type: Midget Groove
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 12V
Configuration: Single
Millicandela Rating: 490mcd
Size / Dimension: T - 1 3/4
Color: Blue
Packaging: Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB24Apem Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB28ApemLED Panel Mount Indicators Blue LED, 28VDC, 14mA, 490mcd
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB28Apem Inc.Description: BASED LED MIDGET GROOVE BLUE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSB304636GG
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSC4-00006
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSCD-12TE Connectivity Aerospace, Defense and MarineDescription: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 12V
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
Coil Voltage: 12VDC
Operating Temperature: -65°C ~ 125°C
Termination Style: PC Pin
Relay Type: General Purpose
Coil Current: 15 mA
Coil Type: Non Latching
Contact Material: Silver Palladium (AgPd), Gold (Au)
Contact Form: DPDT (2 Form C)
Contact Rating (Current): 1 A
Switching Voltage: 115VAC, 28VDC - Max
Must Release Voltage: 0.64 VDC
Must Operate Voltage: 7 VDC
Operate Time: 4 ms
Release Time: 2 ms
Load - Max Switching: 115VA, 28W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSCD-12TE Connectivity / P&BLow Signal Relays - PCB TO-5.100GRID
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSDB2Panasonic Industrial Automation SalesDescription: SPEED CNTL 220V OUT FOR AC MOTOR
Packaging: Box
Mounting Type: Socketable
Current - Output: 1A
Type: Module
Voltage - Supply: 200 ~ 240VAC
Voltage - Load: 200 ~ 240V
Number of Motors: 1
Motor Type: AC Motor
Control / Drive Type: Speed Controller
Wattage - Load: 90 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF-3433VT1MOTO0017+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1902MOTO
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02MOTOROLA
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02E
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02ECT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02ELT1ONSOT-23
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02ELT1G
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1ON10+ TO218X
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1onsemiMOSFETs 20V 750mA N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+160.93 грн
118+120.39 грн
140+101.97 грн
500+84.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1/N2
на замовлення 9300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 750mA 90mOhm
на замовлення 48777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
15+22.47 грн
100+12.36 грн
500+9.53 грн
1000+8.01 грн
3000+6.01 грн
6000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.75A; 0.4W; SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 23311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
15+21.31 грн
100+13.57 грн
500+9.58 грн
1000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
349+40.73 грн
518+27.40 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 349 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.84 грн
27+28.29 грн
30+25.22 грн
100+17.25 грн
250+15.81 грн
500+11.74 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.05 грн
50+21.83 грн
100+14.98 грн
500+11.74 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
563+25.22 грн
793+17.89 грн
801+17.71 грн
1036+13.20 грн
1729+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 125 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.06 грн
6000+6.41 грн
9000+6.15 грн
15000+5.69 грн
21000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.36 грн
6000+10.31 грн
9000+10.06 грн
12000+9.65 грн
27000+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N02LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 750 mA, 0.09 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 3295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.98 грн
500+11.74 грн
1500+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N02LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03/N3FON
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03Lonsemi NFET SOT23 30V 1.6A 0.100
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LUMWDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1onsemiMOSFET 30V 2.1A N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1ONSOT23
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1/N3FON
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 11863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.72 грн
100+18.50 грн
500+13.22 грн
1000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GON10+ROHS SOT-23
на замовлення 90003 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
626+22.67 грн
632+22.44 грн
798+17.77 грн
1000+15.56 грн
3000+13.09 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 626 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.87 грн
6000+16.45 грн
9000+16.06 грн
12000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.63 грн
500+16.00 грн
1500+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.27 грн
6000+9.94 грн
9000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.06 грн
6000+13.92 грн
9000+11.12 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 282000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.04 грн
6000+12.91 грн
9000+10.31 грн
15000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.08 грн
6000+13.94 грн
9000+11.13 грн
15000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GonsemiMOSFETs 30V 2.1A N-Channel
на замовлення 91870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.71 грн
12+26.60 грн
100+15.67 грн
500+12.36 грн
1000+11.25 грн
3000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF1N03LT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.6 A, 0.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.14 грн
50+35.03 грн
100+22.63 грн
500+16.00 грн
1500+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GAptina ImagingTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.70 грн
12000+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 2.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.01 грн
23+33.34 грн
25+33.01 грн
100+21.86 грн
250+20.04 грн
500+15.23 грн
1000+13.83 грн
3000+12.56 грн
6000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT3onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1N03LT3G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02EMOTSOT-23
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02ELT1
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02LT1ON
на замовлення 18600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02LT1onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 750MA SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02LT1/
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02LT1/PCL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P02LT1G
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF1P03LT1G
на замовлення 86400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02EON4 SOT-23
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELonsemi NFET SOT23 20V 2.8A 85MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELG
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1ON
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GonsemiMOSFETs NFET SOT23 20V 2.8A 85mOhm
на замовлення 10469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.37 грн
14+22.86 грн
100+12.63 грн
500+9.53 грн
1000+8.56 грн
3000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.19 грн
6000+8.06 грн
9000+7.67 грн
15000+6.77 грн
21000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.06 грн
37+20.63 грн
100+14.62 грн
250+12.99 грн
500+12.23 грн
1000+8.73 грн
3000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.08 грн
100+15.37 грн
500+10.89 грн
1000+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GONSEMIDescription: ONSEMI - MGSF2N02ELT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.085 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MGSF2N02ELT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
688+20.63 грн
936+15.16 грн
975+14.54 грн
994+13.76 грн
1392+9.10 грн
3000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 688 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]