Продукція > PMV

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMV30XPEARNXPTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A Automotive 3-Pin TO-236AB PMV30XPEAR PMV30XPEAR PMV30XPEAR TPMV30xpear
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV30XPEAR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.5 A, 0.028 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV30XPEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta), 5.435W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
35+8.83 грн
100+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV31XN
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV31XN,215Rochester Electronics, LLCDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 32487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1667 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UPNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NXPTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin TO-236AB PMV32UP,215 TPMV32up
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1696+20.85 грн
Мінімальне замовлення: 1696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV32UP,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.036 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 510mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NEXPERIACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.5A; 930mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 930mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+26.19 грн
20+21.13 грн
22+19.37 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaMOSFET PMV32UP/SOT23/TO-236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215
Код товару: 188518
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 144010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP,215NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1696+20.85 грн
10000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 1696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP/MI215NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP/MIRNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV32UP215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMV32UP - SMALL SIG
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.39 грн
6000+11.84 грн
9000+11.30 грн
15000+10.04 грн
21000+9.71 грн
30000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215NexperiaMOSFETs PMV33UPE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 33174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV33UPE,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 35021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.75 грн
500+15.61 грн
1000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPE-MLMOSLEADERDescription: P -30V -5.3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.56 грн
1000+2.40 грн
3000+2.24 грн
6000+2.06 грн
15000+2.00 грн
30000+1.92 грн
75000+1.77 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPER
Код товару: 187543
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, V: 30 V
Струм стоку Id, A: 5,3 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 35 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 793/12.8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
454+16.37 грн
1000+14.12 грн
3000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 454 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.22 грн
500+13.21 грн
1500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaMOSFETs SOT23 P-CH 30V 5.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480mW (Ta), 1.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV35EPER - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.2 A, 0.035 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 480mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.29 грн
50+26.25 грн
100+21.22 грн
500+13.21 грн
1500+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV35EPERNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.1A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
16+19.85 грн
50+14.30 грн
100+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaMOSFETs PMV37EN2/SOT23/TO-236AB
на замовлення 44275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TO236AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 209 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 5W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37EN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperia60 V, N-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperiaMOSFET N-CH 60V 3.5A TO236AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENEAR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.049 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 710mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.037ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 28383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.43 грн
500+8.38 грн
1500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENEARNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 60V 3.5A
на замовлення 64422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperia USA Inc.Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 7913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
15+20.76 грн
100+12.45 грн
500+10.83 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaMOSFET PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
на замовлення 17587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperia USA Inc.Description: PMV37ENE/SOT23/TO-236AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 710mW (Ta), 8.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 3.5A, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.50 грн
6000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV37ENER - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.037 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 710mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.41 грн
50+17.39 грн
100+11.30 грн
500+9.06 грн
1500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV37ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UNNXP SemiconductorsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 1mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-23 (TO-236AB)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperia USA Inc.Description: PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperiaN-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN-TRNexperiaMOSFETs PMV40UN-T/SOT23/TO-236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2NexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2Nexperia USA Inc.Description: PMV40UN2 - 30 V, N-CHANNEL TRENC
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2,215NXP USA Inc.Description: NEXPERIA, PMV40UN2 - 30V, N-CHAN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMV40UN2 - SMALL SI
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
861+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 861 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.24 грн
500+9.28 грн
1500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+6.23 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+6.23 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 3.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 490mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNXP/Nexperia/We-EnN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 3,7 А, Ptot, Вт = 0,49, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 635 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 4,5 В, Rds = 44 мОм @ 3,7 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,9 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4894+7.22 грн
10000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 4894 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+6.23 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMV40UN2R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.044 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 22405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.81 грн
50+21.54 грн
100+10.24 грн
500+9.28 грн
1500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.33 грн
6000+6.23 грн
9000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2R
Код товару: 175226
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNXPSOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.13 грн
48000+8.34 грн
72000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 3.7A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2965+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 2965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV40UN2RNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 3.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
16+19.25 грн
100+12.97 грн
500+9.45 грн
1000+8.55 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperiaMOSFET MOSFET PMV41XPA/SOT23
на замовлення 9773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV41XPARNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFETS FOR AUTOMOT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 510mW (Ta), 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 28 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV4248GYHammond ManufacturingElectrical Enclosures Vertical Steel Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV4248GYHammond ManufacturingDescription: POLE MOUNT KIT PMK SERIES
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperiaMOSFETs SOT23 N-CH 30V 4.4A
на замовлення 28596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMV42ENERNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.4A TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 281 pF @ 15 V
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
14+22.12 грн
100+14.08 грн
500+9.93 грн
1000+8.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEANexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEA215NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA SMALL SIGNAL FIELD-
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMV450ENEARNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4167+3.39 грн
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 4167 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9  [ Наступна Сторінка >> ]