Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
24+12.68 грн
100+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1103MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=22kO, Q1BER=22kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 15880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104(TE85L,F)TOSHIBASOT23
на замовлення 4282 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTToshibaDigital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
на замовлення 7277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 5166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
37+8.23 грн
100+5.11 грн
500+3.49 грн
1000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 2566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104,LXHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
24+12.91 грн
100+8.09 грн
500+5.60 грн
1000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104/XDTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104FTOS10 SOT-523
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104FSTOSHIBASOT-723
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104FSTPL3
на замовлення 11227 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104FTTOSHIBA10+ SOT-723
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFU(TP3)TOSHIBASOT23
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFVTOSHIBASOT23
на замовлення 13598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV(TL3,T)ToshibaDigital Transistors 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 150mA PC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshibaDigital Transistors 150mW TRANSISTOR
на замовлення 23270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+2.55 грн
494+1.53 грн
572+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
2000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3FToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CBToshibaTrans Digital BJT NPN
на замовлення 3555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1924 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 817222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 15700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
43+7.09 грн
100+4.39 грн
500+2.99 грн
1000+2.63 грн
2000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1104MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 817222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 32000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT723 50V
на замовлення 15980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=47kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 15327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104SOT416-XDTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104T5L(XD)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104T5LFTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
24+12.60 грн
100+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104T5LFTToshibaDigital Transistors NPN 50V 0.1A TRANSISTOR LOG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104TE85L
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104TE85L(XD)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105TOS
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105(T5L,F,T)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANSISTOR NPN SSM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CBToshibaRN1105,LF(CB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2930+4.83 грн
3025+4.68 грн
5000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 2930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CBToshibaRN1105,LF(CB
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshibaDigital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LF(CTToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 204 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105,LXHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105/TE85RTOSHIBASOT-523 03+
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105/XE
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
на замовлення 9997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105CT(TPL3)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105FTOSHIBASOT23
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105FSL4
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105FT
на замовлення 3035 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV(TPL3)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3FToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased VESM PLN TRANSISTOR Pd 150mW F 1MHz
на замовлення 3033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3FToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTToshibaDigital Transistors 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTToshibaTransistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.31 грн
4673+3.03 грн
4688+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+11.76 грн
45+6.72 грн
100+4.14 грн
500+2.82 грн
1000+2.47 грн
2000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CTToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 5517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3XHF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=2.2K, Q1BER
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
14+21.59 грн
100+11.46 грн
500+7.07 грн
1000+4.81 грн
2000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105TE85L
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105TE85L(XE)
на замовлення 815 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106T
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LFToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LF(CBToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin SSM
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1563 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106,LF(CTToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 1599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
34+8.98 грн
100+5.58 грн
500+3.83 грн
1000+3.37 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]