Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5802URS | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802URS | Microsemi | Rectifiers UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802US | MICROSEMI | A_SQ_MELF/2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1N5802 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 1A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802US | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802US | Semtech | MIL, QPL PART, 1A 50V ULTRAFAST RECT- SQ END CAPS POWER DISCR 1N5802 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5802US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 2.5AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 123 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804 | MICROSEMI | A 1N5804 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804 | Semtech Corporation | Description: D MET 2.5A SFST 100V HR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804 | Semtech | -D MET 2.5A SFST 100V HR POWER DISCR 1N5804 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 2.5AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 1A AMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 1A D5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 2.5A D5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US | Semtech | DIODE 1A 100V TRR 25NS POWER DISCR 1N5804 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US | Semtech Corporation | Description: DIODE 1A 100V TRR 25NS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 2.5A D5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5804US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 159 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806 | MICROSEMI | A/ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR THT | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806 | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 50V Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 154 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 154 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806URS | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806URS/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806US | Semtech | D MET 6A SFST 5 POWER DISCR 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806US | MICROSEMI | A/SURFACE MOUNT VOIDELESS-HERMETICALLY-SEALED ULTA FAST RECOVERY GLASS RECT 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 2.5A D5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JAN1N5806US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5806US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807 | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807 | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807 | Semtech | ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 6A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 60V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 6A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5807US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JAN1N5809 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5809US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811 | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 150V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JAN1N5811 | Semtech | MIL 6A Superfast Rectifier POWER DISCR 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 160V 3A UFR,FRR | на замовлення 357 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 160V 3A UFR,FRR TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 2479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811US | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 150V HR SM Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811US | MICROSEMI | MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JAN1N5811US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5811US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5812 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 20A Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5812 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5812R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 20A Reverse Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5812R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814 | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JAN1N5814 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 20A Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: Stud mounting universal diodes Description: Diode: rectifying; DO203AA,DO4; screw type; 0.95V; 10uA; 35ns Type of diode: rectifying Case: DO4; DO203AA Max. forward voltage: 0.95V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 35ns Mounting: screw type | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 100V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5814R | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: Stud mounting universal diodes Description: Diode: rectifying; DO203AA,DO4; screw type; 0.95V; 10uA; 35ns Type of diode: rectifying Capacitance: 0.3nF Case: DO4; DO203AA Max. forward voltage: 0.95V Leakage current: 10µA Reverse recovery time: 35ns Mounting: screw type | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5816 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5816 | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JAN1N5816 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 20A Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5816R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5816R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5819-1 | MICROCHIP TECHNOLOGY | Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; THT; DO41; 490mV; 50uA Type of diode: Schottky rectifying Case: DO41 Mounting: THT Max. forward voltage: 0.49V Leakage current: 50µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5819-1 | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 45V Small-Signal Schottky | на замовлення 99 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JAN1N5819-1 | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. |

