Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JAN1N5804US | Semtech | DIODE 1A 100V TRR 25NS POWER DISCR 1N5804 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5804US | Semtech | ESD Suppressors / TVS Diodes DIODE 1A 100V TRR 25NS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5804US | Semtech Corporation | Description: DIODE 1A 100V TRR 25NS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5804US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 2.5A D5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5804US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR THT | на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5806 | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 50V Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806 | MICROSEMI | A/ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/477 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: A, Axial Current - Average Rectified (Io): 2.5A Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: A, Axial Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 159 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 154 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: A, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: A, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 154 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806URS | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 1A A-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: A-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806URS/TR | Microchip Technology | Description: UFR,FRR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806US | MICROSEMI | A/SURFACE MOUNT VOIDELESS-HERMETICALLY-SEALED ULTA FAST RECOVERY GLASS RECT 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 626 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5806US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 2.5A D5A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, A Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2.5A Supplier Device Package: D-5A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5806US | Semtech | D MET 6A SFST 5 POWER DISCR 1N5806 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 1A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5806US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D-5A Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 975 mV @ 2.5 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: D-5A Current - Average Rectified (Io): 2.5A Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, A Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807 | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 50V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807 | Microsemi Corporation | Description: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807 | Semtech | ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 6A SFST 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 6A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 60V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Qualification: MIL-PRF-19500/477 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 6A B SQMELF Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 3A B SQMELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5807US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5809 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR THT | на замовлення 445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5809/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809URS | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Qualification: MIL-PRF-19500/477 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809US | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 6A B SQMELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 100V 3A B SQMELF Qualification: MIL-PRF-19500/477 Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Grade: Military Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5809US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 160V 3A UFR,FRR | на замовлення 1533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5811 | Semtech | MIL 6A Superfast Rectifier POWER DISCR 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 3A B AXIAL Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: B, Axial Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, Axial Current - Average Rectified (Io): 6A | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5811/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 160V 3A UFR,FRR TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 115 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811URS | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811URS | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811URS/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GP 150V 3A SQ-MELF B Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 3A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811URS/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811US | MICROSEMI | MELF/ULTRA FAST RECTIFIER (LESS THAN 100NS) 1N5811 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811US | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF Qualification: MIL-PRF-19500/477 Grade: Military Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: B, SQ-MELF Current - Average Rectified (Io): 6A Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SQ-MELF, B Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811US | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT | на замовлення 861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5811US | Semtech Corporation | Description: D MET 6A SFST 150V HR SM Packaging: Bulk Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811US/TR | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 3A UFR,FRR SQ SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5811US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 150V 6A B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 6A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V Qualification: MIL-PRF-19500/477 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5812 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 20A Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5812 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5812R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 50V 20A Reverse Stud-Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5812R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 50V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5814 | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5814 | на замовлення 490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5814 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 20A Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5814R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 100V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5814R | Microchip Technology | Description: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5816 | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 20A Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5816 | Microchip Technology | Description: DIODE STANDARD 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5816 | на замовлення 329 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JAN1N5816R | Microchip / Microsemi | Rectifiers 150V 20A Reverse Stud Mount UFR,FRR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5816R | Microchip Technology | Description: DIODE STD REV 150V 20A DO203AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 20A Supplier Device Package: DO-203AA (DO-4) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/478 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819-1 | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 45V Small-Signal Schottky | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5819-1 | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 103 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AL, DO-41, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-41 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819-1/TR | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 45V Small-Signal Schottky TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 101 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819UR-1 | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 45V 1A Small-Signal Schottky Round-End | на замовлення 979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| JAN1N5819UR-1 | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/586 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819UR-1 | MICROSEMI | DO213AB/SCHOTTKY RECTIFIER 1N5819 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819UR-1/TR | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 45V 1A Small-Signal Schottky Round-End TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5819UR-1/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 5V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB (MELF, LL41) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Grade: Military Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 490 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 45 V Qualification: MIL-PRF-19500/586 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822 | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822 | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822.TR | Semtech Corporation | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD TR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 525 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B AXIAL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: B, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, Axial Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822/TR | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US | Semtech Corporation | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF Packaging: Bulk Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Grade: Military Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky SQ THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US.TR | Semtech Corporation | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 125°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US/TR | Microchip / Microsemi | Schottky Diodes & Rectifiers 40V 3A Small-Signal Schottky SQ THT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5822US/TR | Microchip Technology | Description: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B SQ-MELF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SQ-MELF, B Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: B, SQ-MELF Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 500 mV @ 3 A Grade: Military Qualification: MIL-PRF-19500/620 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JAN1N5823 | MSC/MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JAN1N5824 | MSC/MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JAN1N5825 | MSC/MOT | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JAN1N5826 | MSC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JAN1N5827 | MSC | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

