Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 77 88 99 110 117  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP80N70F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 96A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70G6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 11A; 68W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 68W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06
Код товару: 188620
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L06
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
на замовлення 3137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+353.94 грн
56+251.87 грн
100+154.13 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+81.92 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 207 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+105.42 грн
10+93.89 грн
50+84.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04
Код товару: 165445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+353.94 грн
10+251.87 грн
100+154.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+85.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055-06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055L
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06
Код товару: 62111
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3850/115
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STM(MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+136.97 грн
115+122.71 грн
128+109.77 грн
500+83.71 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 9079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+190.70 грн
100+172.70 грн
500+141.15 грн
1000+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+190.70 грн
100+172.70 грн
500+141.15 грн
1000+133.43 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10
Код товару: 33804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/140
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.22 грн
50+122.94 грн
100+109.97 грн
500+83.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.71 грн
50+132.55 грн
100+120.03 грн
500+92.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+98.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 593 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+210.01 грн
10+159.77 грн
25+131.77 грн
40+120.24 грн
50+115.30 грн
100+102.95 грн
500+95.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n50)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 194650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.07 грн
50+95.11 грн
100+93.72 грн
500+84.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FP
Код товару: 113719
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTN-MOSFET 38A 100V 300W 0.015Ω STP80NF10FP TSTP80NF10fp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+82.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+151.54 грн
103+136.68 грн
500+110.63 грн
1000+98.61 грн
2000+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220FP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.14 грн
50+105.33 грн
100+94.99 грн
500+72.16 грн
1000+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+204.88 грн
4+176.25 грн
10+154.83 грн
25+124.36 грн
50+102.12 грн
100+84.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 194646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
147+95.90 грн
148+94.93 грн
151+93.55 грн
500+84.52 грн
Мінімальне замовлення: 147 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+151.54 грн
100+136.68 грн
500+110.63 грн
1000+98.61 грн
2000+89.80 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMTO-220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMMOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.67 грн
50+95.99 грн
100+86.43 грн
500+65.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 60A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 159 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+188.03 грн
5+107.89 грн
10+95.54 грн
50+75.77 грн
100+70.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+107.94 грн
132+106.87 грн
144+98.24 грн
500+92.00 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+90.73 грн
157+89.82 грн
165+85.46 грн
500+77.95 грн
1000+71.45 грн
2000+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp
на замовлення 1843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STN-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+166.71 грн
128+110.52 грн
130+108.65 грн
500+103.86 грн
1000+88.64 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12
Код товару: 41692
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO220-3
Напруга сток-витік Uds, В: 120 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/
Примітка: Потужний MOSFET
Монтаж: THT
8542 39 90 00
товару немає в наявності
1+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF12STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.24 грн
50+89.34 грн
100+85.01 грн
500+77.53 грн
1000+71.06 грн
2000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF50L
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55STMicroelectronicsMOSFETs LGS LV MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55
Код товару: 29754
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+126.98 грн
112+125.71 грн
123+114.54 грн
500+92.63 грн
1000+78.42 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.13 грн
50+95.41 грн
100+85.91 грн
500+64.99 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+126.50 грн
50+125.23 грн
100+114.11 грн
500+92.28 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+68.83 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+115.30 грн
10+78.24 грн
25+70.33 грн
50+65.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsN-канальный ПТ (Vds=55V, Id=80A , Rds=0.06R).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.71 грн
2000+62.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06FPSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF55-06FPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 60A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 77 88 99 110 117  Наступна Сторінка >> ]