Продукція > stp
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP80N70F6 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 68V 96A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80N70G6 | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 6A; Idm: 11A; 68W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 6A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 68W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 7nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Description: Linear IC's Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 400 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K6 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80N900K6 | STMicroelectronics | MOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NE03L | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NE03L-06 Код товару: 188620
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±22V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | ST | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP80NE03L-06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NE03L06 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NE06 | ST | 07+; | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NE06-10 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NE06-10 | STMicroelectronics | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NE06-10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF03 | на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF03L | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF03L | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF03L | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II | на замовлення 207 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp | на замовлення 3137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2023 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 Код товару: 165445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | ST | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF03L-04 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF055-06 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF055L | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF06 Код товару: 62111
Додати до обраних
Обраний товар
| ST | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 80 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3850/115 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STM | (MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 60 Volt 80 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10181 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | ST | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm | на замовлення 9079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp | на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1331 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 593 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 | STM | TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10 Код товару: 33804
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 100 В Струм стоку Idd, А: 80 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/140 Монтаж: THT УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP80NF10(sihg20n5 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF10(sihg20n50) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | MOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A | на замовлення 1037 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STM | TO-220FP Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 27A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 178 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 194650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF10FP Код товару: 113719
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP80NF10FP | ST | N-MOSFET 38A 100V 300W 0.015Ω STP80NF10FP TSTP80NF10fp кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 100V 38A TO220FP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220FP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 194646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF10FP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF10FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF12 Код товару: 41692
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO220-3 Напруга сток-витік Uds, В: 120 В Струм стоку Idd, А: 80 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,018 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/ Примітка: Потужний MOSFET Монтаж: THT 8542 39 90 00 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STM | MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF12 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 80 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 120V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 120 Volt 80 Amp | на замовлення 1843 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF12 | ST | N-MOSFET 120V 80A 300W STP80NF12 STMicroelectronics TSTP80NF12 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 94 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 120V; 60A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 120V Drain current: 60A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II | на замовлення 159 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF12 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 120V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF50L | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF55 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55 | STMicroelectronics | MOSFETs LGS LV MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STP80NF55 Код товару: 29754
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні УКТЗЕД: 8541290010 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STP80NF55 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | N-канальный ПТ (Vds=55V, Id=80A , Rds=0.06R).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; 300W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 80A Power dissipation: 300W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: STripFET™ II | на замовлення 76 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STP80NF55-06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 6500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STP productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6500µohm | на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp | на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STP80NF55-06FP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 55V 60A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 189 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06FP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 55V-0.005ohms 80A | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-06FP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 55V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STP80NF55-07 | на замовлення 18530 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

