Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP80N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 80A STripFET VII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 1.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 400 V
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+81.75 грн
25+74.21 грн
100+61.90 грн
250+58.20 грн
500+55.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+91.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N1K1K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N20M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 30.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4329 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 197 mOhm typ., 16 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 197 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+420.90 грн
50+321.37 грн
100+275.47 грн
500+229.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N240K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.197 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.197ohm
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N240K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N340K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 12 A, 0.285 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.285ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+157.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 285 mOhm typ., 12 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N340K6STMicroelectronicsDescription: DISCRETE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.62 грн
250+164.01 грн
500+153.41 грн
750+140.26 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 400 mOhm typ., 8 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 400 MOHM TYP.,
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
на замовлення 448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.42 грн
50+172.36 грн
100+156.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N450K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.38 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.38ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N450K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N55L-08ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 15A; 86W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 86W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 10.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N600K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7 A, 0.515 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 86W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.515ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N600K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 278 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsMOSFET N-CH 60V 110A STripFET VI DeepGATE
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 110A TO220
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N6F6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube Automotive AEC-Q101
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+50.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 68 V, 8.2 mOhm typ., 85 A STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 85A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
Код товару: 140338
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F4
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F6STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 68V 0.0063Ohm 96A STripFET VI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 68V 96A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 68 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 99 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N70G6STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 750 mOhm typ., 6 A MDmesh K6 Power MOSFET in a TO-220 package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80N900K6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 6 A, 0.9 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsDescription: Linear IC's
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 362 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+77.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80N900K6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±22V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06ST
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06
Код товару: 188620
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L-06STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE03L06
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06ST07+;
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NE06-10
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03LSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+355.53 грн
56+253.00 грн
100+154.82 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
172+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 172 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30 Volt 80 Amp
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.53 грн
10+253.00 грн
100+154.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP80NF03L-04 STMicroelectronics TSTP80NF03L-04
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+85.86 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 30V; 80A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: STripFET™ II
на замовлення 183 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+108.35 грн
10+96.50 грн
50+86.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF03L-04
Код товару: 165445
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055-06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF055L
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STM(MFET,N-CH,150W,55V,98A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06
Код товару: 62111
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,01 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 3850/115
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+46.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF06STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 60 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.49 грн
10+175.76 грн
50+135.92 грн
100+115.50 грн
500+94.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+137.58 грн
115+123.26 грн
128+110.26 грн
500+84.09 грн
Мінімальне замовлення: 103 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMTO220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10
Код товару: 33804
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 80 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,012 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4300/140
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+191.56 грн
100+173.47 грн
500+141.78 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+191.56 грн
100+173.47 грн
500+141.78 грн
1000+134.03 грн
Мінімальне замовлення: 74 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+215.86 грн
10+164.22 грн
25+135.44 грн
40+123.59 грн
50+118.51 грн
100+105.81 грн
500+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 100 Volt 80 Amp
на замовлення 1725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STTransistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 15mOhm; 80A; 300W; -55°C ~ 175°C; STP80NF10 TSTP80NF10
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+99.43 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+163.23 грн
Мінімальне замовлення: 87 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.015 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
на замовлення 8919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.84 грн
50+123.49 грн
100+110.46 грн
500+84.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n5
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10(sihg20n50)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 27A; 45W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+210.59 грн
4+181.15 грн
10+159.14 грн
25+127.82 грн
50+104.97 грн
100+87.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsMOSFETs N Ch 100V 0.012 Ohm 30A
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 38A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP80NF10FPSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP80NF10FP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.012 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 45W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 66 77 88 99 110 119  [ Наступна Сторінка >> ]