Продукція > si4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI4866DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 17A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DY-TI-E3
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866DYT1E3VISHAY
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866T1E3VISHAY
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI487-SALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO220; Thk: 0.18mm; 2.5kV; clip,glued
Application: TO220
Mounting: clip; glued
Dielectric strength: 2.5kV
Material: glass fiber reinforced silicone
Type of heat transfer pad: silicone
Thickness: 0.18mm
Dimensions: 19x12.7mm
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+120.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4872DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4872DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874SILISOP8
на замовлення 269 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.12 грн
10+123.05 грн
50+94.09 грн
100+79.51 грн
500+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+65.01 грн
220+64.63 грн
222+63.95 грн
250+55.41 грн
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 16A; Idm: 50A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 50A
Drain current: 16A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.38 грн
12+65.01 грн
25+64.63 грн
100+61.66 грн
250+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4874BDY-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 16A 0.007Ohm
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
223+63.79 грн
238+59.72 грн
239+59.44 грн
500+56.68 грн
1000+49.53 грн
Мінімальне замовлення: 223 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 16A 3.0W 7.0mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874BDYT1E3VISHAY
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DYonsemi / FairchildMOSFET SO8 NCH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DYVISHAY09+
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 15A 3.1W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DY-T1VISHAY04+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DYT1VISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4874DYT1E3VISHAY
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4876SISOP-8
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4876DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4876DY-T1SILICONIX0301+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4876DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4876DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4876DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4876DYT1E3VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4877DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI488ALUTRONICCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO220; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; 2.5kV
Application: TO220
Material: glass fiber reinforced silicone
Mounting: screw
Type of heat transfer pad: silicone
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.18mm
Dimensions: 14.3x17.5mm
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 2.5kV
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880SISOP-8
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 13A 2.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DY-T1VISHAY2004
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4880DYT1E3VISHAY
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882SIEMENS01+ SOP
на замовлення 175 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DY-T1VISHAYSOP-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DY-T1 SOP-8VISHAY
на замовлення 10900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DY-T1-E3VISHAYSO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DY-T1SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4882DYT1E3VISHAY
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4883DY-T1
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884SISOP-8
на замовлення 6600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+90.96 грн
10+89.56 грн
25+88.15 грн
50+83.65 грн
100+76.21 грн
250+71.94 грн
500+70.74 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884BDY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DYonsemi / FairchildMOSFETs SO8 NCH 30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DYVISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DYRochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DYVishay / SiliconixMOSFETs 30V 12A 2.95W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DY-T1VISHAY05+
на замовлення 86063 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 12A 2.95W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DY-T1*
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4884DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4884DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4174DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4884DYT1E3VISHAY
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886SISOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886DYVISHAY09+
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886DY-T1VISHAYSOP8
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si4886DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si4886DY-T1-E3VISHAY07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886DY-TI
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4886DYT1VISHAY07+ SO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888SISOP-8
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DYVishay / SiliconixMOSFET 30V 16A 3.5W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DYVISHAYSO-8
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-E3VishaySO-8, PBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4386DY-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-E3-SVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DY-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4162DY-T1-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4888DYT1E3VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si488DH-T1-E3Vishay SiliconixSi488DH-T1-E3 Si1488DH SOT-363 N-Channel 20 V (D-S) MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI488ZDY
на замовлення 23145 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.