Продукція > 2SD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 15 20 25 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SD1176
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1176A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1177
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1178
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1179
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD118TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1180
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1181
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1182
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1183
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1184
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1185
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1186
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1187
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1189
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD119TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1190onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
833+25.70 грн
Мінімальне замовлення: 833 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1190
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1190ON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 4A 1750mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
789+44.74 грн
1000+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 789 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1190ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1190 - 2SD1190, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1191onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3.5A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 7mA, 3.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
666+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 666 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1191
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1191ON SemiconductorHigh Darlington Epitaxial Planar Type Silicon Transistor
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
631+55.93 грн
1000+51.58 грн
10000+45.99 грн
Мінімальне замовлення: 631 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1191ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1191 - 2SD1191, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1192SANYO09+
на замовлення 12108 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1193ONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1193 - 2SD1193, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1193
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1193onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 70 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Supplier Device Package: TO-3PB
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 7A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 14mA, 7A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 7825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
222+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 222 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1193ON SemiconductorTrans Darlington NPN 60V 15A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PB
на замовлення 7800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+186.98 грн
500+168.17 грн
1000+155.23 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1194
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1195
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1196
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1198
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1198A
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1199
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD11990SPanasonicPanasonic
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD11990SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD12TOS/HIT98+ TO-3
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD120
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1200F
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1200F
Код товару: 124995
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1201
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1202
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1203
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1205
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1205A
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1206
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207---Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207SonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207SonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 105079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 66028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207S-AE - 2SD1207 - BIPOLAR TRANSISTOR
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207S-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 19551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
10000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207TonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207TonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEONSEMIDescription: ONSEMI - 2SD1207T-AE - 2SD1207T-AE, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEOn SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 5874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1069+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 1069 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-AEON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 2A 1000mW 3-Pin Case MP T/R
на замовлення 5412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1611+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 1611 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-OMR-AEonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-OMR-AEonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207T-OMR-AEXonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207UonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1207UonsemiDescription: TRANS NPN 50V 2A 3-MP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: 3-MP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1208
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1209
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1209KTZRenesas Electronics America IncDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD120H
на замовлення 689 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD121
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1210
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1211
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD12110RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 130 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD12110SPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 120V 0.5A TO92L-A1
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: TO-92L-A1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 185 @ 150mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 30mA, 300mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1212
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1212R
на замовлення 9650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1212RonsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1212S
на замовлення 15128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1213
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1213RSanyoDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1214
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1215
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1216
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1217
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1218
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1219
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD121HTO-39
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD122
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1220
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1221
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1221-GRTOS
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1221-GR(T6L1,NQToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 15 20 25 30 35 40 45 50 55 57  [ Наступна Сторінка >> ]